[發明專利]一種薄膜晶體管及其制作方法、顯示面板

有效

• 申請號: 201710416020.0
• 申請日: 2017-06-05
• 公開（公告）號: CN107204289B
• 公開（公告）日: 2019-11-08
• 發明（設計）人: 李海旭;曹占鋒;姚琪;汪建國;孟凡娜
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/3213
• 分類號: H01L21/3213;H01L29/786
• 代理公司: 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262
• 代理人: 林桐苒;李丹

本發明公開了一種薄膜晶體管及其制作方法、顯示面板，其中，該方法包括：形成金屬薄膜；對金屬薄膜進行處理，使金屬薄膜的表面上形成配合層；所述配合層用于與光刻膠作用產生氫鍵；通過構圖工藝形成電極，當在表面上形成有配合層的金屬薄膜上進行構圖工藝時，由于配合層與光刻膠作用產生氫鍵，有效的提高了光刻膠與金屬之間的粘附力，使得金屬刻蝕過程中光刻膠不易剝落，實現了薄膜晶體管的廣泛使用。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤指一種薄膜晶體管及其制作方法、顯示面板。

背景技術

隨著顯示技術的不斷發展，有機電致發光顯示面板和液晶顯示面板等平板顯示面板發展迅速。

以液晶顯示面板為例，液晶顯示面板包括陣列基板，陣列基板包括：基板、位于基板上的薄膜晶體管以及像素電極，其中薄膜晶體管中包括有源層、柵電極、源電極和漏電極，其中，在薄膜晶體管的制作工藝中，柵電極、源電極和漏電極均是在金屬薄膜上通過包括光刻膠涂覆、曝光、顯影、刻蝕和光刻膠剝離等工藝的構圖工藝形成的。

目前，市場對于液晶顯示面板的對比度和分辨率的要求越來越高，也就是說，薄膜晶體管中的源極線和漏極線的寬度需要越來越小。然而，由于光刻膠與金屬之間的粘附力較弱，因此，源極線和漏極線的寬度較小會導致形成源電極和漏電極的刻蝕過程中光刻膠剝離，從而限制了薄膜晶體管的廣泛使用。

發明內容

為了解決上述技術問題，本發明提供了一種薄膜晶體管及其制作方法、顯示面板，能夠提高金屬與光刻膠的粘附力，避免金屬刻蝕過程中光刻膠剝落，實現了薄膜晶體管的廣泛使用。

為了達到本發明目的，本發明提供了一種薄膜晶體管制作方法，包括：

形成金屬薄膜；

對所述金屬薄膜進行處理，使金屬薄膜的表面上形成配合層；所述配合層用于與光刻膠作用產生氫鍵；

通過構圖工藝形成電極。

進一步地，所述對金屬薄膜進行處理，包括：

利用濕法刻蝕設備采用指定溶液對金屬薄膜進行處理；

其中，指定溶液中的溶劑為二甲基甲酰胺，溶質為合成物溶液與硝酸溶液的混合液，所述合成物的分子式為C₅₇H₄₂N₁₂O₆·H₂O。

進一步地，合成物溶液的質量百分比為30％-50％。

進一步地，處理的時間大于或者等于2分鐘，處理的溫度為40-50攝氏度。

進一步地，通過構圖工藝形成電極包括：

在金屬薄膜上涂覆光刻膠；

對所述光刻膠進行曝光和顯影處理；

對金屬薄膜進行刻蝕處理；

剝離光刻膠，形成電極；

其中，對光刻膠進行曝光和顯影處理與形成配合層的時間間隔小于或者等于30分鐘。

進一步地，所述電極為柵電極和/或源漏電極。

另外，本發明實施例還提供一種薄膜晶體管，包括：柵電極和源漏電極；

柵電極和/或源漏電極為包括配合層和導電層的電極，所述配合層覆蓋所述導電層，其中，配合層用于與光刻膠作用產生氫鍵。

進一步地，所述配合層中包括三嗪環、亞胺基團、酰胺基團和芳香環。

進一步地，所述導電層的材料為金屬。

另外，本發明實施例還提供一種顯示面板，包括薄膜晶體管。