[發明專利]發光二極管芯片的制造方法和發光二極管芯片

有效

• 申請號: 201710436981.8
• 申請日: 2017-06-12
• 公開（公告）號: CN107527986B
• 公開（公告）日: 2021-09-14
• 發明（設計）人: 岡村卓
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L33/58
• 分類號: H01L33/58
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;喬婉

1.一種發光二極管芯片的制造方法，其特征在于，該發光二極管芯片的制造方法具有如下的工序：

晶片準備工序，準備如下的晶片：該晶片在晶體成長用透明基板上具有層疊體層，在該層疊體層的正面上由互相交叉的多條分割預定線劃分出的各區域中分別形成有LED電路，其中，所述層疊體層形成有包含發光層在內的多個半導體層；

晶片背面加工工序，在該晶片的背面上與各LED電路對應地形成多個凹部或第1槽；

透明基板加工工序，在透明基板的正面上與該晶片的各LED電路對應地形成多個第2槽；

一體化工序，在實施了該晶片背面加工工序和該透明基板加工工序之后，將該透明基板的正面粘貼在該晶片的背面上而形成一體化晶片，其中，在所述一體化晶片中，形成于該透明基板的正面上的所述多個第2槽在與該晶片的正面和背面垂直的方向上的投影與形成于該晶片的背面上的所述多個凹部或第1槽在與該晶片的正面和背面垂直的方向上的投影不重疊；以及

分割工序，沿著該分割預定線將該晶片與該透明基板一起切斷而將該一體化晶片分割成各個發光二極管芯片。

2.根據權利要求1所述的發光二極管芯片的制造方法，其中，

在該透明基板加工工序中形成的所述第2槽的截面形狀為三角形、四邊形以及半圓形中的任意形狀。

3.根據權利要求1所述的發光二極管芯片的制造方法，其中，

在該晶片背面加工工序中，通過切削刀具、蝕刻、噴沙以及激光中的任意方式來形成所述凹部或所述第1槽，

在該透明基板加工工序中，通過切削刀具、蝕刻、噴沙以及激光中的任意方式來形成所述第2槽。

4.根據權利要求1所述的發光二極管芯片的制造方法，其中，

該透明基板由透明陶瓷、光學玻璃、藍寶石以及透明樹脂中的任意材料形成，在該一體化工序中使用透明粘接劑將該透明基板粘貼在該晶片上。

5.一種發光二極管芯片，其中，

該發光二極管芯片具有：

發光二極管，其在正面上形成有LED電路并且在背面上形成有凹部或第1槽；以及

透明部件，其粘貼在該發光二極管的背面上，

在該透明部件的與該發光二極管粘貼的面上形成有第2槽，

形成于該透明部件的與該發光二極管的背面粘貼的面上的所述第2槽在與該發光二極管的正面和背面垂直的方向上的投影與形成于該發光二極管的背面上的所述凹部或第1槽在與該發光二極管的正面和背面垂直的方向上的投影不重疊。