[發明專利]一種薄膜晶體管及其制作方法、顯示面板

有效

• 申請號: 201710416020.0
• 申請日: 2017-06-05
• 公開（公告）號: CN107204289B
• 公開（公告）日: 2019-11-08
• 發明（設計）人: 李海旭;曹占鋒;姚琪;汪建國;孟凡娜
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/3213
• 分類號: H01L21/3213;H01L29/786
• 代理公司: 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262
• 代理人: 林桐苒;李丹

1.一種薄膜晶體管制作方法，其特征在于，包括：

形成金屬薄膜；

對所述金屬薄膜進行處理，使金屬薄膜的表面上形成配合層；所述配合層用于與光刻膠作用產生氫鍵；所述對金屬薄膜進行處理，包括利用濕法刻蝕設備采用指定溶液對金屬薄膜進行處理；所述配合層中包括：用于與光刻膠產生氫鍵的三嗪環、亞胺基團、酰胺基團和芳香環；

通過構圖工藝形成電極。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，指定溶液中的溶劑為二甲基甲酰胺，溶質為合成物溶液與硝酸溶液的混合液，所述合成物的分子式為C₅₇H₄₂N₁₂O₆·H₂O。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，合成物溶液的質量百分比為30％-50％。

4.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，處理的時間大于或者等于2分鐘，處理的溫度為40-50攝氏度。

5.根據權利要求1-4任一所述的方法，其特征在于，通過構圖工藝形成電極包括：

在金屬薄膜上涂覆光刻膠；

對所述光刻膠進行曝光和顯影處理；

對金屬薄膜進行刻蝕處理；

剝離光刻膠，形成電極；

其中，對光刻膠進行曝光和顯影處理與形成配合層的時間間隔小于或者等于30分鐘。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述電極為柵電極和/或源漏電極。

7.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括：柵電極和源漏電極；

柵電極和/或源漏電極為包括配合層和導電層的電極，所述配合層覆蓋所述導電層，其中，配合層用于與光刻膠作用產生氫鍵，所述配合層通過利用濕法刻蝕設備采用指定溶液對金屬薄膜進行處理形成的，所述配合層中包括用于與光刻膠產生氫鍵的三嗪環、亞胺基團、酰胺基團和芳香環。

8.根據權利要求7所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述導電層的材料為金屬。

9.一種顯示面板，其特征在于，包括如權利要求7或8所述的薄膜晶體管。