[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710438836.3
• 申請日: 2017-06-12
• 公開（公告）號: CN107622994A
• 公開（公告）日: 2018-01-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張守仁;普翰屏;黃啟銘;潘信瑜;吳凱強;許森貴;萬厚德
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/58
• 分類號: H01L23/58
• 代理公司: 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司72003
• 代理人: 馮志云,王芝艷

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明實施例關(guān)于一種半導(dǎo)體技術(shù)，且特別是關(guān)于一種半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)及其制造方法。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體集成電路(IC)工業(yè)已經(jīng)經(jīng)歷了快速增長。IC材料和設(shè)計中的技術(shù)進展已經(jīng)產(chǎn)生了多代IC。每一代IC都比前一代IC具有更小和更復(fù)雜的電路。然而，這些進展也已增加處理和制造IC的復(fù)雜度。

在IC演進的過程中，功能密度(即，每芯片面積的內(nèi)連裝置的數(shù)量)普遍增大，而幾何尺寸(即，可以使用制造制程產(chǎn)生的最小部件(或線))卻減小。這種按比例縮小制程通常因生產(chǎn)效率提高及相關(guān)成本降低而帶來了益處。

然而，由于特征部件(feature)尺寸不斷減小，因而使相鄰裝置之間的距離縮小。因此，在尺寸越來越小的情形下形成可靠的半導(dǎo)體裝置成為了一種挑戰(zhàn)。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)一些實施例，提供一種半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)包括一第一裝置。半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)包括一導(dǎo)電部件位于第一裝置上方。半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)包括一第一導(dǎo)電遮蔽層位于第一裝置與導(dǎo)電部件之間。第一導(dǎo)電遮蔽層具有多個開口，且開口的最大寬度小于第一裝置所產(chǎn)生的能量的波長。

根據(jù)一些實施例，本揭露提供一種半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)包括一裝置。半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)包括一導(dǎo)電部件位于裝置上方。半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)包括一第一導(dǎo)電遮蔽層位于裝置與導(dǎo)電部件之間，第一導(dǎo)電遮蔽層具有多個第一開口。半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)包括一第二導(dǎo)電遮蔽層位于裝置下方，裝置位于第一導(dǎo)電遮蔽層與第二導(dǎo)電遮蔽層之間，且第二導(dǎo)電遮蔽層具有多個第二開口。

根據(jù)一些實施例，本揭露提供一種半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)包括具有一第一開口的一基底。半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)包括一芯片位于第一開口內(nèi)，芯片結(jié)構(gòu)包括一裝置。半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)包括一第一導(dǎo)電遮蔽層位于第一開口上方以覆蓋芯片結(jié)構(gòu)。第一導(dǎo)電遮蔽層具有多個第二開口。半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)包括一導(dǎo)電部件位于第一導(dǎo)電遮蔽層上方。

附圖說明

圖1A繪示出根據(jù)一些實施例的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。

圖1B繪示出根據(jù)一些實施例的圖1A的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)中導(dǎo)電遮蔽層及裝置的上視圖。

圖1C繪示出根據(jù)一些實施例的圖1A的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)中導(dǎo)電遮蔽層及裝置的上視圖。

圖2A繪示出根據(jù)一些實施例的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。

圖2B繪示出根據(jù)一些實施例的圖2A的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)中導(dǎo)電遮蔽層及裝置的上視圖。

圖3繪示出根據(jù)一些實施例的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。

圖4A繪示出根據(jù)一些實施例的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。

圖4B繪示出根據(jù)一些實施例的圖4A的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)中導(dǎo)電遮蔽層及側(cè)邊遮蔽結(jié)構(gòu)的立體示意圖。

圖4C繪示出根據(jù)一些實施例的圖4A的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)中導(dǎo)電遮蔽層及側(cè)邊遮蔽結(jié)構(gòu)的分解示意圖。

圖4D繪示出根據(jù)一些實施例的圖4A的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)中導(dǎo)電遮蔽層及側(cè)邊遮蔽結(jié)構(gòu)的立體示意圖。

圖4E繪示出根據(jù)一些實施例的圖4A的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)中導(dǎo)電遮蔽層及側(cè)邊遮蔽結(jié)構(gòu)的分解示意圖。

圖5繪示出根據(jù)一些實施例的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。

圖6繪示出根據(jù)一些實施例的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。

圖7繪示出根據(jù)一些實施例的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。

圖8繪示出根據(jù)一些實施例的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。

圖9繪示出根據(jù)一些實施例的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。

圖10繪示出根據(jù)一些實施例的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。

圖11繪示出根據(jù)一些實施例的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。

【符號說明】

100、200、300、400、500、600、700、800、900、1000、1100 半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)

110 芯片結(jié)構(gòu)

111 芯片

112、113、140 裝置

114 介電層

115、134、176b、914、1124、1134 接線層

116、136a、136b、136c、136d、176c、916、1126、1136、V1、V2、V3、V4 導(dǎo)電介層連接結(jié)構(gòu)

117、138、172、1128 接墊

120 模塑層

130、176、910、1120、1130 接線結(jié)構(gòu)

132、176a、912、1122、1132 絕緣層

142 上表面