[發明專利]半導體裝置及其隔離區塊的制造方法

在審

• 申請號: 201710438898.4
• 申請日: 2017-06-12
• 公開（公告）號: CN109037142A
• 公開（公告）日: 2018-12-18
• 發明（設計）人: 陳立哲
• 申請（專利權）人: 世界先進積體電路股份有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762;H01L21/768;H01L23/528
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 郭曉宇

1.一種半導體裝置的隔離區塊的制造方法，其特征在于，包括：

提供一半導體基底；

實施一刻蝕工藝，在該半導體基底內形成多個互相平行的溝槽，其中該些溝槽之間具有多個條狀結構，該些條狀結構與該些溝槽在該半導體基底中占據一第一區，且該些條狀結構與該些溝槽交錯排列；以及

實施一熱氧化工藝，使得該些條狀結構氧化形成多個氧化部，其中該些氧化部延伸至該些溝槽中且互相連接以在該半導體基底中形成一隔離區塊。

2.如權利要求1所述的半導體裝置的隔離區塊的制造方法，其特征在于，該隔離區塊的面積大于該第一區的面積。

3.如權利要求1所述的半導體裝置的隔離區塊的制造方法，其特征在于，該些氧化部的其中一者的體積為該些條狀結構的其中一者的體積的兩倍以上。

4.如權利要求1所述的半導體裝置的隔離區塊的制造方法，其特征在于，實施該熱氧化工藝以將該半導體基底的側壁及該些溝槽的底部氧化。

5.如權利要求1所述的半導體裝置的隔離區塊的制造方法，其特征在于，該隔離區塊的頂面高于該半導體基底的頂面。

6.如權利要求1所述的半導體裝置的隔離區塊的制造方法，其特征在于，該些溝槽的其中一者的寬度等于該些條狀結構的其中一者的寬度。

7.如權利要求1所述的半導體裝置的隔離區塊的制造方法，其特征在于，更包括：

在實施該熱氧化工藝之前，在該半導體基底上形成一遮蔽層，且該遮蔽層暴露出該第一區。

8.如權利要求7所述的半導體裝置的隔離區塊的制造方法，其特征在于，該遮蔽層暴露出的面積大于該第一區的面積。

9.如權利要求1所述的半導體裝置的隔離區塊的制造方法，其特征在于，該隔離區塊中具有一空隙。

10.如權利要求9所述的半導體裝置的隔離區塊的制造方法，其特征在于，更包括：

在該隔離區塊上形成一氧化層，其中該空隙延伸至該隔離區塊的頂面，且該氧化層密封該空隙；以及

在該氧化層上實施一平坦化工藝，該平坦化工藝未暴露出該空隙。

11.一種具有高壓隔離區塊的半導體裝置的制造方法，其特征在于，包括：

提供一半導體基底；

在該半導體基底內形成一高壓隔離區塊；

在該半導體基底上形成一第一金屬區塊和一第四金屬區塊，其中該第一金屬區塊為一第一高壓元件的導電墊，且該第四金屬區塊為一第二高壓元件的導電墊；

在該高壓隔離區塊上形成一第二金屬區塊和一第三金屬區塊，其中該第一、二、三和四金屬區塊由同一金屬層形成；以及

在該第一、二、三和四金屬區塊上形成一內連線結構，其中該第一金屬區塊與該第二金屬區塊通過該內連線結構電連接，且該第三金屬區塊與該第四金屬區塊通過該內連線結構電連接。

12.如權利要求11所述的具有高壓隔離區塊的半導體裝置的制造方法，其特征在于，形成該高壓隔離區塊的步驟更包括：

實施一刻蝕工藝，在該半導體基底內形成多個互相平行的溝槽，其中該些溝槽之間具有多個條狀結構，該些條狀結構與該些溝槽在該半導體基底中占據一第一區，且該些條狀結構與該些溝槽交錯排列；以及

實施一熱氧化工藝，使得該些條狀結構氧化形成多個氧化部，其中該些氧化部延伸至該些溝槽中且互相連接，以在該半導體基底中形成一高壓隔離區塊。

13.如權利要求12所述的具有高壓隔離區塊的半導體裝置的制造方法，其特征在于，該高壓隔離區塊的面積大于該第一區的面積。

14.如權利要求12所述的具有高壓隔離區塊的半導體裝置的制造方法，其特征在于，該些溝槽的其中一者的寬度等于該些條狀結構的其中一者的寬度。