[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝件及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710416694.0 | 申請日: | 2017-06-06 |
| 公開(公告)號: | CN107546210A | 公開(公告)日: | 2018-01-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 許峰誠;洪瑞斌;鄭心圃 | 申請(專利權(quán))人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/498 | 分類號: | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司: | 北京德恒律治知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11409 | 代理人: | 章社杲,李偉 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 封裝 及其 制造 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明的實施例涉及半導(dǎo)體封裝件及其制造方法。
背景技術(shù)
半導(dǎo)體器件用于諸如個人電腦、手機、數(shù)碼相機和其它電子設(shè)備的各種電子應(yīng)用中。半導(dǎo)體器件的制造涉及在半導(dǎo)體襯底上方依次沉積絕緣或介電層、導(dǎo)電層和半導(dǎo)體層以及使用光刻和蝕刻工藝圖案化各個材料層以在半導(dǎo)體襯底上形成電路組件和元件。
半導(dǎo)體工業(yè)通過不斷減小最小部件尺寸持續(xù)地改進(jìn)各個電組件(例如,晶體管、二極管、電阻器、電容器等)的集成密度,這允許更多的組件集成至給定的區(qū)域。輸入和輸出(I/O)連接件的數(shù)量顯著增加。開發(fā)利用更小的面積或更小的高度的更小的封裝結(jié)構(gòu)來封裝半導(dǎo)體器件。例如,為了進(jìn)一步增加電路密度,已經(jīng)對三維(3D)IC進(jìn)行了研究。
已經(jīng)開發(fā)了新的封裝技術(shù)來改進(jìn)半導(dǎo)體器件的密度和功能。這些用于半導(dǎo)體器件的新型的封裝技術(shù)面臨著制造挑戰(zhàn)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實施例提供了一種半導(dǎo)體封裝件,包括:第一半導(dǎo)體管芯層,具有有源表面;導(dǎo)電接觸件,電連接至所述有源表面,所述導(dǎo)電接觸件的側(cè)壁由絕緣層圍繞;以及焊料凸塊,連接至所述導(dǎo)電接觸件,其中,晶種層位于所述導(dǎo)電接觸件的所述側(cè)壁和所述絕緣層之間。
本發(fā)明的實施例還提供了一種用于制造半導(dǎo)體封裝件的方法,包括:提供載體;在所述載體上方形成絕緣層;在所述絕緣層上方形成第一半導(dǎo)體管芯層,包括:在所述絕緣層中形成淺溝槽;在所述淺溝槽中形成導(dǎo)電接觸件;和在所述絕緣層上方放置第一半導(dǎo)體管芯;將所述載體從所述絕緣層脫粘;以及通過蝕刻操作從所述絕緣層暴露所述導(dǎo)電接觸件。
本發(fā)明的又一實施例提供了一種用于制造半導(dǎo)體封裝件的方法,包括:提供載體;在所述載體上方形成第一半導(dǎo)體管芯層,包括:在所述載體上方形成第一聚合物層;在所述第一聚合物層中形成淺溝槽;在所述淺溝槽中形成導(dǎo)電接觸件;和在所述第一聚合物層上方放置第一半導(dǎo)體管芯;將所述載體從所述第一聚合物層脫粘;以及通過蝕刻操作從所述第一聚合物層暴露所述導(dǎo)電接觸件。
附圖說明
當(dāng)結(jié)合附圖進(jìn)行閱讀時,從以下詳細(xì)描述可最佳理解本發(fā)明的各個方面。應(yīng)該指出,根據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實踐,各個部件未按比例繪制。實際上,為了清楚的討論,各個部件的尺寸可以任意地增大或減小。
圖1是根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的半導(dǎo)體封裝件的截面圖;
圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的半導(dǎo)體封裝件的局部放大的截面圖;
圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的半導(dǎo)體封裝件的局部放大的截面圖;
圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的半導(dǎo)體封裝件的局部放大的截面圖;
圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的半導(dǎo)體封裝件的截面圖;
圖6示出了根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的半導(dǎo)體封裝件的截面圖;
圖7A至圖7H示出了根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的用于制造半導(dǎo)體封裝件的方法的順序的截面圖;以及
圖8A至圖8H示出了根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的用于制造半導(dǎo)體封裝件的方法的順序的截面圖。
具體實施方式
以下公開內(nèi)容提供了許多用于實現(xiàn)所提供主題的不同特征的不同實施例或?qū)嵗O旅婷枋隽私M件和布置的具體實例以簡化本發(fā)明。當(dāng)然,這些僅僅是實例,而不旨在限制本發(fā)明。例如,以下描述中,在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接觸形成的實施例,并且也可以包括在第一部件和第二部件之間可以形成額外的部件,從而使得第一部件和第二部件可以不直接接觸的實施例。此外,本發(fā)明可在各個實施例中重復(fù)參考標(biāo)號和/或字符。該重復(fù)是為了簡單和清楚的目的,并且其本身不指示所討論的各個實施例和/或配置之間的關(guān)系。
而且,為便于描述,在此可以使用諸如“在…之下”、“在…下方”、“下部”、“在…之上”、“上部”等空間相對術(shù)語,以描述如圖所示的一個元件或部件與另一個(或另一些)原件或部件的關(guān)系。除了圖中所示的方位外,空間相對術(shù)語旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。裝置可以以其他方式定向(旋轉(zhuǎn)90度或在其他方位上),而本文使用的空間相對描述符可以同樣地作出相應(yīng)的解釋。
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