[發明專利]光發射元件

在審

• 申請號: 201710431945.2
• 申請日: 2017-06-09
• 公開（公告）號: CN107611778A
• 公開（公告）日: 2018-01-19
• 發明（設計）人: 城岸直輝;櫻井淳;村上朱實;近藤崇;早川純一朗
• 申請（專利權）人: 富士施樂株式會社
• 主分類號: H01S5/183
• 分類號: H01S5/183
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司11112
• 代理人: 顧紅霞,龍濤峰

技術領域

本發明涉及光發射元件。

背景技術

JP-A-2000-106471披露了具有包括將有源層置于p型分布反饋反射器與n型分布反饋反射器之間的層結構的光發射區域的垂直腔面發射激光器，其中，光發射區域被高電阻區域包圍，具有與光發射區域相同的層結構的監測光電二極管形成在高電阻區域周圍，并且光發射區域的光強度分布的下部到達監測光電二極管的光吸收部分。

發明內容

本發明的目的在于提供這樣的光發射元件：與在背面上具有共用電極的集成有監測光接收元件的光發射元件相比，本發明的光發射元件能夠防止光發射部分與光接收部分之間的電串擾。

根據本發明的第一方面，光發射元件包括：

光發射部分，其形成在半絕緣基板的前表面側；以及

光接收部分，其形成在所述前表面側，與所述光發射部分共享半導體層，并且接收來自所述光發射部分通過所述半導體層沿橫向方向傳播的光，其中

所述光發射部分和所述光接收部分各自的陽極電極以及陰極電極以所述陽極電極彼此分離并且所述陰極電極彼此分離的狀態形成在所述前表面側。

根據本發明的第二方面，在第一方面所述的光發射元件中，

所述光發射部分和所述光接收部分共享量子層，并且

在所述光發射部分與所述光接收部分之間從所述前表面側起到未到達所述量子層的深度形成有電流阻擋區域。

根據本發明的第三方面，在第一方面所述的光發射元件中，

所述光發射部分和所述光接收部分共享量子層，并且

在所述光發射部分與所述光接收部分之間從所述前表面側起到超過所述量子層的深度形成有電流阻擋區域。

根據本發明的第四方面，在第一方面所述的光發射元件中，

所述光發射部分和所述光接收部分共享量子層，并且

在所述光發射部分與所述光接收部分之間從所述前表面側起到到達所述半絕緣基板的深度形成有電流阻擋區域。

根據本發明的第五方面，在根據第二方面至第四方面中的任一方面所述的光發射元件中，

所述電流阻擋區域形成有以下部分中的至少一者：(i)通過將預定離子注入所述半導體層而形成的離子注入區域；以及(ii)設置在所述半導體層中的凹陷部分。

根據本發明的第六方面，在第一方面至第五方面中的任一方面所述的光發射元件中，

所述光發射部分和所述光接收部分共享量子層，并且

在所述光發射部分與所述光接收部分之間從所述半絕緣基板的背面側起到超過所述半絕緣基板的厚度且不超過所述量子層的深度形成有凹槽。

根據本發明的第七方面，在第一方面至第六方面中的任一方面所述的光發射元件中，

所述光發射部分和所述光接收部分至少部分地彼此電分離。

根據本發明的第八方面，根據第一方面至第七方面中的任一方面所述的光發射元件還包括：

電壓轉換單元，其與所述光接收部分連接，并且將由所述光接收部分接收的光所生成的電流轉換為電壓。

本發明的第一方面提供了這樣的效果：與在背面上具有共用電極的集成有監測光接收元件的光發射元件相比，防止了所述光發射部分與所述光接收部分之間的電串擾。

本發明的第二方面提供了這樣的效果：與在所述光發射部分與所述光接收部分之間從所述前表面側起到到達所述量子層的深度形成有電流阻擋區域的情況相比，防止了有源區域劣化。

本發明的第三方面提供了這樣的效果：與在所述光發射部分與所述光接收部分之間從所述前表面側起到未到達所述量子層的深度形成有電流阻擋區域的情況相比，所述光發射部分和所述光接收部分更加可靠地彼此電分離。

本發明的第四方面提供了這樣的效果：與在所述光發射部分與所述光接收部分之間從所述前表面側起到到達所述量子層的深度形成有電流阻擋區域的情況相比，所述光發射部分和所述光接收部分更加可靠地彼此電分離。

本發明的第五方面提供了這樣的效果：與通過除了離子注入區域和凹陷部分以外的方法形成所述電流阻擋區域的情況相比，所述光發射部分和所述光接收部分更加容易地彼此電分離。

本發明的第六方面提供了這樣的效果：與在所述光發射部分與所述光接收部分之間從所述半絕緣基板的背面側起到不超過所述半絕緣基板的厚度的深度形成有凹槽的情況相比，所述光發射部分和所述光接收部分更加可靠地彼此電分離。