[發明專利]陣列基板及其制作方法和顯示裝置在審
| 申請號: | 201710440207.4 | 申請日: | 2017-06-12 |
| 公開(公告)號: | CN107167972A | 公開(公告)日: | 2017-09-15 |
| 發明(設計)人: | 陳曉威 | 申請(專利權)人: | 昆山龍騰光電有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1362 | 分類號: | G02F1/1362 |
| 代理公司: | 上海波拓知識產權代理有限公司31264 | 代理人: | 蔡光仟 |
| 地址: | 215301 *** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 及其 制作方法 顯示裝置 | ||
技術領域
本發明涉及液晶顯示技術領域,特別涉及一種陣列基板及其制作方法和顯示裝置。
背景技術
液晶顯示模塊LCM(LCD Module)即LCD顯示模組或液晶模塊,是指將液晶顯示器件、連接件、控制與驅動等外圍電路、PCBA電路板、背光源等結構件裝配在一起的顯示組件。液晶顯示模塊主要包括背光模組和設置在背光模組上的顯示面板。顯示面板包括陣列基板、彩膜基板和設置于陣列基板與彩膜基板之間的液晶層。
圖1是現有的陣列基板的結構示意圖。如圖1所示,陣列基板30包括玻璃基板32和設置在玻璃基板32上的柵極33、柵極絕緣層34、有源層35,源極36、漏極37、絕緣層38和像素電極39。絕緣層38上設有露出漏極37的導通孔301,像素電極39通過導通孔301與漏極37電性連接。在TFT制程中,導通孔301的大小會影響整個陣列基板30的開口率,如果導通孔301過大,會降低陣列基板30的開口率;如果導通孔301過小,會增加漏極37與像素電極39的接觸阻抗,而接觸阻抗過大會影響產品的顯示品質,增加功耗,降低產品的可靠性。
發明內容
本發明的目的在于,提供了一種陣列基板,電極層與凹陷部的接觸面積增大,能有效降低接觸阻抗,有利于提高產品的顯示品質,同時降低產品功耗。
本發明解決其技術問題是采用以下的技術方案來實現的。
一種陣列基板,包括基板和設置在基板上的柵極、柵極絕緣層、有源層、源極、漏極、絕緣層和電極層,絕緣層上設有露出漏極的導通孔,電極層通過導通孔與漏極電性連接,柵極絕緣層上設有凹槽,漏極上設有與凹槽對應的凹陷部,電極層通過導通孔與漏極的凹陷部電性連接。
在本發明的較佳實施例中,上述凹槽呈弧形;凹陷部呈弧形。
在本發明的較佳實施例中,上述柵極絕緣層的厚度為300nm~500nm。
在本發明的較佳實施例中,上述凹槽的深度等于柵極絕緣層厚度的1/2~2/3。
本發明的另一目的在于,提供了一種陣列基板的制作方法,電極層與凹陷部的接觸面積增大,能有效降低接觸阻抗,有利于提高產品的顯示品質,同時降低產品功耗。
一種陣列基板的制作方法,該陣列基板的制作方法的步驟包括:
提供基板,在基板上依次形成柵極、柵極絕緣層、有源層、源極、漏極、絕緣層和電極層,其中絕緣層上設有露出漏極的導通孔,柵極絕緣層上設有凹槽,漏極上設有與凹槽對應的凹陷部,電極層通過導通孔與漏極的凹陷部電性連接。
在本發明的較佳實施例中,在柵極絕緣層上形成凹槽的步驟包括:
在柵極絕緣層上涂布光阻層,并以一道光罩圖案對光阻層進行曝光、顯影,形成光阻層圖案;然后以形成的光阻層圖案為遮罩對柵極絕緣層進行干蝕刻形成凹槽。
在本發明的較佳實施例中,在柵極絕緣層上形成凹槽的步驟還包括:
在柵極絕緣層上涂布光阻層后進行減壓干燥,增加底壓和時間,然后對光阻層進行軟烤和硬烤,在軟烤時降低軟烤溫度,在硬烤時升高硬烤溫度,通過曝光、顯影形成光阻層圖案,其中光阻層上形成多個開口,光阻層的厚度向著開口軸線的方向逐漸降低;然后以形成的光阻層圖案為遮罩對柵極絕緣層進行干蝕刻形成凹槽。
在本發明的較佳實施例中,上述凹槽呈弧形;凹陷部呈弧形。
在本發明的較佳實施例中,上述凹槽的深度等于柵極絕緣層厚度的1/2~2/3。
本發明的另一目的在于,提供了一種顯示裝置,電極層與凹陷部的接觸面積增大,能有效降低接觸阻抗,有利于提高產品的顯示品質,同時降低產品功耗。
一種顯示裝置,包括上述的陣列基板。
本發明的陣列基板包括基板和設置在基板上的柵極、柵極絕緣層、有源層、源極、漏極、絕緣層和電極層,絕緣層上設有露出漏極的導通孔,電極層通過導通孔與漏極電性連接,柵極絕緣層上設有凹槽,漏極上設有與凹槽對應的凹陷部,電極層通過導通孔與漏極的凹陷部電性連接。本發明的電極層與凹陷部的接觸面積增大,能有效降低電極層與凹陷部的接觸阻抗,有利于提高產品的顯示品質,同時降低了產品功耗。
上述說明僅是本發明技術方案的概述,為了能夠更清楚了解本發明的技術手段,而可依照說明書的內容予以實施,并且為了讓本發明的上述其他目的、特征和優點能夠更明顯易懂,以下特舉較佳實施例,并配合附圖,詳細說明。
附圖說明
圖1是現有的陣列基板的結構示意圖。
圖2是本發明的陣列基板的結構示意圖。
圖3a至圖3g是本發明的陣列基板的制作方法的流程示意圖。
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