[發明專利]銅系金屬膜的蝕刻液組合物及其應用

有效

• 申請號: 201710438196.6
• 申請日: 2017-06-07
• 公開（公告）號: CN107475716B
• 公開（公告）日: 2021-07-09
• 發明（設計）人: 梁承宰;樸升煜;田玹守
• 申請（專利權）人: 東友精細化工有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 金鮮英;宋海花

本發明提供銅系金屬膜的蝕刻液組合物及其應用。上述銅系金屬膜的蝕刻液組合物相對于組合物總重量包含過氧化氫5～25重量％、含氟化合物0.01～1.0重量％、環狀胺化合物0.1～5重量％、磷酸氫鈉0.1～5.0重量％、一個分子內具有氮原子和羧基的水溶性化合物0.1～5.0重量％、多元醇型表面活性劑0.1～5.0重量％和余量的水，上述銅系金屬膜的蝕刻液組合物對于銅系金屬膜的微細圖案可形成指數為大于0且小于2.0，其中，對于銅系金屬膜的微細圖案可形成指數＝側蝕厚度/銅系金屬膜的厚度。

技術領域

本發明涉及銅系金屬膜的蝕刻液組合物及使用其的顯示裝置用陣列基板的制造方法、觸摸傳感器基板的制造方法和銅系金屬膜的蝕刻方法。

背景技術

半導體裝置中，在基板上形成金屬配線的過程通常包括利用如下工序的步驟：利用濺射等的金屬膜形成工序；利用光致抗蝕劑涂覆、曝光及顯影的選擇性區域中的光致抗蝕劑形成工序；及蝕刻工序，并且包括在個別單元工序前后的清洗工序等。這樣的蝕刻工序是指，將光致抗蝕劑作為掩模，在選擇性區域中留下金屬膜的工序，通常使用利用等離子體等的干式蝕刻或利用蝕刻液組合物的濕式蝕刻。

這樣的半導體裝置中，近年來主要關注金屬配線的電阻。這是因為，電阻是誘發RC信號延遲的主要因素，特別是薄膜晶體管液晶顯示器(thin film transistor-liquidcrystal display，TFT-LCD)的情況下，其決定了面板大小增大和高分辨率實現。因此，為了實現TFT-LCD的大型化中所必要的RC信號延遲的減小，必須開發低電阻物質。因此，實際情況是，以往主要使用的鉻(Cr，電阻率：12.7×10^-8Ωm)、鉬(Mo，電阻率：5×10^-8Ωm)、鋁(Al，電阻率：2.65×10^-8Ωm)及它們的合金難以用于大型TFT LCD中所使用的柵極配線和數據配線等。

在這樣的背景下，作為新的低電阻金屬膜，高度關注銅膜和銅鉬膜等的銅系金屬膜及其蝕刻液組合物。但是，針對銅系金屬膜的蝕刻液組合物的情況下，目前多種已被使用，但實際情況是，無法滿足使用者所要求的性能。

因此，對于如下蝕刻液組合物的要求正在增加：當蝕刻由銅系金屬膜構成的單層或多層金屬層時，可以一并蝕刻且形成圖案，沒有蝕刻后的銅系金屬膜的界面變形，形成直線性優異的錐角輪廓，因不產生殘渣而不發生電短路或配線的不良、亮度的減小等問題。

現有技術文獻

專利文獻

韓國公開專利公報第10-2010-0090538號(公開日：2010年08月16日，名稱：液晶顯示裝置用陣列基板的制造方法)

發明內容

所要解決的課題

本發明的目的在于，提供一種蝕刻液組合物，其在銅系金屬層的濕式蝕刻時根據對于銅系金屬膜(比如，銅、銅合金、鉬、鉬合金)的微細圖案可形成指數能夠形成微細圖案或厚膜圖案。

此外，本發明的目的在于，提供一種銅系金屬膜的蝕刻液組合物，其能夠進行構成薄膜晶體管顯示裝置的薄膜晶體管(Thin film transistor，TFT)的柵電極和柵極配線以及源電極/漏電極和數據配線的一并蝕刻。

此外，本發明的目的在于，提供一種銅系金屬膜的蝕刻方法，其使用與上述相同的銅系金屬膜的蝕刻液組合物。

此外，本發明的目的在于，提供一種顯示裝置用陣列基板的制造方法，其使用與上述相同的銅系金屬膜的蝕刻液組合物。

此外，本發明的目的在于，提供一種觸摸傳感器基板的制造方法，其使用與上述相同的銅系金屬膜的蝕刻液組合物。

解決課題的方法