[發明專利]無鉛高體電阻率低溫封接玻璃有效

申請號：	201710418311.3	申請日：	2017-06-06
公開（公告）號：	CN107117819B	公開（公告）日：	2020-06-09
發明（設計）人：	鄭濤;呂景文;胥馨;祝佳祺	申請（專利權）人：	長春理工大學
主分類號：	C03C8/24	分類號：	C03C8/24;C03C3/247
代理公司：	長春菁華專利商標代理事務所(普通合伙) 22210	代理人：	陶尊新
地址：	130022 吉林***	國省代碼：	吉林;22
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摘要：
搜索關鍵詞：	無鉛高體電阻率低溫玻璃
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【說明書】：

無鉛高體電阻率低溫封接玻璃屬于封接材料技術領域。現有封接玻璃的封接溫度過高，絕緣性較差。本發明之無鉛高體電阻率低溫封接玻璃其特征在于，各組分的重量百分配比為：P₂O₅ 20～40％，B₂O₃ 5～20％，SnF₂ 30～50％，SnO 5～20％，TiO₂ 5～20％；封接溫度為280～400℃，體電阻率Rv為780～910MΩ。所述低溫封接玻璃應用于通訊、測量、傳輸、顯示等領域所使用的儀器儀表或電子元器件的制造中。

技術領域

本發明涉及一種無鉛高體電阻率低溫封接玻璃，所述低溫封接玻璃應用于通訊、測量、傳輸、顯示等領域所使用的儀器儀表或電子元器件的制造中，屬于封接材料技術領域。

背景技術

相比于有機封接材料，封接玻璃耐久、牢固，在所封接的儀器儀表或者電子元器件的使用中，耐高溫。同時，與對有機封接材料的要求相同，也需要封接玻璃無毒、絕緣、耐候。作為玻璃材料，封接玻璃在封接儀器儀表或者電子元器件的過程中，封接溫度要比有機封接材料高，為了避免損壞被封接儀器儀表或者電子元器件，封接溫度應該控制在400～600℃之間，最高不超過700℃，當然，封接玻璃的封接溫度越低越好。封接玻璃的封接溫度也就是液態化溫度，封接溫度高于玻璃的軟化溫度，軟化溫度高于轉變溫度。

美國專利第5021366號公開了一種無氟磷酸鹽玻璃，玻璃各組分的摩爾百分配比為：P₂O₅30～36％，ZrO₂10～33％，R₂O 15～25％，RO 15～25％，另外還含有氧化鋁、氧化錫、氧化鉛等組分。該玻璃的軟化溫度為400～430℃，可見，作為封接材料，該玻璃的封接溫度勢必過高。另外，該玻璃含鉛；較大比例的堿金屬氧化物組分也使得該玻璃的絕緣性下降。

美國專利第6306783號公開了一種封接玻璃，玻璃各組分的摩爾百分配比為：SnO30～80％，B₂O₃5～60％，P₂O₅5～24％，ZnO 0～25％，WO₃3～20％，MoO₃3～5％，TiO₂0～15％，ZrO₂0～15％，CuO 0～10％，R₂O 2～35％，該玻璃的轉變溫度為280～380℃，封接溫度為450～500℃，流動半徑為22～26mm。不過，該玻璃依然含有堿金屬氧化物組分。當然，封接溫度如果能進一步降低則更為理想。

日本專利第H7-69672號公開了一種封接玻璃，玻璃各組分的摩爾百分配比為：P₂O₅25～50％，SnO 30～70％，ZnO 0～25％，在此基礎上添加適量的B₂O₃、WO₃、Li₂O等，SnO/ZnO大于5:1，該玻璃的封接溫度為350～450℃，采用填充劑來降低玻璃的膨脹系數。不過，填充劑的加入影響到玻璃封接時的流動性和封接的氣密性。再有，該玻璃依然含有堿金屬氧化物組分；同時，還希望能夠進一步降低封接溫度。

中國專利201010190237.2提出了一種無鉛低熔電子顯示器封接玻璃及其制備方法，該玻璃各組分的質量百分配比為：ZnO 10～45wt％，P₂O₅10～45wt％，V₂O₅5～35wt％，B₂O₃1～10wt％，Al₂O₃1～10wt％，Fe₂O₃1～10wt％，玻璃的軟化溫度為300～360℃。然而，該封接玻璃含有較大比例的有毒的V₂O₅；所述制備方法在熔制過程中易起泡，污染生產環境，且降低原料利用率。再有，封接溫度有待進一步降低。