[發(fā)明專利]焊接劈刀及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710419414.1 | 申請日: | 2017-06-06 |
| 公開(公告)號: | CN107275243B | 公開(公告)日: | 2020-11-13 |
| 發(fā)明(設計)人: | 邱基華 | 申請(專利權)人: | 潮州三環(huán)(集團)股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/607 | 分類號: | H01L21/607;C04B35/622;C04B35/10;B28B23/04;B28B3/26 |
| 代理公司: | 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 劉雯 |
| 地址: | 521000 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 焊接 劈刀 及其 制備 方法 | ||
本發(fā)明涉及一種焊接劈刀,連接部及連接所述連接部的刀嘴部,所述焊接劈刀中間部分開設有通路,所述通路自連接部的頂端延伸至刀嘴部的底端,通路連通連接部及刀嘴部;通路包括圓柱槽及連通圓柱槽的錐形槽,圓柱槽的直徑大于錐形槽的直徑。根據(jù)超聲波的自由衰減特性,通路設計為圓柱槽與錐形槽連接而成,提高刀嘴部的質量比重,使超聲傳遞阻尼下降,進而提高超聲波傳遞效率,減少能量的損失;刀嘴部未有可藏納材料殘留的凹槽,無需擔心在焊接過程中因金屬殘留而影響焊接劈刀使用壽命的問題;連接部和刀嘴部耦合連接,中間未過渡段,可通過注射成型和干壓成型的制備方法一體成型制備,易于生產(chǎn)。
技術領域
本發(fā)明涉及導線與半導體設備的焊接工具技術領域,特別是涉及一種焊接劈刀及其制備方法。
背景技術
常見的傳統(tǒng)的焊接劈刀有三種,第一種如圖1的焊接劈刀10,具有一個圓柱主體部分和一個錐形部分,軸向通路從劈刀的尾端延伸到末端,一個引線經(jīng)過軸向通路在末端進行焊接。或者如圖2的焊接劈刀20,焊接劈刀為三段耦合的結構,包括具有第一直徑的第一圓柱部分,小于第一直徑的第二圓柱部分,耦合到第二圓柱部分的錐形部分,軸向通路從劈刀的尾端延伸到末端,一個引線經(jīng)過軸向通路在末端進行焊接。或者如圖3的焊接劈刀30,通過在內倒角處設計多個凹槽,來提高超聲能量的傳遞效率。以上焊接劈刀存在以下幾個缺陷:1)未充分考慮結構對超聲能量的傳導效率的影響,以致超聲能量的傳導效率較低,加大了能耗;2)三段耦合結構的加工難度大;3)在內倒角處設計多個凹槽的超聲波傳遞效率提升不明顯;4)凹槽結構焊接過程中金屬殘留嚴重,劈刀壽命大大減少;5)凹槽寬度和深度難以控制,加工手段不完善。
發(fā)明內容
基于此,本發(fā)明提供一種焊接劈刀及其制備方法,其焊接劈刀具有易于加工,合理設計通路的結構,減小阻尼,提高了超聲傳遞效率,刀嘴不易殘留金屬的特點。
為了實現(xiàn)本發(fā)明的目的,本發(fā)明采用以下技術方案:
一種焊接劈刀,包括連接部及連接連接部的刀嘴部,焊接劈刀中間部分開設有通路,通路自連接部的頂端延伸至刀嘴部的底端,通路連通連接部及刀嘴部;通路包括圓柱槽及連通圓柱槽的錐形槽。
上述焊接劈刀,根據(jù)超聲波的自由衰減特性,通路設計為圓柱槽與錐形槽連接而成,提高刀嘴部的質量比重,使超聲傳遞的阻尼下降,進而提高超聲波傳遞效率,減少能量的損失;刀嘴部未有可藏納材料殘留的凹槽,無需擔心在焊接過程中因金屬殘留而影響焊接劈刀使用壽命的問題;連接部和刀嘴部耦合連接,中間未設有過渡段,可通過注射成型和干壓成型的制備方法一體成型制備,加工條件簡易,易于生產(chǎn)。
在其中一個實施例中,連接部呈圓柱形,刀嘴部呈圓錐形。
在其中一個實施例中,圓柱槽的直徑大于錐形槽連接圓柱槽的一端的直徑。
在其中一個實施例中,圓柱槽與錐形槽的連接處的縱截面呈T字形。
在其中一個實施例中,T字形的肩部寬度H為0.05-0.3mm。
在其中一個實施例中,圓柱槽的直徑等于錐形槽連接圓柱槽的一端的直徑。
在其中一個實施例中,連接部與刀嘴部的連接點與圓柱槽與錐形槽的連接點沿軸心延伸方向的高度差h為0.7-1.0mm。
一種焊接劈刀,包括連接部及連接連接部的刀嘴部,焊接劈刀中間部開設有通路,通路自連接部的頂端延伸至刀嘴部的底端,通路連通連接部及刀嘴部的中心,通路呈連續(xù)的錐形結構。
一種焊接劈刀的制備方法,包括以下步驟:
步驟1:稱取足量陶瓷粉末,加入密煉機中進行攪拌并加熱,加熱溫度為190-210℃;
步驟2:加入聚乙烯與聚丙烯粘結劑組分,然后采用密煉機混煉,混煉溫度為185-200℃,轉子轉速為10-13轉/min,攪拌116-125min,獲得混料;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





