[發(fā)明專利]陣列基板及其制備方法和顯示裝置

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201710417593.5
• 申請日: 2017-06-02
• 公開（公告）號: CN108987411A
• 公開（公告）日: 2018-12-11
• 發(fā)明（設計）人: 張鋒;呂志軍;劉文渠;董立文;張世政;黨寧
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L27/32
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權代理有限公司 11112
• 代理人: 羅瑞芝;陳源

1.一種陣列基板，其特征在于，包括依次設置在基板上的第一膜層和第二膜層，所述第二膜層劃分為第二膜層去除區(qū)和第二膜層保留區(qū)，所述第一膜層在對應著所述第二膜層去除區(qū)的區(qū)域設置有墊高部。

2.根據(jù)權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第二膜層包括可濕刻的材料。

3.根據(jù)權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述第一膜層在對應著所述第二膜層保留區(qū)的區(qū)域還設置有保留部，所述保留部的高度小于所述墊高部的高度。

4.根據(jù)權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述第一膜層為平坦層，所述第二膜層為陽極；

或者，所述第一膜層為鈍化層，所述第二膜層為像素電極；

或者，所述第一膜層為絕緣層，所述第二膜層為公共電極。

5.根據(jù)權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述第一膜層下方設置有導電圖形，所述第一膜層開設有過孔，所述第二膜層和所述可濕刻的材料通過所述過孔連接。

6.根據(jù)權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，僅在對應著所述第二膜層去除區(qū)的區(qū)域設置有所述第一膜層。

7.根據(jù)權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述墊高部的上表面相對于所述保留部的上表面的高度大1-3μm。

8.根據(jù)權利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述墊高部的上表面相對于未設置所述墊高部的上表面的高度大1-3μm。

9.一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求1-8任一項所述的陣列基板。

10.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括采用構圖工藝形成第一膜層和第二膜層的步驟，所述第二膜層劃分為第二膜層去除區(qū)和第二膜層保留區(qū)，所述第一膜層在對應著所述第二膜層去除區(qū)的區(qū)域形成有墊高部。

11.根據(jù)權利要求10所述的制備方法，其特征在于，所述第二膜層包括可濕刻的材料。

12.根據(jù)權利要求11所述的制備方法，其特征在于，所述第一膜層在對應著所述第二膜層保留區(qū)的區(qū)域還形成有保留部，所述保留部的高度小于所述墊高部的高度。

13.根據(jù)權利要求12所述的制備方法，其特征在于，所述第一膜層下方形成有導電圖形，所述第一膜層開設有過孔，所述第二膜層和所述可濕刻的材料通過所述過孔連接。

14.根據(jù)權利要求13所述的制備方法，其特征在于，所述第一膜層為平坦層，所述第二膜層為陽極。

15.根據(jù)權利要求14所述的制備方法，其特征在于，形成所述第一膜層包括步驟：

形成第一膜層材料層；

采用半色調(diào)掩模板或灰色調(diào)掩模板對所述第一膜層材料層進行曝光和顯影工藝，以形成第一膜層材料層完全去除區(qū)，第一膜層材料層部分保留區(qū)和第一膜層材料層完全保留區(qū)；

其中所述第一膜層材料層完全去除區(qū)對應為所述過孔區(qū)域，所述第一膜層材料層完全保留區(qū)對應為所述墊高部，所述第一膜層材料層部分保留區(qū)對應為所述保留部。

16.根據(jù)權利要求11所述的制備方法，其特征在于，僅在對應著所述第二膜層去除區(qū)的區(qū)域形成有所述第一膜層。

17.根據(jù)權利要求16所述的制備方法，其特征在于，形成所述第一膜層包括步驟：

形成第一膜層材料層；

采用掩模板對所述第一膜層材料層進行曝光，去除所述第一膜層材料層中對應著除所述墊高部以外的材料。