[發(fā)明專利]一種TFT基板及制作方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201710437147.0
• 申請日: 2017-06-09
• 公開（公告）號: CN107331668A
• 公開（公告）日: 2017-11-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王純陽
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙)44300
• 代理人: 黃威

【技術(shù)領(lǐng)域】

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種TFT基板及其制作方法。

【背景技術(shù)】

現(xiàn)有的顯示器主要包括有液晶顯示器和OLED顯示器。

其中，液晶顯示器具有機身薄、省電、無輻射等眾多優(yōu)點，得到了廣泛的應(yīng)用。現(xiàn)有市場上的液晶顯示器大部分為背光型液晶顯示器，其包括液晶面板及背光模組(Backlight Module)。液晶面板的工作原理是在兩片平行的玻璃基板當中放置液晶分子，并在兩片玻璃基板上施加驅(qū)動電壓來控制液晶分子的旋轉(zhuǎn)方向，以將背光模組的光線折射出來產(chǎn)生畫面。

其中，薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，TFT-LCD)由于具有低的功耗、優(yōu)異的畫面品質(zhì)以及較高的生產(chǎn)良率等性能，近年來得到了飛速的發(fā)展和廣泛的應(yīng)用。具體而言，TFT-LCD可視為兩片玻璃基板中間夾著一層液晶，上層的玻璃基板是彩色濾光片、下層的玻璃基板上設(shè)置有薄膜晶體管。當電流通過薄膜晶體管時，產(chǎn)生電場變化，電場的變化引起液晶分子偏轉(zhuǎn)，從而來改變光線的偏極性，而實現(xiàn)預(yù)期的顯示畫面。

在現(xiàn)有的TFT-LCD的TFT基板的制程工藝中，需要通過復(fù)雜的工藝制程才能完成。首先，需要經(jīng)過第一道光罩工藝在一基板上形成遮光圖案，遮光圖案的寬度與TFT的寬度相同，以實現(xiàn)遮光的目的。然后，再經(jīng)過第二道光罩工藝在基板上形成第一緩沖圖案、第二緩沖圖案及多晶硅圖案。最后再形成絕緣層、柵極圖案、源極圖案、漏極圖案、像素電極圖案等，以完成TFT基板的制作。但是，其工藝過程復(fù)雜，不僅增加生產(chǎn)成本，而且生產(chǎn)效率低。

其中，第一緩沖圖案覆蓋住遮光圖案，遮光圖案的寬度小于第一緩沖圖案的寬度，遮光圖案的寬度小于第二緩沖圖案的寬度，以及遮光圖案的寬度小于多晶硅圖案的寬度，并且多晶硅圖案、第二緩沖圖案及第一緩沖圖案分別在遮光圖案的正上方形成凸起結(jié)構(gòu)，在制程過程中有可能導(dǎo)致光焦點偏移，從而影響TFT基板的均一性。

【發(fā)明內(nèi)容】

本發(fā)明的一個目的在于提供一種TFT基板，其減少TFT基板的制程工藝，節(jié)省生產(chǎn)成本，提高生產(chǎn)效率；同時防止光焦點偏移，改善TFT基板的均一性。

本發(fā)明的另一個目的在于提供一種TFT基板的制作方法，其減少TFT基板的制程工藝，節(jié)省生產(chǎn)成本，提高生產(chǎn)效率；同時防止光焦點偏移，改善TFT基板的均一性。

為解決上述問題，本發(fā)明的優(yōu)選實施例提供了一種TFT基板，所述TFT基板包括基板、依次形成在基板上的遮光圖案、第一緩沖圖案、第二緩沖圖案和多晶硅圖案；

所述遮光圖案、所述第一緩沖圖案、所述第二緩沖圖案和所述多晶硅圖案通過同一光罩工序形成，所述遮光圖案、所述第一緩沖圖案、所述第二緩沖圖案和所述多晶硅圖案四者的圖案形狀相同，且呈U型結(jié)構(gòu)，以通過所述遮光圖案對所述第一緩沖圖案、所述第二緩沖圖案和所述多晶硅圖案進行遮光；

所述第一緩沖圖案、所述第二緩沖圖案和所述多晶硅圖案三者的表面平整，所述遮光圖案的寬度大于所述TFT基板中TFT的寬度。

在本發(fā)明優(yōu)選實施例的TFT基板中，所述遮光圖案包括第一端、第二端以及連接于所述第一端和所述第二端之間的連接端，所述第一端大于所述連接端與其連接的端部，所述第二端大于所述連接端與其連接的端部。

在本發(fā)明優(yōu)選實施例的TFT基板中，所述第一端和所述第二端的大小相等。

在本發(fā)明優(yōu)選實施例的TFT基板中，所述遮光層為金屬遮光層，所述第一緩沖層為氮化硅緩沖層，所述第二緩沖層為氧化硅緩沖層。

為解決上述問題，本發(fā)明的優(yōu)選實施例還提供了一種TFT基板的制作方法，所述TFT基板的制作方法包括以下步驟：

提供一基板；

在所述基板上形成遮光層；

在所述遮光層上形成第一緩沖層；

在所述第一緩沖層上形成第二緩沖層；

在所述第二緩沖層上形成多晶硅層；

通過同一光罩工序?qū)λ稣诠鈱印⑺龅谝痪彌_層、所述第二緩沖層和所述多晶硅層進行刻蝕，以一次性形成遮光圖案、第一緩沖圖案、第二緩沖圖案和多晶硅圖案，所述遮光圖案、所述第一緩沖圖案、所述第二緩沖圖案和所述多晶硅圖案四者的圖案形狀相同，且呈U型結(jié)構(gòu)，以通過所述遮光圖案對所述第一緩沖圖案、所述第二緩沖圖案和所述多晶硅圖案進行遮光；

所述第一緩沖圖案、所述第二緩沖圖案和所述多晶硅圖案三者的表面平整，所述遮光層的寬度大于所述TFT基板中TFT的寬度。