[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件和通信電路在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710422664.0 | 申請(qǐng)日: | 2017-06-07 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107492547A | 公開(公告)日: | 2017-12-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 內(nèi)田慎一;藏本貴文 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 瑞薩電子株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L27/02 | 分類號(hào): | H01L27/02;H01L27/092 |
| 代理公司: | 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司11219 | 代理人: | 韓峰,孫志湧 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體器件 通信 電路 | ||
1.一種半導(dǎo)體器件,包括:
襯底;
第一電路,所述第一電路被設(shè)置在所述襯底的第一區(qū)域中;
第二電路,所述第二電路被設(shè)置在所述襯底的第二區(qū)域中,所述第二電路被配置為與所述第一電路選擇性地操作;
第一電感器,所述第一電感器被設(shè)置在所述第二區(qū)域中并與所述第一電路相連;以及
第二電感器,所述第二電感器被設(shè)置在所述第一區(qū)域中并與所述第二電路相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,進(jìn)一步包括:
第一保護(hù)環(huán),所述第一保護(hù)環(huán)被形成為在平面圖中環(huán)繞所述第二電感器;以及
第二保護(hù)環(huán),所述第二保護(hù)環(huán)被形成為在所述平面圖中環(huán)繞所述第一電感器,
其中,
所述第一保護(hù)環(huán)是所述第一電路的電源線或接地線,并且
所述第二保護(hù)環(huán)是所述第二電路的電源線或接地線。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,進(jìn)一步包括:
由被包括在所述第一電路和所述第二電路之中的布線層所形成的遮蔽圖案,
其中,
所述布線層包括形成于所述遮蔽圖案之上的鈍化層,并且
所述第一電感器和所述第二電感器被設(shè)置在所述鈍化層之上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,其中,
所述第一電路通過(guò)第一布線來(lái)被連接至所述第一電感器,所述第一布線被形成為從所述第一區(qū)域延伸至所述第二區(qū)域,并且
所述第二電路通過(guò)第二布線來(lái)被連接至所述第二電感器,所述第二布線被形成為從所述第二區(qū)域延伸至所述第一區(qū)域。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,進(jìn)一步包括:
接收電路,所述接收電路包括所述第一電路和所述第一電感器;以及
發(fā)送電路,所述發(fā)送電路包括所述第二電路和所述第二電感器。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件,其中,
所述接收電路包括被配置為對(duì)接收信號(hào)進(jìn)行放大的接收放大器電路,
所述發(fā)送電路包括被配置為對(duì)發(fā)送信號(hào)進(jìn)行放大的發(fā)送放大器電路,
所述接收放大器電路包括所述第一電路和所述第一電感器,并且
所述發(fā)送放大器電路包括所述第二電路和所述第二電感器。
7.一種通信電路,其包括根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件,該通信電路進(jìn)一步包括:
天線,所述天線被配置為發(fā)送/接收無(wú)線電信號(hào);以及
開關(guān),所述開關(guān)被配置為選擇性地將所述接收電路或所述發(fā)送電路連接至所述天線。
8.一種通信電路,其包括根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件,該通信電路進(jìn)一步包括:
開關(guān),所述開關(guān)與所述第一電感器并聯(lián)連接;
接收放大器,所述接收放大器被連接至所述開關(guān)和所述第一電感器;以及
發(fā)送放大器,所述發(fā)送放大器通過(guò)變壓器來(lái)被連接至所述第一電感器,并且
當(dāng)執(zhí)行接收處理時(shí)所述開關(guān)被斷開,并且當(dāng)執(zhí)行發(fā)送處理時(shí)所述開關(guān)被接通。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,其中,
所述第一電路和所述第二電路中的每一個(gè)包括電容器和MOS晶體管中的至少一個(gè)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,其中,
所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域被布置成彼此相鄰。
11.一種通信電路,其包括根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,其中,
所述第一電路通過(guò)利用第一頻帶中的射頻信號(hào)來(lái)執(zhí)行通信處理,并且
所述第二電路通過(guò)利用與所述第一頻帶不同的第二頻帶中的射頻信號(hào)來(lái)執(zhí)行通信處理。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的通信電路,進(jìn)一步包括:
第一振蕩器,所述第一振蕩器包括所述第一電路和所述第一電感器,所述第一振蕩器被配置為產(chǎn)生所述第一頻帶中的所述射頻信號(hào),以及
第二振蕩器,所述第二振蕩器包括所述第二電路和所述第二電感器,所述第二振蕩器被配置為產(chǎn)生所述第二頻帶中的所述射頻信號(hào)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的通信電路,進(jìn)一步包括:
開關(guān),所述開關(guān)被配置為在用于所述第一振蕩器的信號(hào)路徑與用于所述第二振蕩器的信號(hào)路徑之間切換信號(hào)路徑。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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