[發明專利]硬掩模用組合物

有效

• 申請號: 201710413831.5
• 申請日: 2017-06-05
• 公開（公告）號: CN107526253B
• 公開（公告）日: 2022-01-04
• 發明（設計）人: 崔漢永;梁敦植
• 申請（專利權）人: 東友精細化工有限公司
• 主分類號: G03F7/11
• 分類號: G03F7/11
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 金鮮英;宋海花

本發明提供一種硬掩模用組合物，其包含含有選自由下述化學式1?1和1?2組成的組中的至少一種重復單元的共聚物和溶劑。下述化學式1?1中，Ar₁和Ar₂各自獨立地為碳原子數6～30的二價芳烴基，R₁為碳原子數1～6的烷基或碳原子數6～35的芳基，Ar₁、Ar₂和R₁各自獨立地可被碳原子數1～6的烷基、羥基、甲氧基或苯基進一步取代，n為1～190的整數；下述化學式1?2中，Ar₁和Ar₂各自獨立地為碳原子數6～30的二價芳烴基，R₂為氫原子或碳原子數1～6的烷基，Ar₁和Ar₂各自獨立地可被碳原子數1～6的烷基、羥基、甲氧基或苯基進一步取代，n為1～190的整數。

技術領域

本發明涉及一種硬掩模用組合物。

背景技術

微電子學產業和微觀結構物(例如，微機械、磁阻(magnetoresist)磁頭等)等產業領域中，持續要求減小結構形狀的大小。此外，微電子學產業中，存在如下要求：減小微電子設備的大小，對指定的芯片大小提供更多的電路。

為了減小形狀大小，有效的光刻技術是必不可少的。

就典型的光刻工序而言，首先，在下層材料上涂布抗蝕劑后，進行射線曝光，形成抗蝕劑層。接著，將抗蝕劑層用顯影液進行顯影而形成圖案化的抗蝕劑層，對存在于圖案化的抗蝕劑層的開口部內的物質進行蝕刻，將圖案轉印至下層材料。轉印結束后，伴隨如下過程：使感光性抗蝕劑以圖案方式暴露，形成圖案化的抗蝕劑層。接著，通過使暴露的抗蝕劑層與任意物質(典型地為水性堿顯影液)接觸，從而使圖像顯影。接著，通過對存在于圖案化的抗蝕劑層的開口部內的物質進行蝕刻，使圖案轉印至下層材料。轉印結束后，去除殘留的抗蝕劑層。

為了使抗蝕劑層與下層材料之間的反射性最小化，上述光刻工序的大部分工序中使用抗反射涂層(anti-refractive coating；ARC)來增加分辨率。但是，在圖案化后，將抗反射涂層蝕刻的工序中，抗蝕劑層也被大量消耗，有可能在后續蝕刻步驟中需要追加圖案化。

換言之，在一部分光刻圖像化工序的情況下，所使用的抗蝕劑有時對于蝕刻步驟不具有足以使預定的圖案有效地轉印至下層材料的程度的充分的耐受性。因此，對于需要極薄地使用抗蝕劑物質的超薄膜抗蝕劑層的情況，對于想要蝕刻處理的基板厚的情況，對于要求蝕刻深度深的情況或者對于預定的下層材料中需要使用特定的蝕刻劑(etchant)的情況等中，使用了抗蝕劑下層膜。

抗蝕劑下層膜在抗蝕劑層與可從圖案化的抗蝕劑通過轉印而圖案化的下層材料之間發揮中間層的作用，該抗蝕劑下層膜需要耐受從圖案化的抗蝕劑層接受圖案、使圖案轉印至下層材料時所需的蝕刻工序。

為了形成這樣的下層膜，嘗試了很多材料，但仍持續要求對下層膜組合物的改進。

以往，用于形成下層膜的材料難以涂布于基板，因此利用例如化學或物理蒸鍍、特殊溶劑或高溫燒成，但它們存在花費很大的問題。由此，近年來，進行著關于無需實施高溫燒成的可利用旋轉涂布方法來涂布的下層膜組合物的研究。

此外，進行著關于下述下層膜組合物的研究：在能夠將形成于上部的抗蝕劑層作為掩模而容易被選擇性地蝕刻的同時，特別是在下層為金屬層的情況下，對于將下層膜作為掩模而使下層圖案化時所需的蝕刻工序具有耐受性。

韓國公開專利第10-2010-0082844號公開了關于抗蝕劑下層膜形成組合物的技術。

現有技術文獻

專利文獻

韓國公開專利第10-2010-0082844號

發明內容

所要解決的課題