[發明專利]電致發光顯示設備及其制備方法

有效

• 申請號: 201710419260.6
• 申請日: 2017-06-06
• 公開（公告）號: CN108269822B
• 公開（公告）日: 2022-05-13
• 發明（設計）人: 金重鐵;權峻瑩
• 申請（專利權）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;G09G3/32
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 蔡勝有

1.一種電致發光顯示設備，包括：

像素，所述像素包括：

電致發光二極管；

驅動晶體管，所述驅動晶體管被配置成將電流提供至電致發光二極管；和

開關晶體管，所述開關晶體管被配置成開關被提供至驅動晶體管的信號，

其中，所述驅動晶體管的溝道區和所述開關晶體管的溝道區通過圖案化半導體層而形成，并且所述驅動晶體管的溝道區尺寸不同于所述開關晶體管的溝道區尺寸，以及

其中，所述驅動晶體管的溝道區的邊緣的傾斜角度和所述開關晶體管的溝道區的邊緣的傾斜角度之間的偏差小于或等于10°，其中，所述驅動晶體管的傾斜角度是在所述驅動晶體管的溝道區的邊緣處的半導體層的側面和底面之間形成的角度，所述開關晶體管的傾斜角度是在所述開關晶體管的溝道區的邊緣處的半導體層的側面和底面之間形成的角度。

2.如權利要求1所述的電致發光顯示設備，其中，在用于圖案化所述驅動晶體管和所述開關晶體管的溝道區的干法蝕刻工藝期間，根據O₂氣流比率調整所述驅動晶體管的傾斜角度和所述開關晶體管的傾斜角度之間的偏差。

3.如權利要求1所述的電致發光顯示設備，其中，所述驅動晶體管的傾斜角度和所述開關晶體管的傾斜角度之間的偏差小于或等于5°。

4.如權利要求3所述的電致發光顯示設備，其中，使用等于或大于40％的O₂氣流比率干法蝕刻所述驅動晶體管和所述開關晶體管的溝道區。

5.如權利要求1所述的電致發光顯示設備，其中，所述驅動晶體管的傾斜角度和所述開關晶體管的傾斜角度之間的偏差小于或等于1°。

6.如權利要求5所述的電致發光顯示設備，其中，使用大于或等于50％的O₂氣流比率干法蝕刻所述驅動晶體管和所述開關晶體管的溝道區。

7.如權利要求1所述的電致發光顯示設備，其中，所述驅動晶體管的溝道區的邊緣的傾斜角度和所述開關晶體管的溝道區的邊緣的傾斜角度分別小于或等于20°。

8.如權利要求7所述的電致發光顯示設備，其中，所述驅動晶體管的溝道區的邊緣的傾斜角度和所述開關晶體管的溝道區的邊緣的傾斜角度分別小于或等于10°。

9.如權利要求8所述的電致發光顯示設備，其中，所述驅動晶體管的傾斜角度和所述開關晶體管的傾斜角度之間的偏差小于或等于5°。

10.如權利要求1所述的電致發光顯示設備，其中，所述驅動晶體管的溝道區尺寸大于所述開關晶體管的溝道區尺寸。

11.如權利要求1所述的電致發光顯示設備，其中，所述驅動晶體管和所述開關晶體管的溝道區包括低溫多晶硅層。

12.一種電致發光顯示設備的制造方法，所述方法包括：

在基板上提供用于形成驅動晶體管的溝道區和開關晶體管的溝道區的半導體層；

通過光刻工藝圖案化所述半導體層上的光致抗蝕劑；以及

通過使用設置成從30％至40％或者設置成至少60％的O₂氣流比率的干法蝕刻工藝，圖案化驅動晶體管的溝道區和開關晶體管的溝道區，以使所述驅動晶體管的溝道區的邊緣和所述開關晶體管的溝道區的邊緣分別具有傾斜角度，

其中，所述驅動晶體管的傾斜角度是在所述驅動晶體管的溝道區的邊緣處的半導體層的側面和底面之間形成的角度，所述開關晶體管的傾斜角度是在所述開關晶體管的溝道區的邊緣處的半導體層的側面和底面之間形成的角度，

其中，所述驅動晶體管的溝道區的邊緣的傾斜角度和所述開關晶體管的溝道區的邊緣的傾斜角度之間的偏差小于或等于10°。

13.如權利要求12所述的制造方法，其中，所述半導體層是由激光結晶化的低溫多晶硅層。