[發明專利]支撐臺、改善晶圓或外延生長晶圓表面的頂針痕跡的方法

有效

• 申請號: 201710439022.1
• 申請日: 2017-06-12
• 公開（公告）號: CN109037136B
• 公開（公告）日: 2021-10-26
• 發明（設計）人: 王燕;王華杰;保羅·邦凡蒂
• 申請（專利權）人: 上海新昇半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L21/687
• 分類號: H01L21/687;C30B25/12
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 余昌昊

本發明提供一種支撐臺、改善晶圓或外延生長晶圓表面的頂針痕跡的方法，所述支撐臺包括基座、頂針和涂層，所述基座設有多個開孔，所述頂針的數量與所述開孔的數量相同，所述頂針對應設置在所述開孔中用于支撐晶圓，所述涂層涂覆于所述開孔中。本發明提供的支撐臺、改善晶圓或外延生長晶圓表面的頂針痕跡的方法，所述支撐臺包括基座和頂針，由所述基座的開孔中的頂針來支撐晶圓，由于所述開孔中具有涂層，可減少頂針與開孔之間的間隙，改善由于工藝氣體經由開孔形成的頂針痕跡，使得晶圓表面的頂針痕跡的高度減小，從而可降低頂針痕跡對產品質量的影響。

技術領域

本發明涉及半導體制造技術領域，尤其涉及一種支撐臺、改善晶圓或外延生長晶圓表面的頂針痕跡的方法。

背景技術

隨著半導體制造技術的不斷發展，晶圓的特征尺寸已進入納米時代，這也對晶圓的制造工藝提出更高的要求。支撐臺在半導體制造中經常會被用來支撐晶圓，例如，支撐臺廣泛應用于外延生長工藝中，其對于支撐的晶圓的質量會產生一定的影響。

如圖1所示，在現有技術中的外延生長工藝中，支撐臺通常采用基座1與頂針2對晶圓3進行支撐，從而在晶圓3上形成外延層，然而在晶圓表面的頂針痕跡4是外延生長工藝中常見的問題，頂針痕跡4產生的高度差可能嚴重影響晶圓3表面的電氣性能，為了最佳的實現將晶圓制成芯片，需要在生產過程中保證晶圓極端平整的表面，從而保證生產出來的芯片的質量。

因此，如何改善晶圓表面的頂針痕跡的問題是本領域技術人員亟待解決的一個技術問題。

發明內容

本發明的目的在于提供一種支撐臺、改善晶圓或外延生長晶圓表面的頂針痕跡的方法，改善晶圓表面的頂針痕跡的問題。

為了解決上述問題，本發明提供一種支撐臺，所述支撐臺包括基座、頂針和涂層，所述基座設有多個開孔，所述頂針的數量與所述開孔的數量相同，所述頂針對應設置在所述開孔中用于支撐晶圓，所述涂層涂覆于所述開孔中。

可選的，在所述支撐臺中，所述涂層的厚度在3um以上。

可選的，在所述支撐臺中，所述涂層為硅層。

可選的，在所述支撐臺中，所述開孔與所述頂針的數量均為三個，三個所述開孔在所述基座上呈三角形排布。

本發明還包括一種改善晶圓表面的頂針痕跡的方法，所述改善晶圓表面的頂針痕跡的方法包括：

提供一支撐臺，所述支撐臺包括基座和多個頂針，所述基座設有多個開孔，所述頂針對應設置在所述開孔中用于支撐晶圓；

對所述支撐臺進行涂層工藝，使所述開孔中形成涂層；

采用經過涂層工藝后的支撐臺對待處理晶圓進行支撐。

可選的，在所述改善晶圓表面的頂針痕跡的方法，所述涂層的厚度在3um以上。

可選的，在所述改善晶圓表面的頂針痕跡的方法，所述涂層工藝采用的材料包括三氯氫硅、硅烷或二氯硅烷以及氫氣。

可選的，在所述改善晶圓表面的頂針痕跡的方法，在所述涂層工藝中，所述三氯氫硅的流量為14slm～25slm，所述氫氣的流量為20slm～70slm。

可選的，在所述改善晶圓表面的頂針痕跡的方法，所述三氯氫硅的純度在99.99％以上。

可選的，在所述改善晶圓表面的頂針痕跡的方法，所述涂層的厚度在3um以上。

可選的，在所述改善晶圓表面的頂針痕跡的方法，所述涂層工藝的溫度條件為：1100℃～1150℃。

可選的，在所述改善晶圓表面的頂針痕跡的方法，所述涂層工藝的執行時間在20s以上。

可選的，在所述改善晶圓表面的頂針痕跡的方法，還包括：在進行所述涂層工藝前，對所述支撐臺進行刻蝕工藝。