[發(fā)明專利]芯片封裝體及其制造方法和操作方法以及芯片封裝系統(tǒng)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710427565.1
• 申請日: 2017-06-08
• 公開（公告）號: CN107479008A
• 公開（公告）日: 2017-12-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: M·哈蘭特;G·克澤爾;R·M·沙勒
• 申請（專利權(quán)）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: G01R33/00
• 分類號: G01R33/00;G01R33/02
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司72002
• 代理人: 周家新,蔡洪貴

技術(shù)領(lǐng)域

各種實(shí)施例總體上涉及一種芯片封裝體、一種芯片封裝系統(tǒng)、一種制造芯片封裝體的方法和一種操作芯片封裝體的方法。

背景技術(shù)

磁場傳感器具有眾多實(shí)際應(yīng)用。基于半導(dǎo)體的傳感器、例如包含霍爾傳感器或磁阻元件(MRE：magnetoresistive element)的基于磁場的電流傳感器的改進(jìn)允許多個(gè)傳感器緊密地封裝在一個(gè)芯片封裝體中。相應(yīng)地，單個(gè)緊湊型封裝體可包含多個(gè)傳感器，所述多個(gè)傳感器被構(gòu)造成用于各種不同范圍的磁場值，從而擴(kuò)展了芯片封裝體可覆蓋的動(dòng)態(tài)量程，即，可超過單個(gè)傳感器的最大值。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種芯片封裝體，包括：被構(gòu)造成測量最大為最大磁場值的磁場分量的第一傳感器；被構(gòu)造成測量超過最大磁場值的磁場分量的第二傳感器；以及藕接到第一傳感器和第二傳感器且被構(gòu)造成從第一傳感器和第二傳感器中的至少一個(gè)接收至少一個(gè)傳感器信號的電路，其中，所述電路被進(jìn)一步構(gòu)造成基于接收到的所述至少一個(gè)傳感器信號選擇第一傳感器或第二傳感器來測量磁場分量。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)可選實(shí)施例，第一傳感器和第二傳感器具有不同的磁傳感器技術(shù)。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)可選實(shí)施例，第一傳感器和第二傳感器的磁傳感器技術(shù)從以下磁傳感器技術(shù)的組中選擇：霍爾傳感器和磁阻元件。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)可選實(shí)施例，第一傳感器包括隧道磁阻元件，第二傳感器包括各向異性磁阻元件。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)可選實(shí)施例，第一傳感器包括間隔開第一距離布置的至少兩個(gè)傳感器元件帶；第二傳感器包括間隔開第二距離布置的至少兩個(gè)傳感器元件帶；其中，第一距離大于第二距離。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)可選實(shí)施例，所述芯片封裝體還包括：載體；附連到載體的第一裸片，第一裸片包括第一傳感器；以及附連到載體的第二裸片，第二裸片包括第二傳感器。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)可選實(shí)施例，第一裸片和第二裸片布置在載體的相反表面上。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)可選實(shí)施例，第一裸片和第二裸片彼此堆疊地布置在載體之上。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)可選實(shí)施例，第一裸片和第二裸片彼此相鄰地布置在載體的相同側(cè)。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)可選實(shí)施例，載體由導(dǎo)電材料形成；以及芯片封裝體還包括與載體電連接的多個(gè)接觸端子。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)可選實(shí)施例，所述芯片封裝體還包括：將第一裸片和第二裸片附連到載體的電絕緣粘合劑。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)可選實(shí)施例，其中，載體是非磁性的。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種芯片封裝體，包括：被構(gòu)造成提供代表第一值范圍內(nèi)的磁場的幅度的第一信號的第一傳感器；被構(gòu)造成提供代表第二值范圍內(nèi)的磁場的幅度的第二信號的第二傳感器；其中，第二值范圍至少部分超過第一值范圍的最大值；以及藕接到第一傳感器和第二傳感器且被構(gòu)造成接收第一信號和第二信號的電路；其中，所述電路被進(jìn)一步構(gòu)造成：當(dāng)磁場的幅度處于第一值范圍內(nèi)時(shí)輸出第一信號和第二信號中的至少一個(gè)，當(dāng)磁場的幅度處于第二值范圍內(nèi)時(shí)輸出第二信號。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種芯片封裝系統(tǒng)，包括：包括導(dǎo)電元件的基體；附連到基體的芯片封裝體，所述芯片封裝體包括：與導(dǎo)電元件間隔開第一距離布置的第一傳感器、與導(dǎo)電元件間隔開第二距離布置的第二傳感器以及藕接到第一傳感器和第二傳感器且被構(gòu)造成從第一傳感器和第二傳感器中的至少一個(gè)接收至少一個(gè)傳感器信號的電路，其中，所述第一傳感器被構(gòu)造成測量最大為最大磁場值的磁場分量，所述第二傳感器被構(gòu)造成測量超過最大磁場值的磁場分量，第二距離大于第一距離；以及所述電路被進(jìn)一步構(gòu)造成基于接收到的傳感器信號選擇第一傳感器或第二傳感器來測量磁場分量。

根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種制造芯片封裝體的方法，包括：將第一傳感器附連到載體，其中，第一傳感器被構(gòu)造成測量最大為最大磁場值的磁場分量；將第二傳感器附連到載體，其中，第二傳感器被構(gòu)造成測量超過最大磁場值的磁場分量；以及將電路藕接到第一傳感器和第二傳感器，所述電路被構(gòu)造成從第一傳感器和第二傳感器中的至少一個(gè)接收至少一個(gè)傳感器信號，其中，所述電路被進(jìn)一步構(gòu)造成基于接收到的傳感器信號選擇第一傳感器或第二傳感器來測量磁場分量。

根據(jù)本發(fā)明的再一方面，提供了一種操作芯片封裝體的第一傳感器和第二傳感器的方法，所述芯片封裝體包括：被構(gòu)造成測量最大為最大磁場值的磁場分量的第一傳感器以及被構(gòu)造成測量超過最大磁場值的磁場分量的第二傳感器，所述方法包括：從第一傳感器和第二傳感器中的至少一個(gè)接收至少一個(gè)傳感器信號；以及基于接收到的傳感器信號選擇第一傳感器或第二傳感器來測量磁場分量。