[發明專利]陣列基板及其制備方法和顯示裝置

在審

• 申請號: 201710417593.5
• 申請日: 2017-06-02
• 公開（公告）號: CN108987411A
• 公開（公告）日: 2018-12-11
• 發明（設計）人: 張鋒;呂志軍;劉文渠;董立文;張世政;黨寧
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L27/32
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 羅瑞芝;陳源

本發明屬于顯示技術領域，具體涉及一種陣列基板、陣列基板的制備方法和顯示裝置。該陣列基板包括依次設置在基板上的第一膜層和第二膜層，所述第二膜層劃分為第二膜層去除區和第二膜層保留區，所述第一膜層在對應著所述第二膜層去除區的區域設置有墊高部。本發明中的陣列基板，能有效解決在陣列基板制備工藝中某一層圖形在濕法刻蝕過程中，因存在刻蝕液和圖形材料在一些封閉空間或兩線形成的狹窄間隙內容易出現浸潤不夠徹底，影響最終的陣列基板的良率的問題。

技術領域

本發明屬于顯示技術領域，具體涉及一種陣列基板、陣列基板的制備方法和顯示裝置。

背景技術

隨著科學技術的不斷進步，視覺資訊在人們的生活中的地位越來越重要，因而承載視覺資訊信息的平板顯示器件也在人們生活中占據了越來越重要的地位。這些平板顯示器件包括液晶顯示器件(Liquid Crystal Display，簡稱LCD)、有機發光二極管(OrganicLight-Emitting Diode，簡稱OLED)等。

這些平板顯示器件通常通過半導體工藝形成作為誘發光通斷控制或發光與否的控制器件，并在控制器件上方形成誘發光通斷控制或發光與否的光器件，從而完成圖像顯示。目前，控制器件通常為薄膜晶體管，薄膜晶體管包括柵極、有源層、源極、漏極以及必要的絕緣層；根據顯示原理不同，光器件包括陽極(Anode)、像素電極的組合以及液晶盒等不同結構。

在顯示器件制備過程中，尤其是薄膜晶體管的陣列基板的制備過程中，當通過刻蝕工藝形成某一圖形時，常因圖形處于封閉空間或兩線形成的狹窄間隙中而出現刻蝕不夠徹底，出現材料殘留而導致的不良。例如，如圖1所示，使用ITO/Ag/ITO作為陽極的陣列基板中，由于刻蝕液和陽極表面在一些封閉空間內容易出現浸潤不夠徹底的情況，因此容易在刻蝕后出現陽極殘留(Remain)的現象，從而出現不良，影響最終的陣列基板的良率。

可見，如何解決陣列基板在制備過程中在刻蝕圖形過程中出現材料殘留的情況成為目前亟待解決的技術問題。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是針對現有技術中上述不足，提供一種陣列基板、陣列基板的制備方法和顯示裝置，能有效解決陣列基板在制備過程中在刻蝕圖形過程中出現材料殘留的問題。

解決本發明技術問題所采用的技術方案是該陣列基板，包括依次設置在基板上的第一膜層和第二膜層，所述第二膜層劃分為第二膜層去除區和第二膜層保留區，所述第一膜層在對應著所述第二膜層去除區的區域設置有墊高部。

優選的是，所述第二膜層包括可濕刻的材料。

一種實施方式中，優選的是，所述第一膜層在對應著所述第二膜層保留區的區域還設置有保留部，所述保留部的高度小于所述墊高部的高度。

優選的是，所述第一膜層為平坦層，所述第二膜層為陽極；

或者，所述第一膜層為鈍化層，所述第二膜層為像素電極；

或者，所述第一膜層為絕緣層，所述第二膜層為公共電極。

優選的是，所述第一膜層下方設置有導電圖形，所述第一膜層開設有過孔，所述第二膜層和所述可濕刻的材料通過所述過孔連接。

優選的是，所述墊高部的上表面相對于所述保留部的上表面的高度大1-3μm。

另一種實施方式中，優選的是，僅在對應著所述第二膜層去除區的區域設置有所述第一膜層。

優選的是，所述墊高部的上表面相對于未設置所述墊高部的上表面的高度大于1-3μm。

一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。

一種陣列基板的制備方法，包括采用構圖工藝形成第一膜層和第二膜層的步驟，所述第二膜層劃分為第二膜層去除區和第二膜層保留區，所述第一膜層在對應著所述第二膜層去除區的區域形成有墊高部。