[發明專利]制造半導體封裝的方法和用于其的載帶膜

有效

• 申請號: 201710416629.8
• 申請日: 2017-06-06
• 公開（公告）號: CN107492505B
• 公開（公告）日: 2023-03-24
• 發明（設計）人: 張元基;金永錫;劉惠仁
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L21/67
• 代理公司: 華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 劉培培

1.一種制造半導體封裝的方法，包括：

在封裝襯底中形成空腔；

在載帶膜上提供所述封裝襯底和管芯，所述載帶膜包含膠帶襯底、在所述膠帶襯底上的黏合層和在所述黏合層上的絕緣層，且所述管芯提供于所述封裝襯底的所述空腔中，所述黏合層和所述絕緣層分別包含第一光引發劑與第二光引發劑，且所述封裝襯底包含襯底焊點，所述襯底焊點位于所述封裝襯底的頂表面和底表面上；

形成包封層以覆蓋所述絕緣層和所述空腔中的所述管芯以及覆蓋所述絕緣層上的所述封裝襯底；

將第一光照射到所述黏合層上以減小所述黏合層的黏合強度，所述第一光選擇性地與所述第一光引發劑反應；

從所述絕緣層去除所述膠帶襯底；以及

將第二光照射到所述絕緣層的一部分上以在所述封裝襯底的所述襯底焊點上和所述管芯的一部分上形成第一接觸孔，所述第二光的波長較所述第一光的波長短，所述第二光與所述第二光引發劑反應。

2.根據權利要求1所述制造半導體封裝的方法，其特征在于，所述第一光包括具有第一波長的第一紫外光，且

所述第二光包括具有與所述第一波長不同的第二波長的第二紫外光。

3.根據權利要求1所述制造半導體封裝的方法，其特征在于，還包括：

在所述管芯、所述封裝襯底和所述絕緣層的部分上形成互連線；

形成保護層以具有暴露所述互連線的第二接觸孔；

在通過所述第二接觸孔暴露的所述互連線上形成凸塊。

4.根據權利要求1所述制造半導體封裝的方法，其特征在于，所述黏合層包括：

具有黏合性官能團的單體，

所述單體與所述第一光引發劑混合，其中所述黏合性官能團通過所述第一光照射到的所述第一光引發劑去除。

5.根據權利要求1所述制造半導體封裝的方法，其特征在于，所述黏合層的所述黏合強度的所述減小包括加熱所述黏合層。

6.根據權利要求5所述制造半導體封裝的方法，其特征在于，所述黏合層包括：

黏合劑；以及

珠粒，其提供于所述黏合劑中，

其中，在所述黏合層的所述加熱期間，所述珠粒膨脹以將所述黏合劑與所述絕緣層分開。

7.根據權利要求5所述制造半導體封裝的方法，其特征在于，所述黏合層包括熱固性樹脂或熱塑性樹脂。

8.根據權利要求1所述制造半導體封裝的方法，其特征在于，所述黏合層包括丙烯酸黏合劑或丙烯酸酯黏合劑。

9.根據權利要求1所述制造半導體封裝的方法，其特征在于，所述封裝襯底和所述管芯的所述提供包括：

在所述載帶膜上按壓所述封裝襯底；以及

在所述載帶膜上按壓所述管芯。

10.根據權利要求1所述制造半導體封裝的方法，其特征在于，所述封裝襯底和所述管芯的所述提供包括：

在所述載帶膜上按壓所述管芯；

將所述管芯對準所述空腔；以及

在所述載帶膜上按壓所述封裝襯底。

11.一種制造半導體封裝的方法，包括：

在封裝襯底中形成空腔；

在所述封裝襯底上按壓載帶膜，所述載帶膜包括膠帶襯底、在所述膠帶襯底上的黏合層和在所述黏合層上的絕緣層，所述黏合層和所述絕緣層分別包含第一光引發劑與第二光引發劑，且所述封裝襯底包含襯底焊點，所述襯底焊點位于所述封裝襯底的頂表面和底表面上；

對準半導體裝置于所述空腔中且在所述絕緣層上按壓所述半導體裝置；

在所述絕緣層、所述半導體裝置和所述封裝襯底上形成包封層；

將第一光照射到所述黏合層上以減小所述黏合層的黏合強度，所述第一光選擇性地與所述第一光引發劑反應；

從所述絕緣層去除所述黏合層和所述膠帶襯底；以及

將第二光照射到所述絕緣層的一部分上以在所述封裝襯底的所述襯底焊點上和所述半導體裝置的一部分上形成接觸孔，所述第二光的波長較所述第一光的波長短，所述第二光與所述第二光引發劑反應。