[發(fā)明專利]支撐臺(tái)、改善晶圓或外延生長晶圓表面的頂針痕跡的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710439022.1
• 申請(qǐng)日: 2017-06-12
• 公開（公告）號(hào): CN109037136B
• 公開（公告）日: 2021-10-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王燕;王華杰;保羅·邦凡蒂
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海新昇半導(dǎo)體科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/687
• 分類號(hào): H01L21/687;C30B25/12
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 余昌昊

1.一種支撐臺(tái)，其特征在于，所述支撐臺(tái)包括：

基座，所述基座設(shè)有多個(gè)開孔；

頂針，所述頂針的數(shù)量與所述開孔的數(shù)量相同，所述頂針對(duì)應(yīng)設(shè)置在所述開孔中用于支撐晶圓；

涂層，所述涂層涂覆于所述開孔中；其中，所述涂層為硅層，且所述涂層的厚度在3um以上。

2.如權(quán)利要求1所述的支撐臺(tái)，其特征在于，所述開孔與所述頂針的數(shù)量均為三個(gè)，三個(gè)所述開孔在所述基座上呈三角形排布。

3.一種改善晶圓表面的頂針痕跡的方法，其特征在于，所述改善晶圓表面的頂針痕跡的方法包括：

提供一支撐臺(tái)，所述支撐臺(tái)包括基座和多個(gè)頂針，所述基座設(shè)有多個(gè)開孔，所述頂針對(duì)應(yīng)設(shè)置在所述開孔中用于支撐晶圓；

對(duì)所述支撐臺(tái)進(jìn)行涂層工藝，使所述開孔中形成涂層；

采用經(jīng)過涂層工藝后的支撐臺(tái)對(duì)待處理晶圓進(jìn)行支撐；

其中，所述涂層為硅層，且所述涂層的厚度在3um以上。

4.如權(quán)利要求3所述改善晶圓表面的頂針痕跡的方法，其特征在于，所述涂層工藝采用的材料包括三氯氫硅、硅烷或二氯硅烷以及氫氣。

5.如權(quán)利要求4所述改善晶圓表面的頂針痕跡的方法，其特征在于，在所述涂層工藝中，所述三氯氫硅的流量為14slm～25slm，所述氫氣的流量為20slm～70slm。

6.如權(quán)利要求4所述改善晶圓表面的頂針痕跡的方法，其特征在于，所述三氯氫硅的純度在99.99％以上。

7.如權(quán)利要求5或6所述改善晶圓表面的頂針痕跡的方法，其特征在于，所述涂層工藝的溫度條件為：1100℃～1150℃。

8.如權(quán)利要求5或6所述改善晶圓表面的頂針痕跡的方法，其特征在于，所述涂層工藝的執(zhí)行時(shí)間在20s以上。

9.如權(quán)利要求3所述改善晶圓表面的頂針痕跡的方法，其特征在于，所述改善晶圓表面的頂針痕跡的方法還包括：

在進(jìn)行所述涂層工藝前，對(duì)所述支撐臺(tái)進(jìn)行刻蝕工藝。

10.一種改善外延生長晶圓表面的頂針痕跡的方法，其特征在于，所述改善外延生長晶圓表面的頂針痕跡的方法包括：

提供一支撐臺(tái)，所述支撐臺(tái)包括基座和多個(gè)頂針，所述基座設(shè)有多個(gè)開孔，所述頂針對(duì)應(yīng)設(shè)置在所述開孔中用于支撐晶圓；

對(duì)所述支撐臺(tái)進(jìn)行涂層工藝，使所述開孔中形成涂層；

采用經(jīng)過涂層工藝后的支撐臺(tái)對(duì)待處理晶圓進(jìn)行支撐；

對(duì)所述待處理晶圓進(jìn)行外延生長工藝形成外延層；

其中，所述涂層為硅層，且所述涂層的厚度在3um以上。

11.如權(quán)利要求10所述改善外延生長晶圓表面的頂針痕跡的方法，其特征在于，所述晶圓為P型晶圓或N型晶圓。

12.如權(quán)利要求10所述改善外延生長晶圓表面的頂針痕跡的方法，其特征在于，所述外延層的厚度為1um～10um，所述外延層的電導(dǎo)率為8Ωcm～12Ωcm。