[發明專利]半導體裝置封裝及其制造方法

有效

• 申請號: 201710440385.7
• 申請日: 2017-06-12
• 公開（公告）號: CN109037167B
• 公開（公告）日: 2020-08-28
• 發明（設計）人: 林季民;廖明文;黃俊穎
• 申請（專利權）人: 環旭電子股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/60
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 李琳

1.一種半導體裝置封裝，其包括：

襯底；

至少一個組件，其位于所述襯底的表面上；

封裝本體，其包封所述至少一個組件；

電磁干擾EMI屏蔽，其適形地形成在所述封裝本體上；及

導電柱，其貫穿所述封裝本體以將所述電磁干擾EMI屏蔽電連接至所述襯底的接地電觸點；

其中所述導電柱安置于所述半導體裝置封裝內電場最強的區域或其鄰近處。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置封裝，其中所述導電柱安置于所述組件的鄰近處。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置封裝，其中所述導電柱經安置以將所述半導體裝置封裝內的共振頻率移至所述半導體裝置封裝的操作頻率或其倍頻外。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置封裝，進一步包括復數個導電柱，其彼此分離并分別貫穿所述封裝本體以將所述電磁干擾EMI屏蔽電連接至所述襯底的接地電觸點。

5.根據權利要求3所述的半導體裝置封裝，其中所述導電柱的數量經選擇以將所述半導體裝置封裝內的共振頻率移至所述半導體裝置封裝的操作頻率或其倍頻外。

6.根據權利要求3所述的半導體裝置封裝，其中所述導電柱的數量為2-4個。

7.根據權利要求6所述的半導體裝置封裝，其中所述導電柱間的間距為八分之一個共振波長到二分之一個共振波長。

8.一種于半導體裝置封裝內形成導電柱的方法，其包括：

(a)測量或仿真所述半導體裝置封裝內的共振頻率；

(b)測量或仿真所述半導體裝置封裝內電場的分布情況；及

(c)將所述導電柱形成于所述半導體裝置封裝內電場最強的區域或鄰近電場最強的區域；

其中，所述半導體裝置封裝包括襯底、位于所述襯底的表面上的組件、包封所述組件及導電柱的封裝本體及適形地形成在所述封裝本體上的電磁干擾EMI屏蔽，其中所述導電柱將所述電磁干擾EMI屏蔽電連接至所述襯底的接地電觸點。

9.根據權利要求8所述的方法，其中操作(c)進一步包含判定所述半導體裝置封裝內電場最強的區域是否已安置所述組件。

10.根據權利要求9所述的方法，其中若所述半導體裝置封裝內電場最強的區域未安置所述組件，則將所述導電柱形成于所述半導體裝置封裝內電場最強的區域。

11.根據權利要求9所述的方法，其中若所述半導體裝置封裝內電場最強的區域已安置所述組件，則將所述導電柱形成于鄰近電場最強的區域。

12.根據權利要求8所述的方法，其中操作(a)進一步包括判定所述半導體裝置封裝內的共振頻率是否位于所述半導體裝置封裝內的操作頻率或倍頻內。

13.根據權利要求8所述的方法，其中于操作(c)完成后，進一步包括判定所述半導體裝置封裝內的共振頻率是否位于所述半導體裝置封裝內的操作頻率或倍頻內。

14.根據權利要求13所述的方法，其進一步包括若所述半導體裝置封裝內的共振頻率位于所述半導體裝置封裝內的操作頻率或倍頻內，則重復操作(b)及(c)直至所述半導體裝置封裝內的共振頻率移出所述半導體裝置封裝內的操作頻率或倍頻外。