[發(fā)明專利]掩模及形成掩模的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710436463.6
• 申請日: 2017-06-12
• 公開（公告）號: CN107526246B
• 公開（公告）日: 2021-05-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: R·維斯特倫;M·S·勞利斯;A·G·雷德
• 申請（專利權(quán)）人: 格芯(美國)集成電路科技有限公司
• 主分類號: G03F1/38
• 分類號: G03F1/38
• 代理公司: 北京戈程知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種掩模，包括次解析輔助特征(SRAF)，其特征在于，該次解析輔助特征形成在石英襯底上且由圖案化轉(zhuǎn)移薄膜及吸收層所組成，其中，該圖案化轉(zhuǎn)移薄膜設(shè)置在該石英襯底與該吸收層之間，其中，該圖案化轉(zhuǎn)移薄膜為二氧化硅及氮化硅的梯度，該二氧化硅是由該石英襯底轉(zhuǎn)移的底部層，并且該氮化硅是轉(zhuǎn)移進(jìn)入該吸收層的頂部層。

2.如權(quán)利要求1所述的掩模，其中，該圖案化轉(zhuǎn)移薄膜為光學(xué)透明薄膜。

3.如權(quán)利要求1所述的掩模，其中，該吸收層為相位偏移氮化硅鉬薄膜、在玻璃上的不透明氮化硅鉬薄膜(OMOG)或氮化鉭。

4.如權(quán)利要求1所述的掩模，更包括鄰接該次解析輔助特征的框架，該框架包括該圖案化轉(zhuǎn)移薄膜、該吸收層及在該吸收層上的硬式掩模材料。

5.如權(quán)利要求1所述的掩模，其中，該圖案化轉(zhuǎn)移薄膜具有達(dá)到該吸收層的相位偏移的厚度。

6.如權(quán)利要求5所述的掩模，其中，該圖案化轉(zhuǎn)移薄膜具有20納米或以下的厚度。

7.一種掩模，包括：

光學(xué)透明襯底；以及

次解析輔助特征，其特征在于，該次解析輔助特征形成在該光學(xué)透明襯底的表面上，該次解析輔助特征包括轉(zhuǎn)移薄膜及圖案化吸收層，其中，該轉(zhuǎn)移薄膜設(shè)置在該光學(xué)透明襯底與該圖案化吸收層之間，該轉(zhuǎn)移薄膜為二氧化硅及氮化硅的梯度，該二氧化硅是從該光學(xué)透明襯底轉(zhuǎn)移的底層，并且該氮化硅為轉(zhuǎn)移至該圖案化吸收層內(nèi)部的頂層。

8.如權(quán)利要求7所述的掩模，其中，該轉(zhuǎn)移薄膜為光學(xué)透明薄膜。

9.如權(quán)利要求7所述的掩模，其中，該圖案化吸收層為相位偏移氮化硅鉬薄膜、在玻璃上的不透明氮化硅鉬薄膜(OMOG)或氮化鉭。

10.如權(quán)利要求7所述的掩模，其中，該光學(xué)透明襯底為石英襯底。

11.如權(quán)利要求7所述的掩模，其中，該轉(zhuǎn)移薄膜具有達(dá)到該圖案化吸收層的相位偏移的厚度。

12.一種形成掩模的方法，包括：

形成光學(xué)轉(zhuǎn)移薄膜于石英襯底上；

形成吸收層于該光學(xué)轉(zhuǎn)移薄膜上；

形成硬式掩模于該吸收層上；以及

通過該光學(xué)轉(zhuǎn)移薄膜及該吸收層的圖案化，以及在該圖案化光學(xué)轉(zhuǎn)移薄膜及該吸收層上方的該硬式掩模的移除而形成包含次解析輔助特征的特征，該次解析輔助特征包括圖案化吸收層及圖案化光學(xué)轉(zhuǎn)移薄膜，其中，該圖案化光學(xué)轉(zhuǎn)移薄膜設(shè)置在該石英襯底與該圖案化吸收層之間，該圖案化光學(xué)轉(zhuǎn)移薄膜為二氧化硅及氮化硅的梯度，該二氧化硅是從該石英襯底轉(zhuǎn)移的底層，并且該氮化硅為轉(zhuǎn)移至該圖案化吸收層內(nèi)部的頂層。

13.如權(quán)利要求12所述的方法，更包括在該次解析輔助特征的形成期間保護(hù)該石英襯底免于受到蝕刻工藝。