[發明專利]使用缺陷特定的信息檢測晶片上的缺陷

有效

• 申請號: 201710413659.3
• 申請日: 2013-10-11
• 公開（公告）號: CN107358599B
• 公開（公告）日: 2019-05-17
• 發明（設計）人: 肯翁·吳;吳孟哲;高理升
• 申請（專利權）人: 科磊股份有限公司
• 主分類號: G06T7/00
• 分類號: G06T7/00
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 張世俊

本發明提供用于使用缺陷特定的信息檢測晶片上的缺陷的方法及系統。一種方法包含獲取晶片上的目標的信息。所述目標包含形成在所述晶片上的關注圖案及接近所述關注圖案或在所述關注圖案中發生的已知DOI。所述信息包含所述晶片上的所述目標的圖像。所述方法還包含搜索所述晶片或另一晶片上的目標候選者。所述目標候選者包含所述關注圖案。提供所述目標及目標候選者位置以進行缺陷檢測。此外，所述方法包含通過識別所述目標候選者的圖像中的潛在DOI位置及將一或多個檢測參數應用到所述潛在DOI位置的圖像而檢測所述目標候選者中的所述已知DOI。

本申請是申請日為2013年10月11日，申請號為“201380064423.3”，而發明名稱為“使用缺陷特定的信息檢測晶片上的缺陷”的申請的分案申請。

技術領域

本發明大體上涉及使用缺陷特定的信息檢測晶片上的缺陷。

背景技術

下文描述及實例不因其包含在背景技術中而被認定為現有技術。

在半導體制造工藝期間的不同步驟中使用檢驗工藝以檢測晶片上的缺陷。任何晶片檢驗系統的一個重要目的是抑制妨害缺陷。妨害缺陷是可能與半導體良率無關的所檢測事件。這些妨害缺陷可能由晶片噪聲及系統噪聲導致或為晶片上的實體對象。妨害缺陷可能出現在晶片上的任何位置。一些關注缺陷(DOI)可能出現在晶片上的特定位置。DOI的上下文信息可用作缺陷檢測的先前知識。已開發使用上下文信息的數種方法以檢測缺陷。一種此方法使用圖形數據串流(GDS)數據或設計信息以尋找缺陷可能以更高概率發生的熱點及檢驗熱點周圍的缺陷。另一此方法匹配缺陷背景并在缺陷檢測后保留或移除匹配的缺陷。

但是，此類方法存在若干缺點。舉例來說，第一方法適用于GDS數據。但是，(例如)半導體制造廠中的缺陷工程師可能無法在所有情形中都獲得GDS信息。此外，用戶需進行圖塊到設計對準(patch-to-design alignment；PDA)及基于運行時間劃幅的對準以精確重疊圖像上的關照區域。如果基于劃幅的對準失敗，那么被劃幅覆蓋的位置將得不到檢驗。如果妨害缺陷的缺陷計數及缺陷類型相對較大，那么在缺陷檢測后執行的第二方法可使檢驗顯著變慢。此外，如果缺陷信號相對較弱，那么可檢測大量妨害缺陷。缺陷信號可被定義為具有缺陷的圖像與無缺陷的參考圖像之間的最大灰階差異。參考圖像與缺陷圖像在空間上對準且可從晶片上的相鄰裸片或多個裸片獲取。此外，如果執行所述方法以保持系統DOI，那么需要其它妨害移除機制以分離妨害缺陷及隨機分布的DOI。這些方法均不使用缺陷特定的信息。

因此，開發無上述的缺點中的一者或多者的用于檢測晶片上的缺陷的方法及/或系統將是有利的。

發明內容

各種實施例的下文描述不得以任何方式解釋為限制所附權利要求書的標的物。

一個實施例涉及用于使用缺陷特定的信息檢測晶片上的缺陷的計算機實施的方法。所述方法包含獲取晶片上的目標的信息。所述目標包含形成在晶片上的關注圖案(POI)及接近POI或在POI中發生的已知關注缺陷(DOI)。所述信息包含通過使晶片上的目標成像而獲取的晶片上的目標的圖像、晶片上的POI的位置、已知DOI相對于POI的位置，以及從POI及已知DOI計算的一或多個特性。所述方法還包含搜索與晶片上或另一晶片上的裸片中的POI匹配的目標候選者。所述目標候選者包含POI。可在缺陷檢測前的設置步驟中執行POI搜索。在POI搜索后，可針對每一潛在缺陷位置產生微關照區域(MCA)。可提供這些位置用于缺陷檢測。此外，所述方法包含通過識別目標候選者的圖像中的潛在DOI位置及將一或多個檢測參數應用到潛在DOI位置的圖像而檢測目標候選者中的已知DOI。使用計算機系統執行已知DOI的檢測。

本方法與當前使用的基于上下文的檢驗之間存在數個差異。首先，本方法不依賴圖形數據串流(GDS)數據。此外，可執行高度精確的關照區域對準以檢測特定缺陷。此外，在設置及缺陷檢測期間使用上下文及缺陷特定的信息，而非在缺陷檢測后使用上下文及缺陷特定的信息。