[發明專利]一種像素結構及X射影像傳感器有效
| 申請號: | 201710411776.6 | 申請日: | 2017-06-05 |
| 公開(公告)號: | CN107507843B | 公開(公告)日: | 2020-05-08 |
| 發明(設計)人: | 金利波 | 申請(專利權)人: | 上海奕瑞光電子科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明偉 |
| 地址: | 201201 上海市浦東新區張江*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 像素 結構 射影 傳感器 | ||
1.一種像素結構,其特征在于,所述像素結構至少包括:
多個像素單元,以蜂窩狀排布,所述像素單元為沿X軸和Y軸對稱的多邊形,且Y軸方向上為一組對邊;
數據線,分別位于各列像素單元的一側,同一列像素單元共用一根數據線;
掃描線,分別沿X軸方向穿過各行像素單元,同時從下一行像素單元的邊緣穿過,同一行像素單元共用一根掃描線;
公共電位線,分別沿Y軸方向穿過各列像素單元,同一列像素單元共用一根公共電位線,各公共電位線連接同一公共電位。
2.根據權利要求1所述的像素結構,其特征在于:各像素單元呈六邊形,其X軸方向上為一組對角,各數據線沿著各列像素單元一側的邊緣呈鋸齒狀設置。
3.根據權利要求1所述的像素結構,其特征在于:各像素單元呈八邊形,X軸方向上為一組對邊,各數據線沿著各列像素單元一側的邊緣設置。
4.根據權利要求1所述的像素結構,其特征在于:所述像素單元包括開關管、像素電極及光電轉換層;所述像素電極位于所述開關管的上層,并與所述開關管的一端連接,所述像素電極呈多邊形結構;所述光電轉換層覆蓋于所述像素電極的上層,用于將光信號轉換為電信號,并通過所述像素電極傳輸給所述開關管。
5.根據權利要求1所述的像素結構,其特征在于:各掃描線位于各行像素單元在X軸方向上的對稱軸上。
6.根據權利要求1所述的像素結構,其特征在于:各公共電位線位于各列像素單元在Y軸方向上的對稱軸上。
7.根據權利要求1所述的像素結構,其特征在于:所述數據線與所述掃描線的線寬相等。
8.根據權利要求1所述的像素結構,其特征在于:各像素單元邊緣的數據線和掃描線到像素單元的距離相等。
9.根據權利要求1~8任意一項所述的像素結構,其特征在于:所述數據線與所述掃描線的位置互換。
10.一種X射影像傳感器,其特征在于,所述X射影像傳感器至少包括:如權利要求1~9任意一項所述的像素結構、掃描驅動電路以及讀出電路;所述掃描驅動電路連接所述像素結構中的各掃描線,用于提供掃描驅動信號;所述讀出電路連接所述像素結構中的各數據線,用于讀出各像素單元中的電荷。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





