[發明專利]存儲器及其形成方法、半導體器件

在審

• 申請號: 201710429105.2
• 申請日: 2017-06-08
• 公開（公告）號: CN109037155A
• 公開（公告）日: 2018-12-18
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L21/8242
• 分類號: H01L21/8242;H01L27/108
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 智云

1.一種存儲器的形成方法，其特征在于，包括：

提供一襯底，在所述襯底上形成多個呈陣列式排布且沿第一方向延伸的有源區，其中位于第二方向上的同一列中的所述有源區呈對齊排布，所述有源區上形成有位線接觸區和多個延伸在所述第一方向上且位于所述位線接觸區兩側的存儲節點接觸區；

形成多條位線在所述襯底上，對齊排布的兩個相鄰的所述存儲節點接觸區分別位于所述位線的兩側，以及在兩個相鄰的所述位線之間對應有多個所述存儲節點接觸區；

依次形成一第一隔離層和一蓋層在所述襯底上，所述第一隔離層填充在相鄰的所述位線之間，并且所述第一隔離層不覆蓋所述位線，所述蓋層形成在所述第一隔離層和所述位線上，且所述蓋層中形成有一開口，所述開口至少暴露出同一列中位于相鄰的所述位線之間且相鄰的所述存儲節點接觸區之間的所述第一隔離層；

通過所述開口去除位于所述蓋層下方的部分所述第一隔離層，以形成一空腔，在所述空腔中暴露有多個所述存儲節點接觸區；

通過所述開口形成一導電材料層在所述空腔中，所述導電材料層中形成有一貫穿所述導電材料層且對應所述開口的凹槽，位于所述凹槽兩側的所述導電材料層與所述存儲節點接觸區電性連接，以構成存儲節點接觸；以及，

形成一第二隔離層在所述凹槽中，所述第二隔離層隔離相鄰的所述存儲節點接觸。

2.如權利要求1所述的存儲器的形成方法，其特征在于，在所述襯底中還形成有多條字線，所述字線沿所述第二方向延伸。

3.如權利要求1所述的存儲器的形成方法，其特征在于，在形成所述位線之后，以及形成所述第一隔離層和所述蓋層之前，還包括：

形成一保護層在所述襯底上，所述保護層至少覆蓋所述位線的側壁。

4.如權利要求1所述的存儲器的形成方法，其特征在于，所述第一隔離層不高于所述位線，所述開口只暴露出同一列中位于相鄰的所述位線之間且相鄰的所述存儲節點接觸區之間的所述第一隔離層。

5.如權利要求4所述的存儲器的形成方法，其特征在于，所述開口在平形于所述襯底的表面的截面形狀為圓形、橢圓形或矩形。

6.如權利要求1所述的存儲器的形成方法，其特征在于，所述第一隔離層不高于所述位線，所述開口暴露出同一列中在第一方向上相鄰的所述存儲節點接觸區之間連續區域。

7.如權利要求6所述的存儲器的形成方法，其特征在于，所述開口在對應所述位線接觸區的位置上沿所述第二方向延伸。

8.如權利要求1所述的存儲器的形成方法，其特征在于，形成所述第二隔離層之后，還包括：

去除所述蓋層，暴露出所述導電材料層；

刻蝕部分所述導電材料層；以及，

形成導電接觸層在刻蝕后的所述導電材料層上。

9.如權利要求1所述的存儲器的形成方法，其特征在于，所述第二隔離層的形成方法包括：

形成一第一隔離材料層在所述凹槽的底部和側壁上；以及，

形成一第二隔離材料層在所述第一隔離材料層上，所述第二隔離材料層填充所述凹槽。

10.如權利要求1至9項任一項所述的存儲器的形成方法，其特征在于，由多個所述有源區排布形成的陣列中布置有多個列，通過所述開口去除部分所述第一隔離層時，在相鄰的列之間還剩余有部分所述第一隔離層。