[發明專利]雙氧水穩定劑及包含其的蝕刻組合物

有效

• 申請號: 201710425495.6
• 申請日: 2017-06-08
• 公開（公告）號: CN107475715B
• 公開（公告）日: 2022-04-08
• 發明（設計）人: 李明翰;李寶研;安鎬源;樸鐘模;金世訓
• 申請（專利權）人: 易案愛富科技有限公司
• 主分類號: C23F1/18
• 分類號: C23F1/18;C23F1/26;C23F1/30
• 代理公司: 上海弼興律師事務所 31283
• 代理人: 薛琦

本發明提供雙氧水穩定劑及包含其的蝕刻組合物，本發明的蝕刻組合物通過包含本發明的雙氧水穩定劑，來當進行蝕刻工序時，防止過氧化氫的分解，并控制金屬界面的過蝕刻，從而具有優秀的蝕刻特性。

技術領域

本發明涉及雙氧水穩定劑及包含其的蝕刻組合物，更詳細地涉及包含雙氧水穩定劑及其的用作薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)的電極等的使用于過渡金屬膜的蝕刻的蝕刻組合物。

背景技術

通常，在半導體裝置中在基板上形成金屬接線的過程包括：濺射工序，用于形成金屬膜；基于光敏抗蝕劑涂敷、曝光及顯像的蝕刻工序所需的圖案的光敏抗蝕劑形成工序；蝕刻工序，用于形成接線；以及剝離工序，用于去除形成接線后無需的光敏抗蝕劑。

為了制備半導體裝置及薄膜晶體管液晶顯示器的基板，作為薄膜晶體管(TFT)的柵極和數據線電極用接線材料通常使用鋁或鋁合金層，但是為了實現大型顯示器，需要減少電極用接線的電阻，為此進行在形成接線中使用作為電阻低的金屬的銅的試圖。

由此，還進行使用于銅膜蝕刻的與蝕刻組合物相關的研究，通常為了對由這種銅形成的接線的銅膜進行蝕刻，主要利用過氧化氫類或過氧單磺酸鉀類蝕刻組合物。

但是，過氧單磺酸鉀類蝕刻組合物具有蝕刻速度緩慢，具有基于經時的不穩定性的缺點，過氧化氫類蝕刻組合物還具有蝕刻組合物本身被分解或因基于經時的急劇的變化仍然不穩定的缺點。

為了解決上述問題，在韓國公開專利第2010-0040352號中公知包含過氧化氫、磷酸、磷酸鹽、螯合劑及環狀胺化合物的過氧化氫類蝕刻組合物。

但是仍然產生歧化反應，來存在蝕刻組合物本身分解而不穩定的缺點，尤其，環狀胺化合物與進行銅膜蝕刻時所產生的銅離子相結合，在上述情況下，具有如下問題：在蝕刻組合物內存在氯離子的情況下，若氯離子和上述結合物反應，則產生難溶性的析出物等。

另一方面，為了形成接線利用銅膜的工序存在與硅絕緣膜的粘結力降低的溫蒂。為了彌補這種銅膜的缺點將鈦、鉬合金、鉬等用作下部阻隔金屬。

在阻隔金屬為鈦、鉬合金的情況下，因化學性質具有需要僅利用特定離子或特定條件進行蝕刻的缺點，在阻隔金屬為鉬的情況下，與有利的銅/鈦、銅/鉬合金膜相比，蝕刻工序具有與銅膜和鉬膜的粘結力降低的缺點。尤其，在銅膜和鉬膜的粘結力降低的部分中使基于蝕刻組合物的浸透的過蝕刻現象深化

因此，需求仍然既可適用于多種金屬膜，又可有效地進行蝕刻的與蝕刻組合物有關的研究。

現有技術文獻

專利文獻：韓國公開專利第10-2010-0040352號

發明內容

技術問題

本發明提供使過氧化氫穩定的雙氧水穩定劑。

本發明提供包含本發明的雙氧水穩定劑的蝕刻組合物，具體地提供過渡金屬用蝕刻組合物，通過包含使過氧化氫穩定而防止蝕刻組合物本身的分解的雙氧水穩定劑，來具有優秀的蝕刻性能，并具有處理量增加及蝕刻均勻性。

并且，本發明提供蝕刻組合物，通過包含本發明的雙氧水穩定劑，來可進行包含單一膜或銅等的雙重金屬膜的高選擇性的蝕刻，并抑制過氧化氫的分解反應來可進行穩定的蝕刻工序。

技術方案

本發明提供包含劃時代的使雙氧水穩定的己胺的雙氧水穩定劑。

并且，本發明替老公可進行高穩定性及高選擇性蝕刻的蝕刻組合物，本發明的蝕刻組合物包含過氧化氫及本發明的雙氧水穩定劑。

本發明一實施例的蝕刻組合物還可包含蝕刻抑制劑及螯合劑。