[發明專利]一種納米顆粒空間原子層沉積連續包覆裝置及方法有效
| 申請號: | 201710423764.5 | 申請日: | 2017-06-07 |
| 公開(公告)號: | CN107254675B | 公開(公告)日: | 2019-07-09 |
| 發明(設計)人: | 陳蓉;巴偉明;曲鍇;李云;曹坤;但威 | 申請(專利權)人: | 華中科技大學 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455;C23C16/44;C23C16/54;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 武漢東喻專利代理事務所(普通合伙) 42224 | 代理人: | 李佑宏 |
| 地址: | 430074 湖北*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 納米 顆粒 空間 原子 沉積 連續 裝置 方法 | ||
1.一種納米顆粒空間原子層沉積連續包覆裝置,其特征在于,包括依次連接的第一、第二、第三及第四級管路單元;
其中,所述第一級管路單元為吸附單元,包括驅動氣源、管路(4)、粉體補給裝置(2)、第一前驅體(3)以及清洗腔室(5),所述驅動氣源設于所述管路(4)的一端,用于為所述第一級管路單元提供充足的驅動氣體,所述粉體補給裝置(2)和第一前驅體(3)間隔一定距離設于所述管路(4)的兩側,所述粉體補給裝置(2)用于控制所述納米顆粒進入管路(4)中,所述第一前驅體(3)用于為第一級管路單元提供前驅體,所述清洗腔室(5)一端與所述管路(4)一端連接,另一端與所述第二級管路單元連接,用于提供第一前驅體(3),并使第一前驅體(3)在納米顆粒的表面完成吸附;
所述粉體補給裝置(2)包括進料口(8)、螺旋進給裝置(9)出料口(10)及驅動電機(7),其中,所述進料口(8)為錐形結構,便于所述粉體進入螺旋進給裝置(9)中,所述驅動電機(7)與所述螺旋進給裝置(9)的一端連接,用于驅動所述螺旋進給裝置(9)轉動,所述螺旋進給裝置(9)的中間部分設有出料口(10),所述出料口(10)與第一級管路單元連接;
所述第三級管路單元為反應單元,包括驅動氣體、管路(4)、第二前驅體(6)以及清洗腔室(5),所述驅動氣源設于所述管路(4)的一端,用于為所述第三級管路單元提供充足的驅動氣體,所述第二前驅體(6)設于管路(4)上,用于為第三級管路單元提供前驅體,所述清洗腔室(5)一端與所述管路(4)一端連接,另一端與所述第四級管路單元連接,用于提供第二前驅體(6),并使第二前驅體(6)與所述納米顆粒表面的第一前驅體(3)發生反應,以在納米顆粒表面生成單分子薄膜層;
所述第二、第四級管路單元為清洗單元,用于對所述納米顆粒進行清洗,排出多余的第一前驅體(3)、第二前驅體(6)或反應產生的副產物;
通過所述第一、第二、第三及第四級管路單元的相互配合,可實現所述納米顆粒的清洗及表面原子層沉積,使納米顆粒連續通過多級管道完成原子層沉積反應的多個過程,從而實現所述納米顆粒的均勻和快速包覆。
2.根據權利要求1所述的一種納米顆粒空間原子層沉積連續包覆裝置,其特征在于,所述第二級管路單元和第四級管路單元結構相同,用于清洗所述納米顆粒,并隔離第一、第三級管路單元,避免不同前驅體的交叉污染,包括驅動氣源、管路(4)和清洗腔室(5),所述驅動氣源和清洗腔室(5)分別設于所述管路(4)的兩端。
3.根據權利要求2所述的一種納米顆粒空間原子層沉積連續包覆裝置,其特征在于,所述驅動氣源為氮氣源(1)。
4.根據權利要求2或3所述的一種納米顆粒空間原子層沉積連續包覆裝置,其特征在于,所述管路(4)為細長體不銹鋼管。
5.根據權利要求1所述的一種納米顆粒空間原子層沉積連續包覆裝置,其特征在于,所述清洗腔室(5)的周圍設有過濾網,其網格的大小為2000~3000目。
6.根據權利要求1所述的一種納米顆粒空間原子層沉積連續包覆裝置,其特征在于,所述第一、第二、第三及第四級管路單元通過標準管道接口連接,用于保證氣路的密封性。
7.根據權利要求1或2所述的一種納米顆粒空間原子層沉積連續包覆裝置,其特征在于,所述驅動氣源與管路(4)、粉體補給裝置(2)與管路(4)、第一、第二前驅體與管路(4)之間均設有閥門,所述閥門與電磁閥連接,用于控制管路(4)的通斷。
8.根據權利要求1所述的一種納米顆粒空間原子層沉積連續包覆裝置,其特征在于,所述螺旋進給裝置(9)包括螺旋葉片和中心軸,所述中心軸的一端與所述驅動電機(7)的輸出軸連接,所述驅動電機(7)用于帶動所述中心軸轉動,所述螺旋葉片隨所述中心軸轉動并帶動所述納米顆粒運動。
9.根據權利要求1所述的一種納米顆粒空間原子層沉積連續包覆裝置,其特征在于,所述出料口(10)兩側螺旋葉片的螺旋方向相反,便于使所述納米顆粒繼續向出料口(10)方向運動,減小粉體損失。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





