[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件和通信電路在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710422664.0 | 申請(qǐng)日: | 2017-06-07 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107492547A | 公開(kāi)(公告)日: | 2017-12-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 內(nèi)田慎一;藏本貴文 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 瑞薩電子株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L27/02 | 分類號(hào): | H01L27/02;H01L27/092 |
| 代理公司: | 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司11219 | 代理人: | 韓峰,孫志湧 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體器件 通信 電路 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件和通信電路。
背景技術(shù)
日本未審專利申請(qǐng)公開(kāi)No.2005-6153公開(kāi)了一種包括兩個(gè)螺旋電感器的電壓控制的振蕩器。在日本未審專利申請(qǐng)公開(kāi)No.2005-6153中所公開(kāi)的電壓控制的振蕩器中,將螺旋電感器設(shè)置在襯底的表面上。具體地說(shuō),將螺旋電感器設(shè)置在最上布線層上。
發(fā)明內(nèi)容
然而,本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)了以下問(wèn)題。在日本未審專利申請(qǐng)公開(kāi)No.2005-6153中所公開(kāi)的電壓控制的振蕩器中,由CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)所形成的可變電容器和負(fù)電阻部分被設(shè)置在電感器之正下方。因此在電感器中產(chǎn)生的反電動(dòng)勢(shì)電流可能會(huì)作為噪聲而影響負(fù)電阻部分。在高速和高頻電路的情況下,尤其是,電容性阻抗小。因此,存在噪聲易于傳播的問(wèn)題。如上所述,存在在日本未審專利申請(qǐng)公開(kāi)No.2005-6153中所公開(kāi)的電路配置容易受到在電感器中產(chǎn)生的噪聲影響的問(wèn)題。
從以下說(shuō)明書和附圖中的描述中可更顯而易見(jiàn)地得知其它目的和新穎特征。
根據(jù)一個(gè)實(shí)施例,半導(dǎo)體器件包括:第一電感器;第二電感器;以及與第二電感器相連的第二電路,該第二電路被設(shè)置成在平面圖中相對(duì)于第一電感器而偏移。
根據(jù)上述實(shí)施例,可以降低在電感器中產(chǎn)生的噪聲的影響。
附圖說(shuō)明
從以下結(jié)合附圖對(duì)某些實(shí)施例的描述可以更顯而易見(jiàn)地得知上述及其它方面、優(yōu)點(diǎn)、以及特征,在附圖中:
圖1是示出了根據(jù)第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的配置的平面圖;
圖2是示出了根據(jù)第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的配置的橫截面;
圖3示出了其中設(shè)置有根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的通信電路的配置;
圖4是示出了包括半導(dǎo)體器件的LNA的示例的電路圖;
圖5是示出了包括半導(dǎo)體器件的PA的示例的電路圖;
圖6是示出了根據(jù)第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的配置的平面圖;
圖7是示出了根據(jù)第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的配置的橫截面;
圖8是示出了根據(jù)第三實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的配置的橫截面;
圖9是示出了半導(dǎo)體器件的遮蔽圖案的示例的平面圖;
圖10是示出了半導(dǎo)體器件的遮蔽圖案的示例的平面圖;
圖11是根據(jù)第四實(shí)施例的通信電路的電路配置;
圖12是用于說(shuō)明圖11所示的通信電路的發(fā)送模式的操作的示意圖;
圖13是用于說(shuō)明圖11所示的通信電路的接收模式的操作的示意圖;
圖14示意性地示出了根據(jù)第五實(shí)施例的通信電路的配置;
圖15示出了第一振蕩器的電路配置的示例;
圖16示出了第二振蕩器的電路配置的示例;
圖17是示出了根據(jù)第六實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的配置的平面圖;
圖18示出了其中設(shè)置有根據(jù)第六實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的通信電路的配置;以及
圖19是示出了根據(jù)修改例的通信電路的配置的方框圖。
具體實(shí)施方式
為了使說(shuō)明變得清楚,可以適當(dāng)?shù)夭糠质÷圆⒑?jiǎn)化以下描述和附圖。此外,在附圖中被示為用于執(zhí)行各種處理的功能塊的每個(gè)單元可是由諸如CPU、存儲(chǔ)器、以及其它類型的電路這樣的硬件來(lái)實(shí)現(xiàn)的或者可以是由諸如加載到存儲(chǔ)器中的程序這樣的軟件來(lái)實(shí)現(xiàn)的。因此,本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解的是這些功能塊可以是由硬件單獨(dú)地實(shí)現(xiàn)的、由軟件單獨(dú)地實(shí)現(xiàn)的、或者由其組合實(shí)現(xiàn)的。也就是說(shuō),它們既不局限于硬件也不局限于軟件。應(yīng)該注意的是在整個(gè)附圖中向相同部件分配相同符號(hào)并且根據(jù)需要省略重復(fù)的說(shuō)明。
可利用任何類型的非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)存儲(chǔ)程序并將其提供給計(jì)算機(jī)。非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)包括任何類型的有形存儲(chǔ)介質(zhì)。非暫時(shí)計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)的示例包括磁存儲(chǔ)介質(zhì)(諸如軟盤、磁帶、硬盤驅(qū)動(dòng)器等)、光磁存儲(chǔ)介質(zhì)(例如磁光盤)、CD-ROM(致密盤只讀存儲(chǔ)器)、CD-R(可記錄致密盤)、CD-R/W(可重寫致密盤)、以及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器(例如掩模ROM、PROM(可編程ROM)、EPROM(可擦除PROM)、閃存ROM、RAM(隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)等)??梢岳萌魏晤愋偷姆菚簳r(shí)性計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)將程序提供給計(jì)算機(jī)。暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)的示例包括電信號(hào)、光信號(hào)、以及電磁波。暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)可通過(guò)有線通信線路(例如電線和光纖)或無(wú)線通信線路將程序提供給計(jì)算機(jī)。
第一實(shí)施例
(半導(dǎo)體器件的配置)
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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