[發明專利]一種半導體器件的制造方法

在審

• 申請號: 201710448941.5
• 申請日: 2017-06-14
• 公開（公告）號: CN109087865A
• 公開（公告）日: 2018-12-25
• 發明（設計）人: 常榮耀;王彥
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供半導體襯底；

在所述半導體襯底上形成圖案化的硬掩膜層，所述圖案化的硬掩膜層具有若干間隔設置的硬掩膜圖案；

形成覆蓋所述半導體襯底和所述圖案化的硬掩膜層的覆蓋層；

形成圖案化的掩膜層，所述掩膜層覆蓋相鄰所述硬掩膜圖案之間的覆蓋層；

以所述圖案化的掩膜層為掩膜執行刻蝕，以去除預定深度的所述半導體襯底；

去除所述圖案化的掩膜層和所述覆蓋層；

以所述圖案化的硬掩膜層為掩膜刻蝕所述半導體襯底，以形成凹字形的雙鰭片結構；

去除所述圖案化的硬掩膜層。

2.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述圖案化的硬掩膜層的方法包括：

在所述半導體襯底上形成硬掩膜層；

在所述硬掩膜層上形成若干間隔排列的側墻；

以所述側墻為掩膜刻蝕所述硬掩膜層，以形成圖案化的硬掩膜層。

3.根據權利要求2所述的制造方法，其特征在于，形成所述若干間隔排列的側墻的方法包括：

在所述硬掩膜層上形成核心；

在所述核心的側壁上形成側墻；

去除所述核心，以形成若干間隔排列的側墻。

4.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述覆蓋層包括有機分布層。

5.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述半導體襯底包括SOI襯底，所述雙鰭片結構形成于所述SOI襯底的硅層中。

6.根據權利要求3所述的制造方法，其特征在于，形成所述核心的步驟包括：

在所述硬掩膜層上形成犧牲層；

在所述犧牲層上形成圖案化的光刻膠層；

以所述圖案化的光刻膠層為掩膜刻蝕所述犧牲層，以形成所述核心。

7.根據權利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述核心與所述硬掩膜層之間還形成有刻蝕停止層。

8.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述半導體襯底與所述硬掩膜層之間還形成有蓋帽層。

9.根據權利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述刻蝕停止層的材料包括SiN。

10.根據權利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述蓋帽層的材料包括氧化硅。