[發明專利]一種功率MOS管及其制造方法、使用方法

有效

• 申請號: 201710431526.9
• 申請日: 2017-06-09
• 公開（公告）號: CN107275405B
• 公開（公告）日: 2019-10-01
• 發明（設計）人: 于浩
• 申請（專利權）人: 鄭州云海信息技術有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L23/488;H01L21/336;H01L21/48
• 代理公司: 濟南信達專利事務所有限公司 37100
• 代理人: 李世喆

1.一種功率MOS管，其特征在于，包括：MOS管本體和焊盤；

所述焊盤包括第一部分焊盤和第二部分焊盤；所述第二部分焊盤上設置有至少一個通孔；

所述第一部分焊盤與所述MOS管本體的底面相連，所述第二部分焊盤的第一端與所述MOS管本體的第一端具有設定的距離；

所述焊盤，通過錫膏焊接的方式與外部的電路板連接時，通過所述第二部分焊盤上設置的各個所述通孔聚集錫膏；

所述MOS管本體，包括：漏極引腳、源極引腳、柵極引腳；

所述漏極引腳、所述源極引腳以及所述柵極引腳分別位于所述MOS管本體中的第二端面上，其中，所述第二端面為未與所述第一部分焊盤相連的端面；

所述第一部分焊盤通過嵌入方式或通過黏貼方式與所述MOS管本體的底面相連，且所述第一部分焊盤的底面與所述MOS管本體的底面處于同一水平面上；

所述第二部分焊盤中的各個所述通孔的面積之和滿足第一公式；

所述第一公式包括：

其中，所述C表征各個所述通孔的面積之和；所述P表征預先設定的焊接時焊盤承受的壓力；所述A表征設定的所述焊盤的總面積；所述τ表征預設設定的焊接強度；所述δ表征焊盤的焊接系數。

2.根據權利要求1所述的功率MOS管，其特征在于，

當各個所述通孔對應的面積均相同時，所述第二部分焊盤上設置通孔的數量滿足第二公式；

所述第二公式包括：

其中，所述t表征設置通孔的數量；所述C表征各個所述通孔的面積之和；所述S表征所述通孔對應的面積。

3.根據權利要求1至2任一所述的功率MOS管，其特征在于，

每一個所述通孔的外側切線與所述第二部分焊盤中相鄰的邊緣具有設定的距離；

所述焊盤通過鋁合金材料制成。

4.一種功率MOS管的制造方法，其特征在于，包括：

制備MOS管本體和焊盤；

在所述焊盤中設置第一部分焊盤和第二部分焊盤；

在所述第二部分焊盤上設置至少一個通孔；

將所述第一部分焊盤與所述MOS管本體的底面相連，且設置所述第二部分焊盤的第一端與所述MOS管本體的第一端具有設定的距離；

所述制備MOS管本體和焊盤，包括：

將漏極引腳、源極引腳以及柵極引腳分別安裝于所述MOS管本體中的第二端面上，其中，所述第二端面為未與所述第一部分焊盤相連的端面；

所述將所述第一部分焊盤與所述MOS管本體的底面相連，包括：

將所述第一部分焊盤通過嵌入方式或通過黏貼方式與所述MOS管本體的底面相連，且所述第一部分焊盤的底面與所述MOS管本體的底面處于同一水平面上；

所述在所述第二部分焊盤上設置至少一個通孔，包括：

所述第二部分焊盤中的各個所述通孔的面積之和滿足第一公式；

所述第一公式包括：

其中，所述C表征各個所述通孔的面積之和；所述P表征預先設定的焊接時焊盤承受的壓力；所述A表征設定的所述焊盤的總面積；所述τ表征預設設定的焊接強度；所述δ表征焊盤的焊接系數。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，

所述在所述第二部分焊盤上設置至少一個通孔，包括：

當各個所述通孔對應的面積均相同時，所述第二部分焊盤上設置通孔的數量滿足第二公式；

所述第二公式包括：

其中，所述t表征設置通孔的數量；所述C表征各個所述通孔的面積之和；所述S表征所述通孔對應的面積。