[發(fā)明專利]光發(fā)射元件在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710431945.2 | 申請日： | 2017-06-09 |
| 公開（公告）號： | CN107611778A | 公開（公告）日： | 2018-01-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 城岸直輝;櫻井淳;村上朱實(shí);近藤崇;早川純一朗 | 申請（專利權(quán)）人： | 富士施樂株式會(huì)社 |
| 主分類號： | H01S5/183 | 分類號： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11112 | 代理人： | 顧紅霞,龍濤峰 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 發(fā)射 元件 | ||
1.一種光發(fā)射元件，包括：
光發(fā)射部分，其形成在半絕緣基板的前表面?zhèn)?；以?/p>
光接收部分，其形成在所述前表面?zhèn)龋c所述光發(fā)射部分共享半導(dǎo)體層，并且接收來自所述光發(fā)射部分通過所述半導(dǎo)體層沿橫向方向傳播的光，其中
所述光發(fā)射部分和所述光接收部分各自的陽極電極以及陰極電極以所述陽極電極彼此分離并且所述陰極電極彼此分離的狀態(tài)形成在所述前表面?zhèn)取?/p>
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光發(fā)射元件，其中
所述光發(fā)射部分和所述光接收部分共享量子層，并且
在所述光發(fā)射部分與所述光接收部分之間從所述前表面?zhèn)绕鸬轿吹竭_(dá)所述量子層的深度形成有電流阻擋區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光發(fā)射元件，其中
所述光發(fā)射部分和所述光接收部分共享量子層，并且
在所述光發(fā)射部分與所述光接收部分之間從所述前表面?zhèn)绕鸬匠^所述量子層的深度形成有電流阻擋區(qū)域。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光發(fā)射元件，其中
所述光發(fā)射部分和所述光接收部分共享量子層，并且
在所述光發(fā)射部分與所述光接收部分之間從所述前表面?zhèn)绕鸬降竭_(dá)所述半絕緣基板的深度形成有電流阻擋區(qū)域。
5.根據(jù)權(quán)利要求2至4中任一項(xiàng)所述的光發(fā)射元件，其中
所述電流阻擋區(qū)域形成有以下部分中的至少一者：(i)通過將預(yù)定離子注入所述半導(dǎo)體層而形成的離子注入?yún)^(qū)域；以及(ii)設(shè)置在所述半導(dǎo)體層中的凹陷部分。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的光發(fā)射元件，其中
所述光發(fā)射部分和所述光接收部分共享量子層，并且
在所述光發(fā)射部分與所述光接收部分之間從所述半絕緣基板的背面?zhèn)绕鸬匠^所述半絕緣基板的厚度且不超過所述量子層的深度形成有凹槽。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的光發(fā)射元件，其中
所述光發(fā)射部分和所述光接收部分至少部分地彼此電分離。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的光發(fā)射元件，還包括：
電壓轉(zhuǎn)換單元，其與所述光接收部分連接，并且將由所述光接收部分接收的光所生成的電流轉(zhuǎn)換為電壓。
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