[發(fā)明專利]存儲器器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710429963.7
• 申請日: 2017-06-08
• 公開（公告）號: CN107623006B
• 公開（公告）日: 2022-02-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 孫榮晥;張源哲;殷東錫;張在薰
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/11551
• 分類號: H01L27/11551;H01L27/11578
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 李敬文

1.一種存儲器器件，包括：

柵極結(jié)構(gòu)，包括在襯底的上表面上堆疊的多個柵電極層；

多個垂直孔，沿與所述襯底的上表面垂直的方向延伸以穿過所述柵極結(jié)構(gòu)；以及

分別在所述多個垂直孔中的多個垂直結(jié)構(gòu)，所述多個垂直結(jié)構(gòu)中每一個垂直結(jié)構(gòu)包括嵌入式絕緣層以及彼此分離的多個溝道層，所述多個溝道層位于所述嵌入式絕緣層的外部，

其中，在平面視圖中，由從垂直孔的中心延伸到該垂直孔的兩個相鄰溝道層的最外側(cè)邊的中點的兩個線所成的角度不是180度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器器件，其中：

所述多個垂直孔中的每一個包括中心部分中的第一區(qū)域以及沿多個方向從所述第一區(qū)域突出的多個第二區(qū)域，以及

所述嵌入式絕緣層在所述第一區(qū)域中，并且所述多個溝道層分別在所述多個第二區(qū)域中。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲器器件，其中所述多個第二區(qū)域相對于所述第一區(qū)域彼此對稱。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲器器件，其中所述多個第二區(qū)域設(shè)置為至少三個區(qū)域。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲器器件，其中所述多個溝道層中的相鄰溝道層通過所述多個第二區(qū)域之間的凹入部分彼此分離。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的存儲器器件，其中：

所述多個垂直結(jié)構(gòu)中的每一個還包括柵極絕緣層，所述柵極絕緣層包括分別在所述多個溝道層外部的多個層，以及

所述凹入部分合并了所述柵極絕緣層的所述多個層的部分。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器器件，其中所述多個垂直孔的至少一部分包括同一垂直孔內(nèi)沿不同方向突出的多個區(qū)域。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器器件，其中所述多個垂直結(jié)構(gòu)中的每一個還包括所述多個溝道層外部的柵極絕緣層。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的存儲器器件，其中所述柵極絕緣層包括順序地設(shè)置在所述多個溝道層外部的隧穿層和電荷存儲層，并且所述電荷存儲層被劃分為多個區(qū)域。

10.一種存儲器器件，包括：

柵極結(jié)構(gòu)，包括在襯底的上表面上堆疊的多個柵電極層；

所述柵極結(jié)構(gòu)的上表面上的層間絕緣層；

穿過所述層間絕緣層和所述柵極結(jié)構(gòu)的多個垂直結(jié)構(gòu)，所述多個垂直結(jié)構(gòu)中的每一個包括嵌入式絕緣層和所述嵌入式絕緣層外部的多個溝道層，所述多個溝道層包括至少三個溝道層；

多個柱頭，分別連接至所述多個垂直結(jié)構(gòu)之一中設(shè)置的多個溝道層；以及

多個位線，所述多個位線中的至少一個位線連接至所述多個柱頭中的至少一個。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的存儲器器件，其中所述多個垂直結(jié)構(gòu)從所述襯底的上表面延伸至所述層間絕緣層的上表面。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的存儲器器件，其中所述分別直接連接至所述多個垂直結(jié)構(gòu)之一中設(shè)置的多個溝道層的多個柱頭與所述多個位線中的不同位線相連。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的存儲器器件，還包括：隔離絕緣層，穿過所述層間絕緣層和所述多個柵電極層中的至少最上層?xùn)烹姌O層，以限定存儲器器件的不同部分，所述多個垂直結(jié)構(gòu)在所限定的不同部分中穿過所述層間絕緣層。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的存儲器器件，其中所限定的不同部分中的每一個的多個溝道層通過所述多個柱頭與不同的位線相連。

15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的存儲器器件，其中所述多個垂直結(jié)構(gòu)中的同一垂直結(jié)構(gòu)內(nèi)的多個溝道層分別限定了不同的存儲器單元。