[發明專利]一種TFT基板及制作方法

在審

• 申請號: 201710437147.0
• 申請日: 2017-06-09
• 公開（公告）號: CN107331668A
• 公開（公告）日: 2017-11-07
• 發明（設計）人: 王純陽
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙)44300
• 代理人: 黃威

1.一種TFT基板，其特征在于，包括基板、依次形成在基板上的遮光圖案、第一緩沖圖案、第二緩沖圖案和多晶硅圖案；

所述遮光圖案、所述第一緩沖圖案、所述第二緩沖圖案和所述多晶硅圖案通過同一光罩工序形成，所述遮光圖案、所述第一緩沖圖案、所述第二緩沖圖案和所述多晶硅圖案四者的圖案形狀相同，且呈U型結構，以通過所述遮光圖案對所述第一緩沖圖案、所述第二緩沖圖案和所述多晶硅圖案進行遮光；

所述第一緩沖圖案、所述第二緩沖圖案和所述多晶硅圖案三者的表面平整，所述遮光圖案的寬度大于所述TFT基板中TFT的寬度。

2.根據權利要求1所述的TFT基板，其特征在于，所述遮光圖案包括第一端、第二端以及連接于所述第一端和所述第二端之間的連接端，所述第一端大于所述連接端與其連接的端部，所述第二端大于所述連接端與其連接的端部。

3.根據權利要求2所述的TFT基板，其特征在于，所述第一端和所述第二端的大小相等。

4.根據權利要求1所述的TFT基板，其特征在于，所述遮光層為金屬遮光層，所述第一緩沖層為氮化硅緩沖層，所述第二緩沖層為氧化硅緩沖層。

5.一種TFT基板的制作方法，

提供一基板；

在所述基板上形成遮光層；

在所述遮光層上形成第一緩沖層；

在所述第一緩沖層上形成第二緩沖層；

在所述第二緩沖層上形成多晶硅層；

通過同一光罩工序對所述遮光層、所述第一緩沖層、所述第二緩沖層和所述多晶硅層進行刻蝕，以一次性形成遮光圖案、第一緩沖圖案、第二緩沖圖案和多晶硅圖案，所述遮光圖案、所述第一緩沖圖案、所述第二緩沖圖案和所述多晶硅圖案四者的圖案形狀相同，且呈U型結構，以通過所述遮光圖案對所述第一緩沖圖案、所述第二緩沖圖案和所述多晶硅圖案進行遮光；

所述第一緩沖圖案、所述第二緩沖圖案和所述多晶硅圖案三者的表面平整，所述遮光層的寬度大于所述TFT基板中TFT的寬度。

6.根據權利要求5所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述遮光圖案包括第一端、第二端以及連接于所述第一端和所述第二端之間的連接端，所述第一端大于所述連接端與其連接的端部，所述第二端大于所述連接端與其連接的端部。

7.根據權利要求6所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述第一端和所述第二端的大小相等。

8.根據權利要求5所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述在所述第二緩沖層上形成多晶硅層的步驟包括：

在所述第二緩沖層上形成非晶硅層；

對所述非晶硅層進行激光退火，以形成所述多晶硅層。

9.根據權利要求5所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述通過光罩工序對所述遮光層、所述第一緩沖層、所述第二緩沖層和所述多晶硅層進行刻蝕，以一次性形成遮光圖案、第一緩沖圖案、第二緩沖圖案和多晶硅圖案的步驟包括：

通過曝光工藝對所述遮光層、所述第一緩沖層、所述第二緩沖層和所述多晶硅層進行曝光處理；

通過干蝕刻工藝對所述第一緩沖層、所述第二緩沖層和所述多晶硅層進行干蝕刻處理；

通過濕蝕刻工藝對所述遮光層進行濕蝕刻處理；

通過剝離工藝對所述多晶硅層上的光阻進行剝離處理，以一次性形成遮光圖案、第一緩沖圖案、第二緩沖圖案和多晶硅圖案。

10.根據權利要求5所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述遮光層為金屬遮光層，所述第一緩沖層為氮化硅緩沖層，所述第二緩沖層為氧化硅緩沖層。