[發明專利]發光二極管芯片的制造方法和發光二極管芯片有效
| 申請號: | 201710436981.8 | 申請日: | 2017-06-12 |
| 公開(公告)號: | CN107527986B | 公開(公告)日: | 2021-09-14 |
| 發明(設計)人: | 岡村卓 | 申請(專利權)人: | 株式會社迪思科 |
| 主分類號: | H01L33/58 | 分類號: | H01L33/58 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 李輝;喬婉 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光二極管 芯片 制造 方法 | ||
提供發光二極管芯片的制造方法和發光二極管芯片,得到充分的亮度。發光二極管芯片的制造方法具有如下工序:晶片準備工序,準備如下晶片:晶片在晶體成長用透明基板上具有層疊體層,在層疊體層的正面上由互相交叉的多條分割預定線劃分出的各區域中分別形成有LED電路,層疊體層形成有包含發光層在內的多個半導體層;晶片背面加工工序,在晶片的背面上與各LED電路對應地形成多個凹部或第1槽;透明基板加工工序,在透明基板的正面上與晶片的各LED電路對應地形成多個第2槽;一體化工序,將透明基板的正面粘貼在晶片的背面上而形成一體化晶片;和分割工序,沿著分割預定線將晶片與透明基板一起切斷而將一體化晶片分割成各個發光二極管芯片。
技術領域
本發明涉及發光二極管芯片的制造方法和發光二極管芯片。
背景技術
在藍寶石基板、GaN基板、SiC基板等晶體成長用基板的正面上形成有層疊體層,該層疊體層通過將n型半導體層、發光層和p型半導體層層疊多層而形成,在該層疊體層上在由交叉的多條分割預定線劃分出的區域內形成有多個LED(Light Emitting Diode:發光二極管)等發光器件的晶片被沿著分割預定線切斷而分割成各個發光器件芯片,分割得到的發光器件芯片被廣泛地應用在移動電話、個人計算機、照明設備等各種電子設備中。
由于從發光器件芯片的發光層射出的光具有各向同性,所以光也會照射到晶體成長用基板的內部而也從基板的背面和側面射出。然而,在照射到基板的內部的光中,由于基板與空氣層的界面處的入射角為臨界角以上的光在界面上發生全反射而被關在基板內部,不會從基板射出到外部,所以存在導致發光器件芯片的亮度降低的問題。
為了解決該問題,在日本特開2014-175354號公報中記載了如下的發光二極管(LED):為了抑制從發光層射出的光被關在基板的內部,將透明部件粘貼在基板的背面上而實現亮度的提高。
專利文獻1:日本特開2014-175354號公報
然后,在專利文獻1所公開的發光二極管中,存在如下問題:雖然通過將透明部件粘貼在基板的背面而稍微提高了亮度,但無法得到充分的亮度。
發明內容
本發明是鑒于這樣的點而完成的,其目的在于,提供發光二極管芯片的制造方法和發光二極管芯片,能夠得到充分的亮度。
根據技術方案1所述的發明,提供發光二極管芯片的制造方法,其特征在于,該發光二極管芯片的制造方法具有如下的工序:晶片準備工序,準備如下的晶片:該晶片在晶體成長用透明基板上具有層疊體層,在該層疊體層的正面上由互相交叉的多條分割預定線劃分出的各區域中分別形成有LED電路,其中,所述層疊體層形成有包含發光層在內的多個半導體層;晶片背面加工工序,在該晶片的背面上與各LED電路對應地形成多個凹部或第1槽;透明基板加工工序,在透明基板的正面上與該晶片的各LED電路對應地形成多個第2槽;一體化工序,在實施了該晶片背面加工工序和該透明基板加工工序之后,將該透明基板的正面粘貼在該晶片的背面上而形成一體化晶片;以及分割工序,沿著該分割預定線將該晶片與該透明基板一起切斷而將該一體化晶片分割成各個發光二極管芯片。
優選在透明基板加工工序中形成的第2槽的截面形狀為三角形、四邊形以及半圓形中的任意形狀。優選通過切削刀具、蝕刻、噴沙以及激光中的任意方式來形成晶片背面加工工序中所形成的凹部或第1槽,通過切削刀具、蝕刻、噴沙以及激光中的任意方式來形成透明基板加工工序中所形成的第2槽。
優選該透明基板由透明陶瓷、光學玻璃、藍寶石以及透明樹脂中的任意材料形成,在該一體化工序中使用透明粘接劑將該透明基板粘接在晶片上。
根據技術方案5所述的發明,提供發光二極管芯片,該發光二極管芯片具有:發光二極管,其在正面上形成有LED電路并且在背面上形成有凹部或第1槽;以及透明部件,其粘貼在該發光二極管的背面上,在該透明部件的與該發光二極管粘貼的面上形成有第2槽。
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