[發明專利]陣列基板及其制造方法、顯示面板以及顯示裝置

有效

• 申請號: 201710426034.0
• 申請日: 2017-06-08
• 公開（公告）號: CN109037232B
• 公開（公告）日: 2019-11-01
• 發明（設計）人: 李子華;劉靜;劉祺;馬群
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;鄂爾多斯市源盛光電有限責任公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 牛南輝;李崢

本發明涉及一種陣列基板及其制造方法、顯示面板以及顯示裝置。所述陣列基板，包括：設置在襯底上的有源層，所述有源層包括溝道區、設置在所述溝道區兩側的源/漏極區域以及設置在所述溝道區與所述源/漏極區域之間的輕摻雜漏極區；設置在所述有源層上的柵極電極和第一電極；設置在所述柵極電極和所述第一電極上的第一絕緣層；設置在所述第一絕緣層上的阻擋部和第二電極，所述第二電極在所述襯底上的投影與所述第一電極在所述襯底上的投影至少部分重疊，所述阻擋部在所述襯底上的投影覆蓋所述輕摻雜漏極區在所述襯底上的投影，所述阻擋部在所述襯底上的投影與所述源/漏極區域在所述襯底上的投影不交疊，所述阻擋部和所述第二電極的材料相同。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域。更具體地，涉及一種陣列基板及其制造方法、顯示面板以及顯示裝置。

背景技術

薄膜晶體管(TFT)被廣泛應用于顯示技術領域。然而，在TFT中會出現摻雜導致的晶體受損區域。該受損區域往往會導致熱載流子應力，例如，當電子從源極區域到漏極區域加速時，其可能會穿透柵極絕緣層或金屬氧化物半導體(MOS)界面。此外，熱載流子應力可能會降低電子遷移率，還可能會增大截止電流。這都會對TFT帶來不利影響。

已經提出了采用老化(Aging)工藝來減少TFT中的漏電流。然而，Aging工藝會帶來新的不利影響，例如，會導致灼傷、新增亮點、異常顯示等。

另外一種已知方案是采用輕摻雜漏極區(LDD)來減少TFT中的漏電流。然而，現有技術中的LDD方案工藝復雜并且設計難度大。

發明內容

現有技術中解決TFT漏電流的方案都有缺陷，本發明提出了更好的解決方案。

本發明的一個目的在于提供一種陣列基板。

本發明的第一方面提供了一種陣列基板。所述陣列基板包括：設置在襯底上的有源層，所述有源層包括溝道區、設置在所述溝道區兩側的源/漏極區域以及設置在所述溝道區與所述源/漏極區域之間的輕摻雜漏極區；設置在所述有源層上的柵極電極和第一電極；設置在所述柵極電極和所述第一電極上的第一絕緣層；設置在所述第一絕緣層上的阻擋部和第二電極，其中，所述第二電極在所述襯底上的投影與所述第一電極在所述襯底上的投影至少部分重疊，所述阻擋部在所述襯底上的投影覆蓋所述輕摻雜漏極區在所述襯底上的投影，所述阻擋部在所述襯底上的投影與所述源/漏極區域在所述襯底上的投影不交疊,并且其中，所述阻擋部和所述第二電極的材料相同。

在一個實施例中，所述阻擋部具有開口，所述開口在所述襯底上的投影與所述柵極電極在所述襯底上的投影至少部分重疊。

在一個實施例中，所述輕摻雜漏極區的寬度的范圍為0.5um～1um。

在一個實施例中，所述陣列基板進一步包括：設置在所述有源層和所述柵極電極之間的第二絕緣層；穿過所述第一絕緣層和所述第二絕緣層的過孔；設置在所述第一絕緣層上的源/漏極電極，所述源/漏極電極經由所述過孔與所述源/漏極區域接觸。

在一個實施例中，所述源/漏極區域的摻雜濃度大于所述輕摻雜漏極區的摻雜濃度，并且其中，所述源/漏極區域的摻雜濃度范圍為約4.5×10¹⁵～6×10¹⁵離子/cm³，所述輕摻雜漏極區的摻雜濃度范圍為約5×10¹²～4.5×10¹⁵離子/cm³。

本發明的另一個目的在于提供一種顯示面板。

本發明的第二方面提供了一種顯示面板。所述顯示面板包括如上所述的陣列基板。

本發明的又一個目的在于提供一種顯示裝置。

本發明的第三方面提供了一種顯示裝置。所述顯示裝置包括如上所述的顯示面板。

本發明的再一個目的在于提供一種陣列基板的制造方法。