[發明專利]掩模及形成掩模的方法

有效

• 申請號: 201710436463.6
• 申請日: 2017-06-12
• 公開（公告）號: CN107526246B
• 公開（公告）日: 2021-05-14
• 發明（設計）人: R·維斯特倫;M·S·勞利斯;A·G·雷德
• 申請（專利權）人: 格芯(美國)集成電路科技有限公司
• 主分類號: G03F1/38
• 分類號: G03F1/38
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

本發明涉及掩模襯底結構，其關于光刻掩模，且尤其關于光刻掩模襯底結構及制造的方法。該掩模包含形成在石英襯底上且由圖案化轉移薄膜及吸收層所組成的次解析輔助特征(SRAF,Sub?Resolution Assist Feature)。

技術領域

本發明揭示是關于光刻掩模，并且尤其關于光刻掩模襯底結構及制造的方法。

背景技術

先進技術的掩模需要稱為次解析輔助特征(SRAF,Sub-Resolution AssistFeatures)的微小線路。這些特征因為太小以致于無法印在晶圓上，但是該些特征會影響掩模光學而改善晶圓上的影像。因為該些特征非常小，所以次解析輔助特征在掩模加工期間時常破損。因為掩模襯底的設計，該破損會發生在石英/吸收層介面附近的石英掩模空白中，其中該掩模襯底設計需要蝕刻石英以達到吸收層所需要的光學性質。這樣的設計會限制線寬(例如，窄小的線路較容易破損)，降低整體的良率及限制清潔能力(例如，需要輕柔的清潔以便不會損壞次解析輔助特征)。當掩模尺寸隨著先進技術而減小時，這問題預期會變得更糟。

發明內容

在本發明揭示的態樣中，掩模包括形成在石英襯底上且由圖案化轉移薄膜與吸收層所組成的次解析輔助特征(SRAF,Sub-Resolution Assist Features)。

在本發明揭示的態樣中，掩模包括：光學透明襯底；以及圖案化吸收層及轉移層，包含形成在該光學透明襯底的表面上的次解析輔助特征。該次解析輔助特征包括轉移薄膜及吸收層。

在本發明揭示的態樣中，形成掩模的方法包括：形成光學轉移薄膜于石英襯底上；形成吸收層于該光學轉移薄膜上；形成硬式掩模于該吸收層上；以及通過該光學轉移薄膜及該吸收層的圖案化以及在該圖案化光學轉移薄膜及該吸收層上方的該硬式掩模的移除，形成包含次解析輔助特征的特征。

附圖說明

本發明揭示參考隨附的多個圖式，通過本發明揭示的例示性實施例中的非限定例子而以下列實施方式描述。

圖1顯示依據本發明揭示的態樣的堆疊結構及各自的制造程序。

圖2顯示依據本發明的態樣的由圖1的該堆疊結構所形成的代表性掩模結構及各自的制造程序。

具體實施方式

本發明揭示是關于光刻掩模，并且尤其關于光刻掩模襯底結構及制造的方法。尤其，本發明揭示提供用于強化次解析輔助特征(SRAF,Sub-Resolution Assist Features)的掩模結構設計。

在實施例中，轉移(緩沖)層是設置在掩模襯底(例如，石英)與吸收薄膜(例如，氮化硅鉬，MoSiN)之間，以消除在制造流程期間發生在次解析輔助特征的基部處的掩模襯底中的脆弱的角落。尤其，在實施例中，當形成次解析輔助特征時，該轉移層可不必蝕刻進入掩模襯底(例如，石英)中，因此在后續制造流程期間(例如，清潔制造)，避免掩模襯底與次解析輔助特征的介面處發生破裂或其它破損。

本發明揭示的光刻掩模襯底結構可以使用數種不同的工具以數種方式制造。然而，一般而言，這些方法及工具是用以形成具有尺寸在微米及納米尺度內的結構。用以制造本發明揭示的掩模襯底結構的方法(意即，技術)已經被采用用于集成電路(IC,IntegratedCircuit)技術。例如，使用光刻掩模襯底結構以移轉集成電路設計至襯底上。尤其，光刻掩模襯底結構的制造使用三個基本的建構區塊：(i)薄膜材料在襯底上的沉積，(ii)通過光學光刻成像施加圖案化掩模于該薄膜的上方，以及(iii)選擇性蝕刻該薄膜至該襯底。