[發(fā)明專利]電致發(fā)光顯示設(shè)備及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710419260.6
• 申請(qǐng)日: 2017-06-06
• 公開（公告）號(hào): CN108269822B
• 公開（公告）日: 2022-05-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金重鐵;權(quán)峻瑩
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/15
• 分類號(hào): H01L27/15;G09G3/32
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 蔡勝有

提供了一種電致發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法。一種電致發(fā)光顯示設(shè)備包括像素，所述像素具有：電致發(fā)光二極管、被配置成將電流提供至電致發(fā)光二極管的驅(qū)動(dòng)晶體管、和被配置成開關(guān)提供至驅(qū)動(dòng)晶體管的信號(hào)的開關(guān)晶體管，其中驅(qū)動(dòng)晶體管的溝道區(qū)尺寸不同于開關(guān)晶體管的溝道區(qū)尺寸，且其中驅(qū)動(dòng)晶體管和開關(guān)晶體管的溝道區(qū)的傾斜角度偏差小于或等于10°。

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)要求2016年12月29日提交的韓國申請(qǐng)No.10-2016-0182953的優(yōu)先權(quán)，在此通過參考將其整體并入本文。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及一種顯示設(shè)備，且特別地，涉及一種電致發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法。

背景技術(shù)

電致發(fā)光元件是自發(fā)光元件，其包括陽極、陰極和形成在陽極與陰極間的電致發(fā)光層。電致發(fā)光層包括空穴傳輸層(HTL)、發(fā)光層(EML)和電子傳輸層(ETL)。當(dāng)將電壓施加到陽極和陰極時(shí)，通過組合經(jīng)由空穴傳輸層(HTL)傳輸?shù)目昭ê徒?jīng)由電子傳輸層(ETL)傳輸?shù)碾娮赢a(chǎn)生激子，從而在發(fā)光層(EML)產(chǎn)生可見光。包括自發(fā)光電致發(fā)光元件矩陣的有源矩陣型電致發(fā)光顯示設(shè)備的有利之處在于快響應(yīng)速度、發(fā)光效率、亮度和寬視角特性。由于這些原因，電致發(fā)光顯示設(shè)備被廣泛使用。

電致發(fā)光顯示設(shè)備的多個(gè)像素(P)被設(shè)置成矩陣，每個(gè)像素都分別包括電致發(fā)光二極管(ELD)，其根據(jù)視頻數(shù)據(jù)的灰度級(jí)控制多個(gè)像素的亮度。每個(gè)像素都進(jìn)一步包括驅(qū)動(dòng)晶體管和至少一個(gè)開關(guān)晶體管，驅(qū)動(dòng)晶體管根據(jù)驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極和源極之間的電勢(shì)差控制提供至電致發(fā)光二極管的驅(qū)動(dòng)電流，開關(guān)晶體管編程驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極和源極之間的電勢(shì)差。根據(jù)驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極和源極之間的電勢(shì)差以及驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓確定驅(qū)動(dòng)電流。像素亮度與提供至電致發(fā)光二極管的驅(qū)動(dòng)電流量成比例。

由此，應(yīng)當(dāng)以精確且穩(wěn)定的方式保持驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極和源極之間的電勢(shì)差以按照所需亮度值顯示像素。但是，由于各種原因，每個(gè)電極的電壓可能存在不希望的偏差。

例如，會(huì)存在晶體管閾值電壓(Vth)偏差。而且，柵極線、發(fā)光線和數(shù)據(jù)線會(huì)與任意鄰近電極產(chǎn)生寄生電容。結(jié)果，當(dāng)改變柵極信號(hào)、發(fā)光信號(hào)和數(shù)據(jù)信號(hào)時(shí)，在相鄰電極處產(chǎn)生回掃電壓(kickback voltage)。此時(shí)，對(duì)于產(chǎn)生回掃電壓的相鄰電極，會(huì)根據(jù)位置關(guān)系以不均勻方式產(chǎn)生回掃電壓。

已經(jīng)嘗試通過執(zhí)行內(nèi)部補(bǔ)償電路或者外部補(bǔ)償電路技術(shù)補(bǔ)償這種閾值電壓偏差(△Vth)。

發(fā)明內(nèi)容

由此，本公開涉及一種電致發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法，其基本避免了由于現(xiàn)有技術(shù)的限制和缺陷導(dǎo)致的一個(gè)或多個(gè)問題。

本公開的一方面提供了一種電致發(fā)光顯示設(shè)備，其包括具有驅(qū)動(dòng)晶體管和開關(guān)晶體管的像素，兩種晶體管具有不同的溝道區(qū)域尺寸，并且減小了傾斜角度偏差。

在下文的描述中列出了其他特征和方面，且根據(jù)下文描述一部分特征和方面是顯而易見的，或者是通過實(shí)踐本文提供的發(fā)明理念可獲知的?？赏ㄟ^所撰寫的描述中特別指出或引申出的結(jié)構(gòu)以及權(quán)利要求和所附附圖，認(rèn)識(shí)到或獲得該發(fā)明理念的其他特征和方面。

為了實(shí)現(xiàn)該發(fā)明理念的這些或其他方面，如所體現(xiàn)且廣泛描述的，一種電致發(fā)光顯示設(shè)備可包括：像素，所述包括：電致發(fā)光二極管、被配置成將電流提供至電致發(fā)光二極管的驅(qū)動(dòng)晶體管、和被配置成開關(guān)提供至驅(qū)動(dòng)晶體管的信號(hào)的開關(guān)晶體管，其中驅(qū)動(dòng)晶體管的溝道區(qū)域尺寸不同于開關(guān)晶體管的溝道區(qū)域尺寸，且其中驅(qū)動(dòng)晶體管和開關(guān)晶體管的溝道區(qū)域的邊緣的傾斜角度偏差小于或等于10°。

而且，在一種電致發(fā)光顯示設(shè)備的制造方法中，所述方法可包括：在基板上提供用于形成驅(qū)動(dòng)晶體管的溝道區(qū)和開關(guān)晶體管的溝道區(qū)的半導(dǎo)體層；通過光刻工藝圖案化所述半導(dǎo)體層上的光致抗蝕劑；和通過使用至少30％的O₂氣流比率的干法蝕刻工藝，圖案化驅(qū)動(dòng)晶體管的溝道區(qū)和開關(guān)晶體管的溝道區(qū)，以使所述驅(qū)動(dòng)晶體管的溝道區(qū)的邊緣和所述開關(guān)晶體管的溝道區(qū)的邊緣分別具有傾斜角度。