[發明專利]銅系金屬膜的蝕刻液組合物及其應用

有效

• 申請號: 201710438196.6
• 申請日: 2017-06-07
• 公開（公告）號: CN107475716B
• 公開（公告）日: 2021-07-09
• 發明（設計）人: 梁承宰;樸升煜;田玹守
• 申請（專利權）人: 東友精細化工有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 金鮮英;宋海花

1.一種顯示裝置用陣列基板的制造方法，其特征在于，包括：

在基板上形成柵極配線的步驟；

在包含所述柵極配線的基板上形成柵極絕緣層的步驟；

在所述柵極絕緣層上形成半導體層的步驟；

在所述半導體層上形成源電極和漏電極的步驟；及

形成與所述漏電極連接的像素電極的步驟，

所述在基板上形成柵極配線的步驟包括在基板上形成銅系金屬膜后，利用銅系金屬膜的蝕刻液組合物來蝕刻所述銅系金屬膜而形成柵極配線的步驟，

所述在所述半導體層上形成源電極和漏電極的步驟包括形成銅系金屬膜后，利用銅系金屬膜的蝕刻液組合物來蝕刻所述銅系金屬膜而形成源電極和漏電極的步驟，

所述銅系金屬膜的蝕刻液組合物相對于組合物總重量包含過氧化氫5 ~ 25重量%、含氟化合物0.01 ~ 1.0重量%、環狀胺化合物0.1 ~ 5重量%、磷酸氫鈉0.1 ~ 5.0重量%、一個分子內具有氮原子和羧基的水溶性化合物0.1 ~ 5.0重量%、多元醇型表面活性劑0.1 ~5.0重量%、乙酸鈉0.5 ~ 10.0重量%和余量的水，所述環狀胺化合物為5-甲基-1H-四唑，所述銅系金屬膜的蝕刻液組合物對于銅系金屬膜的微細圖案可形成指數為大于0且小于1.0，其中，對于銅系金屬膜的微細圖案可形成指數 = 側蝕厚度/銅系金屬膜的厚度。

2.根據權利要求1所述的顯示裝置用陣列基板的制造方法，其特征在于，所述顯示裝置用陣列基板為薄膜晶體管陣列基板。

3.根據權利要求1所述的顯示裝置用陣列基板的制造方法，其特征在于，所述銅系金屬膜為包含鉬層和形成于所述鉬層上的銅層的銅鉬膜、或包含鉬合金層和形成于所述鉬合金層上的銅層的銅鉬合金膜。

4.一種觸摸傳感器基板的制造方法，其特征在于，包括：

在基板上形成柵極配線的步驟；

在包含所述柵極配線的基板上形成柵極絕緣層的步驟；

在所述柵極絕緣層上形成半導體層的步驟；

在所述半導體層上形成源電極和漏電極的步驟；

形成與所述漏電極連接的像素電極的步驟；及

形成觸摸傳感器配線的步驟，

所述在基板上形成柵極配線的步驟包括在基板上形成銅系金屬膜后，利用銅系金屬膜的蝕刻液組合物來蝕刻所述銅系金屬膜而形成柵極配線的步驟，

所述在所述半導體層上形成源電極和漏電極的步驟包括形成銅系金屬膜后，利用銅系金屬膜的蝕刻液組合物來蝕刻所述銅系金屬膜而形成源電極和漏電極的步驟，

所述銅系金屬膜的蝕刻液組合物相對于組合物總重量包含過氧化氫5 ~ 25重量%、含氟化合物0.01 ~ 1.0重量%、環狀胺化合物0.1 ~ 5重量%、磷酸氫鈉0.1 ~ 5.0重量%、一個分子內具有氮原子和羧基的水溶性化合物0.1 ~ 5.0重量%、多元醇型表面活性劑0.1 ~5.0重量%、乙酸鈉0.5 ~ 10.0重量%和余量的水，所述環狀胺化合物為5-甲基-1H-四唑，所述銅系金屬膜的蝕刻液組合物對于銅系金屬膜的微細圖案可形成指數為大于0且小于1.0，其中，對于銅系金屬膜的微細圖案可形成指數 = 側蝕厚度/銅系金屬膜的厚度。

5.一種銅系金屬膜的蝕刻液組合物，其特征在于，相對于組合物總重量，包含：

過氧化氫5 ~ 25重量%、

含氟化合物0.01 ~ 1.0重量%、

環狀胺化合物0.1 ~ 5重量%、

磷酸氫鈉0.1 ~ 5.0重量%、

一個分子內具有氮原子和羧基的水溶性化合物0.1 ~ 5.0重量%、

多元醇型表面活性劑0.1 ~ 5.0重量%、

乙酸鈉0.5 ~ 10.0重量%、和

余量的水，

所述環狀胺化合物為5-甲基-1H-四唑，

所述組合物對于銅系金屬膜的微細圖案可形成指數為大于0且小于1.0，其中，對于銅系金屬膜的微細圖案可形成指數 = 側蝕厚度/銅系金屬膜的厚度。