[發(fā)明專利]微發(fā)光二極管顯示模塊的制造方法

在審

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• 申請日: 2017-06-09
• 公開（公告）號: CN109037261A
• 公開（公告）日: 2018-12-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 黃振潮;王協(xié)友;呂旻晃;王利明
• 申請（專利權(quán)）人: 美商晶典有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 徐偉

1.一種微發(fā)光二極管顯示模塊的制造方法，該方法包括以下步驟：

制備一發(fā)光二極管晶圓及一驅(qū)動電路晶圓，其中該發(fā)光二極管晶圓的部分區(qū)域界定為一發(fā)光二極管區(qū)塊，該發(fā)光二極管區(qū)塊具有一第一半導(dǎo)體層、一發(fā)光層、及一第二半導(dǎo)體層，該發(fā)光層設(shè)于該第一半導(dǎo)體層及該第二半導(dǎo)體層之間，該第一半導(dǎo)體層連接一基材，該第一及該第二半導(dǎo)體層其中一者系為N型半導(dǎo)體層、另一者系為P型半導(dǎo)體層，該驅(qū)動電路晶圓的一芯片大小的區(qū)域界定為一驅(qū)動芯片區(qū)塊；

蝕刻該發(fā)光二極管區(qū)塊，而形成交錯排列的多個溝槽，該等溝槽界定出呈矩陣排列的多個微發(fā)光二極管像素，各該溝槽至少穿透該第二半導(dǎo)體層及該發(fā)光層；

接合該發(fā)光二極管區(qū)塊及該驅(qū)動芯片區(qū)塊，其中該第二半導(dǎo)體層電性連接該驅(qū)動芯片區(qū)塊的多個像素電極，各該微發(fā)光二極管像素對應(yīng)一該像素電極；

去除該基材；

設(shè)置一透光導(dǎo)電層于該第一半導(dǎo)體層上，其中該透光導(dǎo)電層具有對應(yīng)該等微發(fā)光二極管像素的共同電極；

設(shè)置一色層于該透光導(dǎo)電層上，其中該色層系為RGB色層。

2.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，該N型半導(dǎo)體層還包括一N型摻雜層及一N型緩沖層，該N型摻雜層位于該N型緩沖層與該發(fā)光層之間。

3.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，該P型半導(dǎo)體層還包括一P型摻雜層及一P型緩沖層，該P型摻雜層位于該P型緩沖層與該發(fā)光層之間。

4.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，于蝕刻該發(fā)光二極管區(qū)塊的步驟，各該溝槽未穿透該第一半導(dǎo)體層。

5.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，另包括一步驟：將該驅(qū)動芯片區(qū)塊另與一電路板電性連接，其中該驅(qū)動芯片區(qū)塊系為從該驅(qū)動晶圓上切割分離的驅(qū)動芯片。

6.如權(quán)利要求5所述的制造方法，其特征在于，于設(shè)置該透光導(dǎo)電層的步驟后，該透光導(dǎo)電層藉由一導(dǎo)電膠另與該電路板電性連接。

7.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，該透光導(dǎo)電層藉由一導(dǎo)電膠電性連接該驅(qū)動芯片區(qū)塊。

8.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，該透光導(dǎo)電層包括一披覆有一ITO導(dǎo)電膜的玻璃層，該ITO導(dǎo)電膜與各該微發(fā)光二極管像素電性連接。

9.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，該透光導(dǎo)電層系為以物理濺鍍方式而形成的ITO導(dǎo)電層。

10.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，該色層系為濾光片。

11.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，該色層系以噴涂量子點方式形成。

12.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，于接合該發(fā)光二極管區(qū)塊與該驅(qū)動芯片區(qū)塊的步驟之前、且于蝕刻該發(fā)光二極管晶圓的步驟之后，另包括一步驟:將該發(fā)光二極管區(qū)塊從該發(fā)光二極管晶圓切割分離；其中接合該發(fā)光二極管區(qū)塊與該驅(qū)動芯片區(qū)塊的步驟，系將該發(fā)光二極管區(qū)塊與該具有該驅(qū)動芯片區(qū)塊的驅(qū)動電路晶圓接合。

13.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，于接合該發(fā)光二極管區(qū)塊與該驅(qū)動芯片區(qū)塊的步驟之前、于制備該驅(qū)動電路晶圓的步驟之后，另包括一步驟:將該發(fā)光二極管區(qū)塊及該驅(qū)動芯片區(qū)塊分別從該發(fā)光二極管晶圓及該驅(qū)動電路晶圓切割分離。

14.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，于接合該發(fā)光二極管區(qū)塊及該驅(qū)動芯片區(qū)塊的步驟中，系將該具有該發(fā)光二極管區(qū)塊的發(fā)光二極管晶圓及該具有該驅(qū)動芯片區(qū)塊的驅(qū)動電路晶圓接合。

15.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，另包括一步驟：將非導(dǎo)電膠注入該等溝槽。