[發(fā)明專利]一種納米顆粒空間原子層沉積連續(xù)包覆裝置及方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710423764.5 | 申請日: | 2017-06-07 |
| 公開(公告)號: | CN107254675B | 公開(公告)日: | 2019-07-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳蓉;巴偉明;曲鍇;李云;曹坤;但威 | 申請(專利權(quán))人: | 華中科技大學(xué) |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455;C23C16/44;C23C16/54;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 武漢東喻專利代理事務(wù)所(普通合伙) 42224 | 代理人: | 李佑宏 |
| 地址: | 430074 湖北*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 納米 顆粒 空間 原子 沉積 連續(xù) 裝置 方法 | ||
1.一種納米顆粒空間原子層沉積連續(xù)包覆裝置,其特征在于,包括依次連接的第一、第二、第三及第四級管路單元;
其中,所述第一級管路單元為吸附單元,包括驅(qū)動(dòng)氣源、管路(4)、粉體補(bǔ)給裝置(2)、第一前驅(qū)體(3)以及清洗腔室(5),所述驅(qū)動(dòng)氣源設(shè)于所述管路(4)的一端,用于為所述第一級管路單元提供充足的驅(qū)動(dòng)氣體,所述粉體補(bǔ)給裝置(2)和第一前驅(qū)體(3)間隔一定距離設(shè)于所述管路(4)的兩側(cè),所述粉體補(bǔ)給裝置(2)用于控制所述納米顆粒進(jìn)入管路(4)中,所述第一前驅(qū)體(3)用于為第一級管路單元提供前驅(qū)體,所述清洗腔室(5)一端與所述管路(4)一端連接,另一端與所述第二級管路單元連接,用于提供第一前驅(qū)體(3),并使第一前驅(qū)體(3)在納米顆粒的表面完成吸附;
所述粉體補(bǔ)給裝置(2)包括進(jìn)料口(8)、螺旋進(jìn)給裝置(9)出料口(10)及驅(qū)動(dòng)電機(jī)(7),其中,所述進(jìn)料口(8)為錐形結(jié)構(gòu),便于所述粉體進(jìn)入螺旋進(jìn)給裝置(9)中,所述驅(qū)動(dòng)電機(jī)(7)與所述螺旋進(jìn)給裝置(9)的一端連接,用于驅(qū)動(dòng)所述螺旋進(jìn)給裝置(9)轉(zhuǎn)動(dòng),所述螺旋進(jìn)給裝置(9)的中間部分設(shè)有出料口(10),所述出料口(10)與第一級管路單元連接;
所述第三級管路單元為反應(yīng)單元,包括驅(qū)動(dòng)氣體、管路(4)、第二前驅(qū)體(6)以及清洗腔室(5),所述驅(qū)動(dòng)氣源設(shè)于所述管路(4)的一端,用于為所述第三級管路單元提供充足的驅(qū)動(dòng)氣體,所述第二前驅(qū)體(6)設(shè)于管路(4)上,用于為第三級管路單元提供前驅(qū)體,所述清洗腔室(5)一端與所述管路(4)一端連接,另一端與所述第四級管路單元連接,用于提供第二前驅(qū)體(6),并使第二前驅(qū)體(6)與所述納米顆粒表面的第一前驅(qū)體(3)發(fā)生反應(yīng),以在納米顆粒表面生成單分子薄膜層;
所述第二、第四級管路單元為清洗單元,用于對所述納米顆粒進(jìn)行清洗,排出多余的第一前驅(qū)體(3)、第二前驅(qū)體(6)或反應(yīng)產(chǎn)生的副產(chǎn)物;
通過所述第一、第二、第三及第四級管路單元的相互配合,可實(shí)現(xiàn)所述納米顆粒的清洗及表面原子層沉積,使納米顆粒連續(xù)通過多級管道完成原子層沉積反應(yīng)的多個(gè)過程,從而實(shí)現(xiàn)所述納米顆粒的均勻和快速包覆。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種納米顆粒空間原子層沉積連續(xù)包覆裝置,其特征在于,所述第二級管路單元和第四級管路單元結(jié)構(gòu)相同,用于清洗所述納米顆粒,并隔離第一、第三級管路單元,避免不同前驅(qū)體的交叉污染,包括驅(qū)動(dòng)氣源、管路(4)和清洗腔室(5),所述驅(qū)動(dòng)氣源和清洗腔室(5)分別設(shè)于所述管路(4)的兩端。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種納米顆??臻g原子層沉積連續(xù)包覆裝置,其特征在于,所述驅(qū)動(dòng)氣源為氮?dú)庠?1)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的一種納米顆??臻g原子層沉積連續(xù)包覆裝置,其特征在于,所述管路(4)為細(xì)長體不銹鋼管。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種納米顆??臻g原子層沉積連續(xù)包覆裝置,其特征在于,所述清洗腔室(5)的周圍設(shè)有過濾網(wǎng),其網(wǎng)格的大小為2000~3000目。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種納米顆??臻g原子層沉積連續(xù)包覆裝置,其特征在于,所述第一、第二、第三及第四級管路單元通過標(biāo)準(zhǔn)管道接口連接,用于保證氣路的密封性。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種納米顆??臻g原子層沉積連續(xù)包覆裝置,其特征在于,所述驅(qū)動(dòng)氣源與管路(4)、粉體補(bǔ)給裝置(2)與管路(4)、第一、第二前驅(qū)體與管路(4)之間均設(shè)有閥門,所述閥門與電磁閥連接,用于控制管路(4)的通斷。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種納米顆??臻g原子層沉積連續(xù)包覆裝置,其特征在于,所述螺旋進(jìn)給裝置(9)包括螺旋葉片和中心軸,所述中心軸的一端與所述驅(qū)動(dòng)電機(jī)(7)的輸出軸連接,所述驅(qū)動(dòng)電機(jī)(7)用于帶動(dòng)所述中心軸轉(zhuǎn)動(dòng),所述螺旋葉片隨所述中心軸轉(zhuǎn)動(dòng)并帶動(dòng)所述納米顆粒運(yùn)動(dòng)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種納米顆粒空間原子層沉積連續(xù)包覆裝置,其特征在于,所述出料口(10)兩側(cè)螺旋葉片的螺旋方向相反,便于使所述納米顆粒繼續(xù)向出料口(10)方向運(yùn)動(dòng),減小粉體損失。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機(jī)材料為特征的





