[發明專利]存儲器器件

有效

• 申請號: 201710429963.7
• 申請日: 2017-06-08
• 公開（公告）號: CN107623006B
• 公開（公告）日: 2022-02-18
• 發明（設計）人: 孫榮晥;張源哲;殷東錫;張在薰
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/11551
• 分類號: H01L27/11551;H01L27/11578
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 李敬文

公開了一種存儲器器件。該存儲器器件包括：柵極結構，包括在襯底的上表面上堆疊的多個柵電極層；多個垂直孔，沿與所述襯底的上表面垂直的方向延伸以穿過所述柵極結構；以及分別在所述多個垂直孔中的多個垂直結構，所述多個垂直結構中的每一個垂直結構包括嵌入式絕緣層以及多個彼此分離的溝道層，所述多個溝道層位于所述嵌入式絕緣層的外部。

相關申請的交叉引用

本申請要求2016年7月14日在韓國知識產權局遞交的題為“存儲器器件”的韓國專利申請No.10-2016-0089271的優先權，其全部公開內容通過引用并入本文。

技術領域

本公開涉及存儲器器件。

背景技術

電子產品的體積逐漸減小，而同時仍然要求處理大容量的數據。因此，需要增加這些電子產品中使用的存儲器器件的集成度。已經提出了一種方法，可以增加半導體存儲器器件的集成度，以及具有垂直晶體管結構而不是現有的平面晶體管結構的存儲器器件。

發明內容

根據實施例的一個方面，一種存儲器器件包括：柵極結構，包括在襯底的上表面上堆疊的多個柵電極層；多個垂直孔，沿與所述襯底的上表面垂直的方向延伸以穿過所述柵極結構；以及多個垂直結構，包括在所述多個垂直孔的每一個中設置的嵌入式絕緣層以及多個溝道層，所述多個溝道彼此分離并且設置在所述多個垂直孔之一中的嵌入式絕緣層的外部。

根據實施例的另一個方面，一種存儲器器件包括：柵極結構，包括在襯底的上表面上堆疊的多個柵電極層；層間絕緣層，設置在所述柵極結構的上表面上；多個垂直結構，穿過所述層間絕緣層和所述柵極結構，并且包括嵌入式絕緣層和設置在所述嵌入式絕緣層外部的多個溝道層；多個柱頭，直接連接至分別設置在所述多個垂直結構之一中的多個溝道層；以及多個位線，連接至所述多個柱頭中的至少一個。

根據實施例的另一個方面，一種存儲器器件包括：柵極結構，包括在襯底的上表面上堆疊的多個柵電極層；多個垂直孔，沿與所述襯底的上表面垂直的方向延伸以穿過所述柵極結構；以及多個垂直結構，分別在所述多個垂直孔中，所述多個垂直結構的每一個垂直結構包括通過同一垂直孔內的嵌入式絕緣層彼此分離的多個溝道層。

附圖說明

通過參考附圖詳細描述示例性實施例，特征對于本領域技術人員將變得顯而易見，在附圖中：

圖1是示出了根據示例實施例的存儲器器件的示意性框圖；

圖2是示出了根據示例實施例的存儲器器件的存儲器單元陣列的等效電路圖；

圖3A示出了根據示例實施例的存儲器器件的一部分的平面圖；

圖3B示出了根據示例實施例的存儲器器件的一部分的平面圖；

圖3C示出了根據示例實施例的存儲器器件的一部分的平面圖；

圖4示出了存儲器器件沿圖3A的S-S’線的透視圖；

圖5示出了存儲器器件沿圖3A的S-S’線的橫截面圖；

圖6是示出了圖5中所示的存儲器器件的區域A的放大視圖；

圖7至圖24示出了根據示例實施例的制造存儲器器件的方法的多個階段的視圖；以及

圖25示出了包括根據示例實施例的存儲器器件的電子設備的框圖。

具體實施方式

下文中，將參照附圖來描述實施例。

圖1是示出了根據示例實施例的存儲器器件的框圖。

參考圖1，根據示例實施例的存儲器器件1可以包括存儲器單元陣列2、行解碼器3和核心邏輯電路6。核心邏輯電路6可以包括讀/寫電路4和控制電路5。