[發明專利]二氧化鈦增敏的表面等離子體共振傳感器及其制備方法在審
| 申請號： | 201710448585.7 | 申請日： | 2017-06-14 |
| 公開（公告）號： | CN107389618A | 公開（公告）日： | 2017-11-24 |
| 發明（設計）人： | 羅云瀚;夏凱;王浩;黃文娟;陳哲;張軍;董江莉;余健輝;盧惠輝;關賀元;唐潔媛 | 申請（專利權）人： | 暨南大學 |
| 主分類號： | G01N21/552 | 分類號： | G01N21/552 |
| 代理公司： | 廣州粵高專利商標代理有限公司44102 | 代理人： | 任重 |
| 地址： | 510630 廣東省*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氧化 鈦增敏 表面 等離子體 共振 傳感器 及其 制備 方法 | ||
1.二氧化鈦增敏的表面等離子體共振傳感器，包括表面等離體子體共振傳感芯片，表面等離體子體共振傳感芯片是在側邊拋磨光纖拋磨面或棱鏡表面鍍有貴金屬膜，所述貴金屬膜為金膜或銀膜，其特征在于，在貴金屬膜上面旋涂有二氧化鈦納米顆粒膜層。
2.根據權利要求1所述的二氧化鈦增敏的表面等離子體共振傳感器，其特征在于，所述二氧化鈦納米顆粒膜層的厚度為200 nm~450nm。
3.根據權利要求1所述的二氧化鈦增敏的表面等離子體共振傳感器，其特征在于，所述貴金屬膜厚度為40 nm~60nm。
4.二氧化鈦增敏的表面等離子體共振傳感器的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
S1、制備表面等離子體共振傳感芯片：通過真空蒸鍍法將貴金屬膜鍍在側邊拋磨光纖拋磨面或棱鏡表面制作而成，所述側邊拋磨光纖是通過光纖拋磨掉部分包層和纖芯制作而成；所述貴金屬膜為金膜或銀膜；
S2、采用二氧化鈦納米顆粒分散液在貴金屬膜上旋涂，干燥后形成二氧化鈦納米顆粒膜層。
5.根據權利要求4所述的二氧化鈦增敏的表面等離子體共振傳感器的制備方法，其特征在于，所述步驟S2中，二氧化鈦納米顆粒分散液濃度為0.1%~1.5%。
6.根據權利要求5所述的二氧化鈦增敏的表面等離子體共振傳感器的制備方法，其特征在于，所述二氧化鈦納米顆粒分散液為將粒徑大小為5nm~15nm的二氧化鈦納米顆粒均勻分散于溶劑中制成，所述溶劑為水或酒精。
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