[發(fā)明專利]一種功率MOS管及其制造方法、使用方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710431526.9
• 申請日: 2017-06-09
• 公開（公告）號: CN107275405B
• 公開（公告）日: 2019-10-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 于浩
• 申請（專利權(quán)）人: 鄭州云海信息技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L23/488;H01L21/336;H01L21/48
• 代理公司: 濟(jì)南信達(dá)專利事務(wù)所有限公司 37100
• 代理人: 李世喆

本發(fā)明提供了一種功率MOS管及其制造方法、使用方法。該功率MOS管包括：MOS管本體和焊盤；所述焊盤包括第一部分焊盤和第二部分焊盤；所述第二部分焊盤上設(shè)置有至少一個通孔；所述第一部分焊盤與所述MOS管本體的底面相連，所述第二部分焊盤的第一端與所述MOS管本體的第一端具有設(shè)定的距離；所述焊盤，通過錫膏焊接的方式與外部的電路板連接時，通過所述第二部分焊盤上設(shè)置的各個所述通孔聚集錫膏。因此，本發(fā)明提供的方案可以提高焊接的穩(wěn)定性。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及電子工程技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種功率MOS管及其制造方法、使用方法。

背景技術(shù)

功率MOS管由于具有驅(qū)動電路簡單、驅(qū)動功率小、開關(guān)速度快、工作頻率高以及熱穩(wěn)定性高等優(yōu)點，因此被廣泛應(yīng)用于服務(wù)器等計算機(jī)設(shè)備的電路板中。

目前，將功率MOS管焊接在電路板上時，通過其底部設(shè)置的焊盤與電路板進(jìn)行錫膏焊接。由于其焊盤的面積較大，在焊接時錫膏對焊盤產(chǎn)生的浮力，會使得功率MOS管的焊盤偏移其初始焊接位置。因此，現(xiàn)有的方式，MOS管焊接的穩(wěn)定性較差。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供了一種功率MOS管及其制造方法、使用方法，可以提高焊接的穩(wěn)定性。

第一方面，本發(fā)明提供了一種功率MOS管，該功率MOS管包括：

MOS管本體和焊盤；

所述焊盤包括第一部分焊盤和第二部分焊盤；所述第二部分焊盤上設(shè)置有至少一個通孔；

所述第一部分焊盤與所述MOS管本體的底面相連，所述第二部分焊盤的第一端與所述MOS管本體的第一端具有設(shè)定的距離；

所述焊盤，通過錫膏焊接的方式與外部的電路板連接時，通過所述第二部分焊盤上設(shè)置的各個所述通孔聚集錫膏。

優(yōu)選地，

所述MOS管本體，包括：漏極引腳、源極引腳、柵極引腳；

所述漏極引腳、所述源極引腳以及所述柵極引腳分別位于所述MOS管本體中的第二端面上，其中，所述第二端面為未與所述第一部分焊盤相連的端面。

優(yōu)選地，

所述第一部分焊盤通過嵌入方式與所述MOS管本體的底面相連，且所述第一部分焊盤的底面與所述MOS管本體的底面處于同一水平面上。

優(yōu)選地，

所述第一部分焊盤通過黏貼方式與所述MOS管本體的底面相連，且所述第一部分焊盤的頂面與所述MOS管本體的底面處于同一水平面上。

優(yōu)選地，

所述第二部分焊盤中的各個所述通孔的面積之和滿足公式(1)；

其中，所述C表征各個所述通孔的面積之和；所述P表征預(yù)先設(shè)定的焊接時焊盤承受的壓力；所述A表征設(shè)定的所述焊盤的總面積；所述τ表征預(yù)設(shè)設(shè)定的焊接強(qiáng)度；所述δ表征焊盤的焊接系數(shù)。

優(yōu)選地，

當(dāng)各個所述通孔對應(yīng)的面積均相同時，所述第二部分焊盤上設(shè)置通孔的數(shù)量滿足公式(2)；

其中，所述t表征設(shè)置通孔的數(shù)量；所述C表征各個所述通孔的面積之和；所述S表征所述通孔對應(yīng)的面積。

優(yōu)選地，

每一個所述通孔的外側(cè)切線與所述第二部分焊盤中相鄰的邊緣具有設(shè)定的距離。

優(yōu)選地，

所述焊盤通過鋁合金材料制成。