[發(fā)明專利]陣列基板及其制造方法、顯示面板以及顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710426034.0
• 申請日: 2017-06-08
• 公開（公告）號: CN109037232B
• 公開（公告）日: 2019-11-01
• 發(fā)明（設計）人: 李子華;劉靜;劉祺;馬群
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;鄂爾多斯市源盛光電有限責任公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 牛南輝;李崢

1.一種陣列基板，包括：設置在襯底上的有源層，所述有源層包括溝道區(qū)、設置在所述溝道區(qū)兩側的源/漏極區(qū)域以及設置在所述溝道區(qū)與所述源/漏極區(qū)域之間的輕摻雜漏極區(qū)；

設置在所述有源層上的柵極電極和第一電極；

設置在所述柵極電極和所述第一電極上的第一絕緣層；

設置在所述第一絕緣層上的阻擋部和第二電極，其中，所述第二電極在所述襯底上的投影與所述第一電極在所述襯底上的投影至少部分重疊，所述阻擋部在所述襯底上的投影覆蓋所述輕摻雜漏極區(qū)在所述襯底上的投影，所述阻擋部在所述襯底上的投影與所述源/漏極區(qū)域在所述襯底上的投影不交疊,并且其中，所述阻擋部和所述第二電極的材料相同，其中，所述阻擋部具有開口，所述開口在所述襯底上的投影與所述柵極電極在所述襯底上的投影至少部分重疊。

2.根據(jù)權利要求1所述的陣列基板，其中，所述輕摻雜漏極區(qū)的寬度的范圍為0.5um～1um。

3.根據(jù)權利要求1或2所述的陣列基板，所述陣列基板進一步包括：設置在所述有源層和所述柵極電極之間的第二絕緣層；

穿過所述第一絕緣層和所述第二絕緣層的過孔；

設置在所述第一絕緣層上的源/漏極電極，所述源/漏極電極經(jīng)由所述過孔與所述源/漏極區(qū)域接觸。

4.根據(jù)權利要求3所述的陣列基板，其中，所述源/漏極區(qū)域的摻雜濃度大于所述輕摻雜漏極區(qū)的摻雜濃度，并且其中，所述源/漏極區(qū)域的摻雜濃度范圍為4.5×10¹⁵～6×10¹⁵離子/cm³，所述輕摻雜漏極區(qū)的摻雜濃度范圍為5×10¹²～4.5×10¹⁵離子/cm³。

5.一種顯示面板，包括根據(jù)權利要求1-4中任一項所述的陣列基板。

6.一種顯示裝置，包括根據(jù)權利要求5所述的顯示面板。

7.一種陣列基板的制造方法，包括：在襯底上形成有源層；

在所述有源層上形成柵極電極和第一電極；

在所述柵極電極和所述第一電極上形成第一絕緣層；

在所述絕緣層上形成阻擋材料層；

通過一次構圖工藝對所述阻擋材料層進行處理以形成阻擋部和第二電極，其中，所述第二電極在所述襯底上的投影與所述第一電極在所述襯底上的投影至少部分重疊，所述阻擋部的從所述柵極電極的一側向外延伸的部分在所述襯底上的投影位于所述有源層的從所述柵極電極的一側向外延伸的部分在襯底上的投影之內(nèi)；

利用所述阻擋部做掩膜，對所述有源層進行第一摻雜，以形成位于有源層的溝道區(qū)兩側的源/漏極區(qū)域和設置在所述溝道區(qū)與所述源/漏極區(qū)域之間的輕摻雜漏極區(qū)，

其中，所述阻擋部具有開口，所述開口在所述襯底上的投影與所述柵極電極在所述襯底上的投影至少部分重疊。

8.根據(jù)權利要求7所述的陣列基板的制造方法，所述輕摻雜漏極區(qū)的寬度的范圍為0.5um～1um。

9.根據(jù)權利要求8所述的陣列基板的制造方法，其中，所述第一摻雜的摻雜能量為30Kev～40Kev。

10.根據(jù)權利要求9所述的陣列基板的制造方法，其中，所述源/漏極區(qū)域的摻雜濃度大于所述輕摻雜漏極區(qū)的摻雜濃度，并且其中，所述源/漏極區(qū)域的摻雜濃度范圍為4.5×10¹⁵～6×10¹⁵離子/cm³，所述輕摻雜漏極區(qū)的摻雜濃度范圍為5×10¹²～4.5×10¹⁵離子/cm³。

11.根據(jù)權利要求10所述的陣列基板的制造方法，其中，所述溝道區(qū)的導電類型為N型，所述輕摻雜漏極區(qū)的導電類型和所述源/漏極區(qū)域的摻雜區(qū)域的導電類型為P型。