[發明專利]制造半導體封裝的方法和用于其的載帶膜有效
| 申請號: | 201710416629.8 | 申請日: | 2017-06-06 |
| 公開(公告)號: | CN107492505B | 公開(公告)日: | 2023-03-24 |
| 發明(設計)人: | 張元基;金永錫;劉惠仁 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56;H01L21/67 |
| 代理公司: | 華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 劉培培 |
| 地址: | 韓國京畿道水*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 制造 半導體 封裝 方法 用于 載帶膜 | ||
本發明涉及一種制造半導體封裝的方法以及所使用的載帶膜。所述方法可包含在封裝襯底中形成空腔以及在載帶膜上提供封裝襯底和管芯。此處,載帶膜可包含膠帶襯底和在膠帶襯底上的絕緣層,且可將管芯提供于封裝襯底的空腔中。所述方法可進一步包含隨后形成包封層以覆蓋絕緣層和空腔中的管芯以及覆蓋絕緣層上的封裝襯底,以及從絕緣層去除膠帶襯底。
相關申請的交叉參考
本申請主張對在2016年6月13日于韓國知識產權局提交的第10-2016-0073310號韓國專利申請的優先權,所述專利申請的全部內容在此以引用的方式并入。
技術領域
本發明涉及一種制造封裝的方法,且明確地說,涉及一種制造扇出板級封裝的方法和所使用的載帶膜。
背景技術
隨著半導體芯片的集成密度增大,其大小逐漸減小。然而,半導體芯片上的凸塊之間的距離是由聯合電子裝置工程委員會(Joint Electron Device Engineering Council;JEDEC)國際標準給出的固定參數。因此,難以改變在半導體芯片上提供凸塊的數目。并且,隨著半導體芯片縮小,在處置和測試半導體芯片時的困難增大。此外,如何根據半導體芯片的大小使板多樣化也是另一問題。為了解決這些和其它問題,已提議一種扇出板級封裝。
發明內容
本發明概念的一些實施例提供一種制造封裝而無損壞包封層的方法和待用于其的載帶膜。
根據本發明概念的一些實施例,一種制造半導體封裝的方法可包含在封裝襯底中形成空腔以及在載帶膜上提供所述封裝襯底和管芯。此處,所述載帶膜可包含膠帶襯底和在所述膠帶襯底上的絕緣層,且可將所述管芯提供于所述封裝襯底的所述空腔中。所述方法可進一步包含隨后形成包封層以覆蓋所述絕緣層和所述空腔中的所述管芯以及覆蓋所述絕緣層上的所述封裝襯底,以及從所述絕緣層去除所述膠帶襯底。
根據本發明概念的一些實施例,一種制造半導體封裝的方法可包含在封裝襯底中形成空腔,在所述封裝襯底上按壓載帶膜,所述載帶膜包含絕緣層、黏合層和膠帶襯底,對準半導體裝置于所述空腔中且在所述絕緣層上按壓管芯,在所述絕緣層、所述半導體裝置和所述封裝襯底上形成包封層,將第一光照射到所述黏合層上以減小所述黏合層的黏合強度,從所述絕緣層去除所述黏合層和所述膠帶襯底,和隨后將其波長與所述第一光的波長不同的第二光照射到所述絕緣層的一部分上以在所述封裝襯底的一部分上和所述半導體裝置的一部分上形成接觸孔。
根據本發明概念的一些實施例,一種載帶膜可包含膠帶襯底、在所述膠帶襯底上的黏合層和在所述黏合層上的絕緣層。所述黏合層可包含黏合劑和混合在所述黏合劑中的珠粒。當加熱所述黏合層時,所述珠粒可膨脹以將所述黏合劑與所述絕緣層分開。
根據另一實施例,一種形成半導體封裝的方法包含:提供在其中包含開口的封裝襯底;提供包含相互堆疊且由形成于其間的黏合層相互附著的膠帶襯底和絕緣層的載帶膜;將所述封裝襯底放置于所述絕緣層的第一表面上;將半導體芯片放置于所述開口中的所述絕緣層的所述第一表面上;隨后形成包封層以覆蓋所述絕緣層和空腔中的所述半導體芯片和覆蓋所述絕緣層上的所述封裝襯底;和通過將熱量或光中的至少一個施加到所述黏合層從所述絕緣層去除所述膠帶襯底。
附圖說明
圖1為說明根據本發明概念的一些實施例的制造封裝的方法的流程圖。
圖2到圖19為說明通過圖1的方法制造的實例封裝的剖視圖。
圖20和圖21為示范性地說明根據一些實施例的減小圖7的黏合層的黏合強度的步驟的圖。
圖22和圖23為示范性地說明根據一些實施例的在圖1中繪示的提供封裝襯底和管芯的步驟的剖視圖。
圖24和圖25為示范性地說明根據一些實施例的在圖1中繪示的減小黏合強度的步驟的剖視圖。
具體實施方式
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





