[發明專利]電容陣列結構有效
| 申請號: | 201710437255.8 | 申請日: | 2017-06-12 |
| 公開(公告)號: | CN109037211B | 公開(公告)日: | 2020-10-16 |
| 發明(設計)人: | 籃子為;方偉憲;莊志禹 | 申請(專利權)人: | 揚智科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/08 | 分類號: | H01L27/08;H01L23/64 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 胡林嶺 |
| 地址: | 中國臺灣*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電容 陣列 結構 | ||
1.一種電容陣列結構,其特征在于,包括:
N個電容單元,每一該些電容單元包含一上電極與一下電極,其中該些電容單元沿一第一軸向而相鄰排列而構成一電容列,且該些電容單元中的第i個電容單元包括:
一第一金屬層,包括該下電極的一第一圖案化金屬部;
一第二金屬層,配置于該第一金屬層上,包括該下電極的一第二圖案化金屬部與該上電極的一第一圖案化金屬部;以及
一第三金屬層,配置于該第二金屬層上,且包括該下電極的一第三圖案化金屬部、該下電極的一第四圖案化金屬部與該上電極的一第二圖案化金屬部,其中i為不大于N的正整數且N為正整數,
其中該下電極的該第二圖案金屬部具有一開口,該上電極的該第一圖案化金屬部的一側暴露在該開口,使該上電極的該第一圖案化金屬部的所述一側相鄰于第(i-1)個電容單元的下電極,
其中一第二軸向垂直于一基底所位于之平面,而該第一金屬層、該第二金屬層,以及該第三金屬層依序沿著該第二軸向而堆迭于該基底上方。
2.如權利要求1所述的電容陣列結構,其特征在于,其中該上電極的該第二圖案化金屬部的一長線型部與該下電極的該第三圖案化金屬部以及該下電極的該第四圖案化金屬部并列排列,且該長線型部的一側相鄰于第(i-1)個電容單元的下電極。
3.如權利要求1所述的電容陣列結構,其特征在于,其中該第一金屬層與該第二金屬層之間由介電材料隔開,該第二金屬層與該第三金屬層之間由該介電材料隔開。
4.如權利要求1所述的電容陣列結構,其特征在于,該下電極的該第一圖案化金屬部、該下電極的該第二圖案化金屬部、該下電極的該第三圖案化金屬部,以及該下電極的該第四圖案化金屬部經由多個第一連接通孔而電性連接,該上電極的該第一圖案化金屬部以及該上電極的該第二圖案化金屬部經由多個第二連接通孔而電性連接。
5.如權利要求1所述的電容陣列結構,其特征在于,其中每一該電容單元的該下電極與該上電極之間形成電容,且第i個電容單元的該上電極的該第一圖案化金屬部與第(i-1)個電容單元的下電極的該第二圖案化金屬部之間形成電容。
6.如權利要求1所述的電容陣列結構,其特征在于,其中該上電極的該第一圖案化金屬部被包夾于該下電極的該第一圖案化金屬部與該上電極的該第二圖案化金屬部的一長線型部之間,
其中該上電極的該第二圖案化金屬部相鄰設置于該下電極的該第三圖案化金屬部的一側,該上電極的該第二圖案化金屬部相鄰設置于該下電極的該第四圖案化金屬部的一側。
7.如權利要求1所述的電容陣列結構,其特征在于,其中該上電極的該第二圖案化金屬部包括一長線型部、一短線型部,以及多個連接部,該長線型部垂直于該短線型部,該短線型部與該長線型部相交于該長線型部的兩端之間的一交點上,
其中該些連接部分別位于該交點旁、該長線型部的所述兩端上,以及該短線型部的一端上。
8.如權利要求1所述的電容陣列結構,其特征在于,該下電極的該第二圖案化金屬部包括一第一線型部、一第二線型部以及一第三線型部,該第一線型部與該第三線型部平行設置,且該第一線型部與該第三線型部分別連接于該第二線型部的兩端,該開口形成于該第一線型部以及該第三線型部之間,該上電極的該第一金屬部呈現長條狀并位于該第一線型部以及該第三線型部之間。
9.如權利要求1所述的電容陣列結構,其特征在于,其中第i個電容單元更包括一第四金屬層,該第四金屬層配置于該第二金屬層與該第三金屬層之間,該第四金屬層包括該上電極的第三圖案化金屬部以及該下電極的第五圖案化金屬部。
10.如權利要求9所述的電容陣列結構,其特征在于,其中該上電極的該第三圖案化金屬部的上視圖案相同于該上電極的該第一圖案化金屬部,且該上電極的該第五圖案化金屬部的上視圖案相同于該下電極的該第二圖案化金屬部。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





