[發明專利]一種陣列基板及其制作方法、顯示面板、顯示裝置有效
| 申請號: | 201710437796.0 | 申請日: | 2017-06-12 |
| 公開(公告)號: | CN107170761B | 公開(公告)日: | 2020-03-24 |
| 發明(設計)人: | 宮奎;段獻學;白明基 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;合肥京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭潤湘 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 陣列 及其 制作方法 顯示 面板 顯示裝置 | ||
1.一種陣列基板的制作方法,包括在襯底基板上依次制作薄膜晶體管和鈍化層的方法,其特征在于,該方法還包括:
在所述鈍化層上依次形成反射層和透明導電層;所述反射層通過貫穿所述鈍化層的過孔與所述薄膜晶體管的源極或漏極電連接,所述透明導電層包括若干金屬離子;
在還原性氣體的工作環境中,采用等離子體增強化學氣相沉積設備對所述透明導電層進行等離子體處理,使得所述透明導電層包括的所述金屬離子被還原出來,形成一金屬顆粒層;所述金屬顆粒層的厚度為所述透明導電層的厚度的1/10到1/5;
對完成上述步驟的所述透明導電層和所述反射層進行構圖工藝,形成像素電極;
其中,在采用所述等離子體增強化學氣相沉積設備對所述透明導電層進行等離子體處理的過程中,減小所述等離子體增強化學氣相沉積設備中下部電極的功率。
2.根據權利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述還原性氣體為氫氣、氯氣、一氧化碳、硫化氫、溴化氫、甲烷、二氧化硫中的任一種氣體。
3.根據權利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述在所述鈍化層上依次形成反射層和透明導電層,包括:
通過磁控濺射的方式,在所述鈍化層上依次沉積一層金屬層和一層透明導電層。
4.根據權利要求3所述的制作方法,其特征在于,所述透明導電層為氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅中的任一種或任意組合。
5.一種采用權利要求1-4任一項所述的制作方法制作形成的陣列基板,包括依次位于襯底基板上的薄膜晶體管和鈍化層,其特征在于,還包括位于所述鈍化層上的反射層和位于所述反射層上的透明導電層,所述透明導電層包括由若干金屬顆粒形成的金屬顆粒層。
6.根據權利要求5所述的陣列基板,其特征在于,所述金屬顆粒層的厚度為所述透明導電層的厚度的1/10到1/5。
7.一種顯示面板,其特征在于,包括權利要求5或權利要求6所述的陣列基板。
8.一種顯示裝置,其特征在于,包括權利要求7所述的顯示面板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





