[發明專利]一種半導體器件及其制造方法、電子裝置

有效

• 申請號: 201710444111.5
• 申請日: 2017-06-13
• 公開（公告）號: CN109087890B
• 公開（公告）日: 2020-10-13
• 發明（設計）人: 周飛
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238;H01L27/092;H01L29/78
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 高偉;馮永貞

1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供半導體襯底，所述半導體襯底包括第一器件區域和第二器件區域，在所述第一器件區域和所述第二器件區域中均形成有鰭片和環繞所述鰭片設置的虛擬柵極結構；

在所述第二器件區域上形成間隙壁材料層，以覆蓋所述第二器件區域；

在所述第一器件區域的所述虛擬柵極結構的兩側形成第一抬升源漏；

形成第一層間介電層，以覆蓋所述第一器件區域和所述第二器件區域；

圖案化所述第二器件區域中的預定形成源漏的位置處的所述第一層間介電層和所述鰭片，以形成凹槽；

在所述凹槽中形成第二抬升源漏。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述第一層間介電層之后，形成所述凹槽之前，所述方法還包括去除所述虛擬柵極結構并且形成金屬柵極結構的步驟。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述鰭片的方法包括：

提供半導體襯底，在所述半導體襯底上形成掩膜層；

蝕刻所述掩膜層和所述半導體襯底，以形成所述鰭片；

沉積隔離材料層，以覆蓋所述鰭片；

回蝕刻所述隔離材料層，以露出目標高度的所述鰭片。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述虛擬柵極結構之后，在形成所述間隙壁材料層之前所述方法還包括：

在所述虛擬柵極結構的側壁上形成偏移側壁；

在所述虛擬柵極結構的兩側執行LDD離子注入。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述間隙壁材料層的方法包括：

在所述第一器件區域和所述第二器件區域中形成覆蓋所述虛擬柵極結構的間隙壁材料層；

蝕刻去除所述第一器件區域中的所述間隙壁材料層。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述第二抬升源漏之后，所述方法進一步包括：沉積第二層間介電層并平坦化，以填充所述凹槽。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，在填充所述凹槽之后，所述方法還包括：

在所述第一抬升源漏和所述第二抬升源漏上方形成分別與所述第一抬升源漏和所述第二抬升源漏電連接的接觸結構。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，形成所述接觸結構的方法包括：

圖案化所述第二層間介電層和所述第一層間介電層，以形成接觸開口，露出所述第一抬升源漏和所述第二抬升源漏；

在露出的所述第一抬升源漏和所述第二抬升源漏表面形成自對準硅化物；

使用導電材料填充所述接觸開口；

平坦化所述導電材料至所述第二層間介電層。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一器件區域中形成NMOS晶體管；

在所述第二器件區域中形成PMOS晶體管。

10.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，通過外延的方法形成所述第一抬升源漏和所述第二抬升源漏。

11.一種半導體器件，其特征在于，所述半導體器件包括：

半導體襯底，所述半導體襯底包括第一器件區域和第二器件區域；

鰭片，形成于所述第一器件區域和所述第二器件區域中；

柵極結構，環繞所述鰭片設置；

間隙壁，位于所述柵極結構的側壁上；

第一抬升源漏，位于所述第一器件區域中的所述柵極結構的兩側；

凹槽，形成于所述第二器件區域中的所述柵極結構兩側的所述鰭片上；

第二抬升源漏，位于所述第二器件區域中的所述柵極結構兩側的所述凹槽中。

12.根據權利要求11所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件還包括：

接觸結構，分別位于所述第一抬升源漏和所述第二抬升源漏上并與所述第一抬升源漏和所述第二抬升源漏電連接。

13.一種電子裝置，其特征在于，所述電子裝置包括權利要求11或12所述的半導體器件。