[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝件及其制造方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710416694.0
• 申請(qǐng)日: 2017-06-06
• 公開（公告）號(hào): CN107546210A
• 公開（公告）日: 2018-01-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 許峰誠;洪瑞斌;鄭心圃
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/498
• 分類號(hào): H01L23/498;H01L21/48
• 代理公司: 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11409
• 代理人: 章社杲,李偉

1.一種半導(dǎo)體封裝件，包括：

第一半導(dǎo)體管芯層，具有有源表面；

導(dǎo)電接觸件，電連接至所述有源表面，所述導(dǎo)電接觸件的側(cè)壁由絕緣層圍繞；以及

焊料凸塊，連接至所述導(dǎo)電接觸件，

其中，晶種層位于所述導(dǎo)電接觸件的所述側(cè)壁和所述絕緣層之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述導(dǎo)電接觸件還包括從所述絕緣層突出并且連接至所述焊料凸塊的臺(tái)狀件。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述導(dǎo)電接觸件包括再分布層(RDL)的通孔。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，與所述第一半導(dǎo)體管芯層的無源表面相比，所述焊料凸塊更接近所述有源表面。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述導(dǎo)電接觸件包括絕緣通孔(TIV)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝件，還包括第二半導(dǎo)體管芯層，通過位于所述第一半導(dǎo)體管芯層的無源表面上方的所述焊料凸塊電連接至所述導(dǎo)電接觸件。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述第二半導(dǎo)體管芯層包括動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述側(cè)壁包括錐形。

9.一種用于制造半導(dǎo)體封裝件的方法，包括：

提供載體；

在所述載體上方形成絕緣層；

在所述絕緣層上方形成第一半導(dǎo)體管芯層，包括：

在所述絕緣層中形成淺溝槽；

在所述淺溝槽中形成導(dǎo)電接觸件；和

在所述絕緣層上方放置第一半導(dǎo)體管芯；

將所述載體從所述絕緣層脫粘；以及

通過蝕刻操作從所述絕緣層暴露所述導(dǎo)電接觸件。

10.一種用于制造半導(dǎo)體封裝件的方法，包括：

提供載體；

在所述載體上方形成第一半導(dǎo)體管芯層，包括：

在所述載體上方形成第一聚合物層；

在所述第一聚合物層中形成淺溝槽；

在所述淺溝槽中形成導(dǎo)電接觸件；和

在所述第一聚合物層上方放置第一半導(dǎo)體管芯；

將所述載體從所述第一聚合物層脫粘；以及

通過蝕刻操作從所述第一聚合物層暴露所述導(dǎo)電接觸件。