[發明專利]存儲器及其形成方法、半導體器件

在審

• 申請號: 201710429105.2
• 申請日: 2017-06-08
• 公開（公告）號: CN109037155A
• 公開（公告）日: 2018-12-18
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L21/8242
• 分類號: H01L21/8242;H01L27/108
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 智云

本發明提供了一種存儲器及其形成方法、半導體器件。通過在位線和第一隔離層上形成具有開口的蓋層，并利用開口去除部分第一隔離層，從而在位線的隔離屏障的作用下形成空腔，以自對準地界定出存儲節點接觸的形成區域，進而可在空腔中填充導電材料以構成存儲節點接觸。本發明的形成方法中，能夠自對準地暴露出存儲節點接觸區，并自截斷地在存儲節點接觸區上形成存儲節點接觸，減小存儲節點接觸區和存儲節點接觸之間的位移偏差以減小接觸電阻。并且，在執行光刻工藝時，不會受到光刻工藝的精度限制，具有較大的光刻工藝窗口。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，特別涉及一種存儲器及其形成方法、半導體器件。

背景技術

存儲器通常包括存儲電容器以及連接到所述存儲元件的存儲晶體管，所述存儲電容器用來存儲代表存儲信息的電荷。所述存儲晶體管中形成有源區、漏區和柵極結構。所述柵極結構連接至字線，用于控制所述源區和漏區之間的電流流動。所述源區用于構成位線接觸區，用以連接至位線，所述漏區用于構成存儲節點接觸區，以連接至存儲電容器。其中，在將所述存儲節點接觸區連接至所述存儲電容器時，通常需在所述存儲節點接觸區上形成存儲節點接觸，以通過所述存儲節點接觸實現存儲節點接觸區和所述存儲電容器之間的電性連接。

目前，在形成存儲節點接觸時，一般是利用光刻工藝直接定義出存儲節點接觸的形成區域。即，利用光刻工藝直接界定出所形成的存儲節點接觸的尺寸和位置。然而，在利用上述方法形成存儲節點接觸時，則必然會面臨著以下兩個問題：

1、由于需形成的存儲節點接觸的尺寸較小，從而在光刻工藝中，使定義出的存儲節點接觸的形成區域較小，進而極易導致光刻膠殘留的問題；

2、由于在光刻工藝中存在對準精度的問題，從而不可避免的會產生位置偏移的問題，使所定義出的存儲節點接觸的形成區域的位置產生偏差。

而以上兩個問題，將進一步導致后續所形成的存儲節點接觸與存儲節點接觸區之間無法充分接觸，從而產生較大的接觸電阻，這將對存儲器的性能產生不利的影響。尤其是，隨著器件尺寸的不斷縮減，由于光刻工藝窗口的限制，而導致存儲節點接觸與存儲節點接觸區之間無法充分接觸的問題將越發嚴重。

發明內容

本發明的目的在于提供一種存儲器及其形成方法，以改善所形成的存儲器中，其存儲節點接觸區和存儲節點接觸之間的接觸電阻。

為解決上述技術問題，本發明提供一種存儲器的形成方法，包括：

提供一襯底，在所述襯底上形成多個呈陣列式排布且沿第一方向延伸的有源區，其中位于第二方向上的同一列中的所述有源區呈對齊排布，所述有源區上形成有位線接觸區和多個延伸在所述第一方向上且位于所述位線接觸區兩側的存儲節點接觸區；

形成多條位線在所述襯底上，對齊排布的兩個相鄰的所述存儲節點接觸區分別位于所述位線的兩側，以及在相鄰的所述位線之間對應有多個所述存儲節點接觸區；

依次形成一第一隔離層和一蓋層在所述襯底上，所述第一隔離層填充相鄰的所述位線之間的間隔，并且所述第一隔離層不覆蓋所述位線，所述蓋層形成在所述第一隔離層和所述位線上，且所述蓋層中形成有一開口，所述開口至少暴露出同一列中位于相鄰的所述位線之間且相鄰的所述存儲節點接觸區之間的所述第一隔離層；

通過所述開口去除位于所述蓋層下方的部分所述第一隔離層，以形成一空腔，在所述空腔中暴露有多個所述存儲節點接觸區；

通過所述開口形成一導電材料層在所述空腔中，所述導電材料層中形成有一貫穿所述導電材料層且對應所述開口的凹槽，位于所述凹槽兩側的所述導電材料層與所述存儲節點接觸區電性連接，以構成存儲節點接觸；

形成一第二隔離層在所述凹槽中，所述第二隔離層隔離相鄰的所述存儲節點接觸。

可選的，在所述襯底中還形成有多條字線，所述字線沿所述第二方向延伸。